半導體發光二極體具有什麼導電特性

1. 發光二極體具有 導電性能

發光二極體和普通二極體一樣，除具有單向導電的特性外．當有電流通過時，二極體發光，且電流大時，實際功率就大，發光較亮，電流小時，實際功率就小，發光較暗；故發光二極體常用在指示電路中。
發光二極體有以下性質
1
單向導電性
2
通過電流能發光
3
電能轉光能是一個可逆的過程（若用強光照射到發光二極體晶元上
發光二極體也可以像太陽能電池那樣
能輸出電能
但是發光二極體的輸出很小
通常只有幾微安）。

2. 半導體二極體有哪些特性

陽極：由P區引出的電極為陽極。

陰極：由N區引出的電極為陰極。

點接觸型二極體，通過的電流小，結電容小，適用於高頻電路和開關電路。

面接觸型二極體，結面積大，電流大，結電容大，適用於低頻整流電路。

平面型二極體，結面積較大時可以通過較大電流，適用於大功率整流，結面積較小時，可作為數字電路中的開關管。

開啟電壓Uon ：使二極體開始導通的臨界電壓稱為開啟電壓Uon。

反向電流：當二極體所加反向電壓的數值足夠大時，產生反向電流為IS。

在環境溫度升高時，二極體的正向特性曲線將左移，反向特性曲線下。如圖所示。

溫度每升高1°C，正向壓降減小2~2.5mV；溫度每升高10°C，反向電流約增大一倍。

結論：二極體對溫度很敏感。

二極體的主要參數

★最大整流電流IF：指二極體長期工作，允許通過的最大直流電流。

★最高反向工作電壓UR：指二極體正常使用允許加的最高反向電壓。

穩壓管：穩壓二極體是一種硅材料製成的面接觸型晶體二極體。當穩壓管外加反向電壓的數值大到一定程度時則擊穿。

穩壓管的主要參數

★穩定電壓UZ：UZ是在規定電流下穩壓管的反向擊穿電壓。

★穩定電流IZ: IZ是穩壓管工作在穩壓狀態時的參考電流。只要不超過穩壓管的額定功率，電流愈大，穩壓效果愈好。

★額定功耗PZM：PZM等於穩壓管的穩定電壓UZ與最大穩定電流IZM的乘積。穩壓管超過此值時，會因結溫升高而損壞。

★動態電阻rZ：rZ為穩壓管工作在穩壓區時，穩壓管電壓的變化量與電流變化量之比，即 。rZ愈小，電流變化時UZ的變化愈小，穩壓性能愈好。

★溫度系數 ： 表示溫度每變化1°C穩壓值的變化量，即 = 。

限流電阻：穩壓管電路中必須串聯一個電阻來限制電流，從而保證穩壓管正常工作，故稱這個電阻為限流電阻。

其它類型二極體：

★發光二極體

發光二極體具有單向導電性。只有當外加的正向電壓使得正向電流足夠大時才發光，正向電流愈大，發光愈強。

★光電二極體

光電二極體是遠紅外線接收管，是一種光能與電能進行轉換的器件。

光電二極體的工作原理：它是利用PN結外加反向電壓時，在光線照射下，改變反向電流和反向電阻，當沒有光照射時，反向電流很小，反向電阻很大；當有光照射時，反向電阻減小，反向電流加大。

暗電流：光電二極體在無光照射時的反向電流稱為暗電流。

明電流：有光照射時的電流稱為明電流。

3. 探究發光二極體的導電特性資料：圖a是一種重要的電子元件：晶體二極體，在電路中符號如圖b．它是由半導體

（1）為保護二來極管應讓開始時滑動源變阻器接入電阻最大，故應將滑片滑到b端；
當將電源反接時，二極體通反向電流，此時二極體相當於斷路，故電路沒有電流；
故答案為：b．
（2）由以上實驗可知，二極體接正向電流時，電路導通，而接反向電流時，電路中沒有電流，故二極體具有單向導電性；
故答案為：無．
（3）將表格中數據所對應的坐標描在坐標系中，再用線將點連起來，如圖所示；

4. 半導體二極體為什麼能單向導電呢

首先，糾正一下你的說法，不是「二極體具有單向導電性」，應該說是「PN結具有單向導電性」。由於通常情況下的二極體具有一個PN結所以可以簡單地理解為它具有單向導電的性能，但這不是他作為二極體後具有的特性。 具體理由要從PN結開始說起： 採用不同的摻雜工藝,將P型半導體與N型半導體製作在同一塊矽片上,在它們的交界面就形成空間電荷區稱PN結。PN結具有單向導電性。 PN結：一塊單晶半導體中，一部分摻有受主雜質是P型半導體，另一部分摻有施主雜質是N型半導體時，P型半導體和N型半導體的交界面附近的過渡區稱。PN結有同質結和異質結兩種。用同一種半導體材料製成的PN結叫同質結，由禁帶寬度不同的兩種半導體材料製成的PN結叫異質結。製造PN結的方法有合金法、擴散法、離子注入法和外延生長法等。製造異質結通常採用外延生長法。 在P型半導體中有許多帶正電荷的空穴和帶負電荷的電離雜質。在電場的作用下，空穴是可以移動的，而電離雜質（離子）是固定不動的。N型半導體中有許多可動的負電子和固定的正離子。當P型和N型半導體接觸時，在界面附近空穴從P型半導體向N型半導體擴散，電子從N型半導體向P型半導體擴散。空穴和電子相遇而復合，載流子消失。因此在界面附近的結區中有一段距離缺少載流子，卻有分布在空間的帶電的固定離子，稱為空間電荷區。P型半導體一邊的空間電荷是負離子，N型半導體一邊的空間電荷是正離子。正負離子在界面附近產生電場，這電場阻止載流子進一步擴散，達到平衡。 在PN結上外加一電壓，如果P型一邊接正極，N型一邊接負極，電流便從P型一邊流向N型一邊，空穴和電子都向界面運動，使空間電荷區變窄，甚至消失，電流可以順利通過。如果N型一邊接外加電壓的正極，P型一邊接負極，則空穴和電子都向遠離界面的方向運動，使空間電荷區變寬，電流不能流過。這就是PN結的單向導性。 PN結加反向電壓時，空間電荷區變寬，區中電場增強。反向電壓增大到一定程度時，反向電流將突然增大。如果外電路不能限制電流，則電流會大到將PN結燒毀。反向電流突然增大時的電壓稱擊穿電壓。基本的擊穿機構有兩種，即隧道擊穿和雪崩擊穿。 PN結加反向電壓時，空間電荷區中的正負電荷構成一個電容性的器件。它的電容量隨外加電壓改變。 根據PN結的材料、摻雜分布、幾何結構和偏置條件的不同，利用其基本特性可以製造多種功能的晶體二極體。如利用PN結單向導電性可以製作整流二極體、檢波二極體和開關二極體，利用擊穿特性製作穩壓二極體和雪崩二極體；利用高摻雜PN結隧道效應製作隧道二極體；利用結電容隨外電壓變化效應製作變容二極體。使半導體的光電效應與PN結相結合還可以製作多種光電器件。如利用前向偏置異質結的載流子注入與復合可以製造半導體激光二極體與半導體發光二極體；利用光輻射對PN結反向電流的調製作用可以製成光電探測器；利用光生伏特效應可製成太陽電池。此外，利用兩個PN結之間的相互作用可以產生放大，振盪等多種電子功能。PN結是構成雙極型晶體管和場效應晶體管的核心，是現代電子技術的基礎。

5. 二極體的主要特性是單向導電性

首先，糾正一下你的說法，不是「二極體具有單向導電性」，應該說是「PN結具有單向導電性」。由於通常情況下的二極體具有一個PN結所以可以簡單地理解為它具有單向導電的性能，但這不是他作為二極體後具有的特性。
具體理由要從PN結開始說起：

採用不同的摻雜工藝,將P型半導體與N型半導體製作在同一塊矽片上,在它們的交界面就形成空間電荷區稱PN結。PN結具有單向導電性。
PN結：一塊單晶半導體中 ，一部分摻有受主雜質是P型半導體，另一部分摻有施主雜質是N型半導體時 ，P 型半導體和N型半導體的交界面附近的過渡區稱。PN結有同質結和異質結兩種。用同一種半導體材料製成的 PN 結叫同質結 ，由禁帶寬度不同的兩種半導體材料製成的PN結叫異質結。製造PN結的方法有合金法、擴散法、離子注入法和外延生長法等。製造異質結通常採用外延生長法。
在 P 型半導體中有許多帶正電荷的空穴和帶負電荷的電離雜質。在電場的作用下，空穴是可以移動的，而電離雜質（離子）是固定不動的 。N 型半導體中有許多可動的負電子和固定的正離子。當P型和N型半導體接觸時，在界面附近空穴從P型半導體向N型半導體擴散，電子從N型半導體向P型半導體擴散。空穴和電子相遇而復合，載流子消失。因此在界面附近的結區中有一段距離缺少載流子，卻有分布在空間的帶電的固定離子，稱為空間電荷區 。P 型半導體一邊的空間電荷是負離子 ，N 型半導體一邊的空間電荷是正離子。正負離子在界面附近產生電場，這電場阻止載流子進一步擴散 ，達到平衡。
在PN結上外加一電壓 ，如果P型一邊接正極 ，N型一邊接負極，電流便從P型一邊流向N型一邊，空穴和電子都向界面運動，使空間電荷區變窄，甚至消失，電流可以順利通過。如果N型一邊接外加電壓的正極，P型一邊接負極，則空穴和電子都向遠離界面的方向運動，使空間電荷區變寬，電流不能流過。這就是PN結的單向導性。
PN結加反向電壓時 ，空間電荷區變寬 ， 區中電場增強。反向電壓增大到一定程度時，反向電流將突然增大。如果外電路不能限制電流，則電流會大到將PN結燒毀。反向電流突然增大時的電壓稱擊穿電壓。基本的擊穿機構有兩種，即隧道擊穿和雪崩擊穿。
PN結加反向電壓時，空間電荷區中的正負電荷構成一個電容性的器件。它的電容量隨外加電壓改變。
根據PN結的材料、摻雜分布、幾何結構和偏置條件的不同，利用其基本特性可以製造多種功能的晶體二極體。如利用PN結單向導電性可以製作整流二極體、檢波二極體和開關二極體，利用擊穿特性製作穩壓二極體和雪崩二極體；利用高摻雜PN結隧道效應製作隧道二極體；利用結電容隨外電壓變化效應製作變容二極體。使半導體的光電效應與PN結相結合還可以製作多種光電器件。如利用前向偏置異質結的載流子注入與復合可以製造半導體激光二極體與半導體發光二極體；利用光輻射對PN結反向電流的調製作用可以製成光電探測器；利用光生伏特效應可製成太陽電池。此外，利用兩個PN結之間的相互作用可以產生放大，振盪等多種電子功能 。PN結是構成雙極型晶體管和場效應晶體管的核心，是現代電子技術的基礎。

6. 發光二極體具有____導電特性，它的主要材料是什麼

單向，半導體

7. 發光二極體具有什麼導電性

單向導電性，兩個極接錯是不能導電的哦

8. 發光二極體具有什麼導電特性主要材料是

單向導電性
半導體
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9. 半導體的導電特性有哪些，並簡要解釋

半導體的導電特性
自然界的各種物質就其導電性能來說，可以分為導體、絕緣體和半導體三大類。
半導體的導電能力介於導體和絕緣體之間，如硅、鍺等，它們的電阻率通常在之間。半導體之所以得到廣泛應用，是因為它的導電能力受摻雜、溫度和光照的影響十分顯著。如純凈的半導體單晶硅在室溫下電阻率約為 ，若按百萬分之一的比例摻入少量雜質（如磷）後，其電阻率急劇下降為 ，幾乎降低了一百萬倍。半導體具有這種性能的根本原因在於半導體原子結構的特殊性。
1.1.1本徵半導體

(a)鍺Ge (b)硅Si
圖1.1.1 鍺和硅原子結構
常用的半導體材料是單晶硅（Si）和單晶鍺（Ge）。所謂單晶，是指整塊晶體中的原子按一定規則整齊地排列著的晶體。非常純凈的單晶半導體稱為本徵半導體。
1.本徵半導體的原子結構
半導體鍺和硅都是四價元素，其原子結構示意圖如圖1.1.1所示。它們的最外層都有4個電子，帶4個單位負電荷。通常把原子核和內層電子看作一個整體，稱為慣性核。慣性核帶有4個單位正電荷，最外層有4個價電子帶有4個單位負電荷，因此，整個原子為電中性。
2.本徵激發
在本徵半導體的晶體結構中，每一個原子與相鄰的四個原子結合。每一個原子的價電子與另一個原子的一個價電子組成一個電子對。這對價電子是每兩個相鄰原子共有的，它們把相鄰原子結合在一起，構成所謂共價鍵的結構，如圖1.1.2所示。

圖1.1.2 本徵硅共價鍵結構
一般來說，共價鍵中的價電子不完全象絕緣體中價電子所受束縛那樣強，如果能從外界獲得一定的能量（如光照、升溫、電磁場激發等），一些價電子就可能掙脫共價鍵的束縛而成為自由電子，將這種物理現象稱作為本徵激發。
理論和實驗表明：在常溫（T＝300K）下，硅共價鍵中的價電子只要獲得大於電離能EG（＝1.1eV）的能量便可激發成為自由電子。本徵鍺的電離能更小，只有0.72eV。
當共價鍵中的一個價電子受激發掙脫原子核的束縛成為自由電子的同時，在共價鍵中便留下了一個空位子，稱「空穴」。當空穴出現時，相鄰原子的價電子比較容易離開它所在的共價鍵而填補到這個空穴中來使該價電子原來所在共價鍵中出現一個新的空穴，這個空穴又可能被相鄰原子的價電子填補，再出現新的空穴。價電子填補空穴的這種運動無論在形式上還是效果上都相當於帶正電荷的空穴在運動，且運動方向與價電子運動方向相反。為了區別於自由電子的運動，把這種運動稱為空穴運動，並把空穴看成是一種帶正電荷的載流子。
在本徵半導體內部自由電子與空穴總是成對出現的，因此將它們稱作為電子-空穴對。當自由電子在運動過程中遇到空穴時可能會填充進去從而恢復一個共價鍵，與此同時消失一個「電子-空穴」對，這一相反過程稱為復合。
在一定溫度條件下，產生的「電子—空穴對」和復合的「電子—空穴對」數量相等時，形成相對平衡，這種相對平衡屬於動態平衡，達到動態平衡時，「電子-空穴對」維持一定的數目。
可見，在半導體中存在著自由電子和空穴兩種載流子，而金屬導體中只有自由電子一種載流子，這也是半導體與導體導電方式的不同之處。http://ic.big-bit.com/

10. 半導體導電的基本特性是什麼

答:純凈的半導體材料在絕對零度(一273℃)時，其內部沒有載流子可供導電，此時的半版導體與絕緣體非常權相似。但是，隨著外加條件的改變(如環境溫度、光照增強、摻雜等)，半導體中就會出現載流子，從而具有一定的導電能力。其導電特性如下:

(1)熱敏特性:隨著環境溫度的升高，半導體的電阻率下降，導電能力增強.

(2)光敏特性:有些半導體材料(硫化銅)受到光照時，電阻率明顯下降，導電能力變得很強;無光照時，又變得像絕緣體一樣不導電，利用這一特性可製成各種光敏器件.

(3)摻雜特性:在純凈的半導體中摻入某種合適的微量雜質元素，就能增加半導體中載流子的濃度，從而可以增強半導體的導電能力。
(4)其他敏感特性:有些半導體材料具有壓敏、磁敏、濕敏、嗅敏、氣敏等特性，還有些半導體材料，它們的上述某些特性還能逆轉。