在雜質半導體中多子的數量與什麼有關

1. 在雜質半導體中,多數截流子的濃度主要取決於 而少數截流子的濃度則與（ ）有很大關系

在雜質半導體中,多數截流子的濃度主要取決於摻入的施主濃度或者受主濃度；在全內電離時,多數截流子濃度≈容摻雜濃度,並且基本上與溫度無關.
而少數截流子的濃度則與（溫度）有很大關系（因為是本徵激發的關系）.

2. 填空；在雜質半導體中，多數載流子的濃度取決於（），而少數載流子的濃度則與本徵激法有很大關系。 雙極

雜質電離，PNP，NPN，電子，空穴

3. 在雜質半導體中，多數截流子的濃度主要取決於

在雜質半導體中，多數截流子的濃度主要取決於摻入的施主濃度或者受主濃度內；在全電離時，多數截流子濃容度≈摻雜濃度，並且基本上與溫度無關。
而少數截流子的濃度則與（溫度）有很大關系（因為是本徵激發的關系）。

詳見「http://blog.163.com/xmx028@126/」中的有關說明。

4. 雜質半導體的多子濃度取決於

首先明確，摻雜何種雜質、雜質的電離情況、溫度及濃度。比如單一專摻雜，Si中摻雜P，其電離能為0.044，一屬般室溫下就能全部電離，呈現N型，載流子濃度可認為雜質濃度。但是非單一摻雜，比如摻雜P和B，分別為施主雜質和受主雜質，兩者先要進行補償，載流子濃度就等於兩者濃度差值。如果雜質濃度過高，無法全部電離。雜質的能級較深，也無法全部電離。

5. 摻雜雜質半導體中影響多數和少數載流子數量的最主要原因是什麼急！！！！

主要原因是雜質在禁帶里占的位置和雜質濃度。

6. 雜質半導體中,多數載流子和少數載流子的濃度由什麼決定和溫度有什麼關系

多數載流子是少數載流子的雜質濃度是一個共同決定的本徵載流子濃度和雜質濃度

7. 在摻雜半導體中,多子的濃度主要取決於

D A

8. 在雜質半導體中，溫度變化時，載流子的數目變化嗎少子與多子變化的數目相同嗎

變。溫度抄升高，剛開始由雜質能級電離，多子少子濃度變化不同，此時多子來自雜質及本徵激發，而少子來自本徵激發。溫度再升高，致使雜質全部電離後，半導體處於飽和區。溫度繼續升高，這時載流子將由本徵激發為主，到一定程度，電子空穴濃度會趨於相等。之後的本徵激發變化相同。

9. 在雜質半導體中,多子與少子的濃度變化相同

載流子生成的本質原因是電子脫離原子核束縛，電子之所以能脫離束縛是因為熱激發，因此，溫度變化，載流子數目也會變化，這和宏觀上半導體導電能力隨溫度變化相符合。少子與多子變化數目是不同的。

10. 問個半導體多子少子的問題

多子主要是靠半導體本身特性決定，即主要靠參雜濃度決定。溫度升高雖然會使多回子掙脫原子束縛，但多子數答量已經很多了，這一點脫離對多子數目影響不大
少子顧名思義，在半導體中不佔主導地位，那麼參雜濃度對其影響就不大了，而溫度的上升卻可以使更多的少子脫離原子的束縛，因而少子數量主要由溫度決定