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為什麼要分n型p型半導體

發布時間: 2021-03-14 22:45:31

A. 為什麼要叫N/P型半導體

半導體之所以被稱之為「半導體」,其原因很簡單,說通俗一點兒就是這種由回P型材料與N型材料 組成答的東東,其導電性能是介於 絕緣體和導體之間的一個值,因此得名為「半導體」。超導體自然其導電性能高於半導體。
其實不管一個什麼東東,其名字和人名一樣 都是代名詞。都是由發明創造它的人 為之命名。在這里,P型半導體 的P 是取英文單詞Positive(正極)的首字母;同理,N型半導體是取Negative(負極)的首字母。所以,有P型半導體、N型半導體這樣的叫法,就不奇怪了。
在模擬電子技術中,二極體就是由P型半導體和N型半導體構成,其內部(P與N的接觸面)有一個PN結, 估計你又要問為什麼 不是NP結呢? 其實PN和NP都差不多,只是遵循我們的習慣罷了。 人們常常都說正負極,而很少有人說 負正極。一樣的道理!

希望我的回答 能夠解除你的疑惑!! 樓上說得也很有道理!!

B. 半導體製冷,什麼n型p型半導體是什麼意思

半導體理論比較深奧,枯燥和抽象,你看了可能乏味,所以只能簡單告訴專你。
自然界中能導電的物屬質稱為導體,如金屬、石墨等;不能導電的物質稱為絕緣體,如玻璃、陶瓷等;處於兩者之間的物質,稱為半導體,如鍺、硅、砷化鎵等。
在純凈的硅晶體中摻入五價元素(如磷),使之取代晶格中硅原子的位置,形成主要靠自由電子導電的是N型半導體。
在純凈的硅晶體中摻入三價元素(如硼),使之取代硅晶格中硅原子的位置,就形成了主要靠空穴導電的是P型半導體。

C. 為什麼要叫N/P型半導體

半導體之所抄以被稱之為「半導體」,其原因很簡單,說通俗一點兒就是這種由P型材料與N型材料 組成的東東,其導電性能是介於 絕緣體和導體之間的一個值,因此得名為「半導體」。超導體自然其導電性能高於半導體。
其實不管一個什麼東東,其名字和人名一樣 都是代名詞。都是由發明創造它的人 為之命名。在這里,P型半導體 的P 是取英文單詞Positive(正極)的首字母;同理,N型半導體是取Negative(負極)的首字母。所以,有P型半導體、N型半導體這樣的叫法,就不奇怪了。
在模擬電子技術中,二極體就是由P型半導體和N型半導體構成,其內部(P與N的接觸面)有一個PN結, 估計你又要問為什麼 不是NP結呢? 其實PN和NP都差不多,只是遵循我們的習慣罷了。 人們常常都說正負極,而很少有人說 負正極。一樣的道理!

希望我的回答 能夠解除你的疑惑!! 樓上說得也很有道理!!

D. 什麼是p型半導體,n型半導體,p

【n型半導體】「n」表示負電的意思,在這類半導體中,參與導電的主要是帶負電的電子,這些電子來自半導體中的「施主」雜質。所謂施主雜質就是摻入雜質能夠提供導電電子而改變半導體的導電性能。例如,半導體鍺和硅中的五價元素砷、銻、磷等原子都是施主雜質。如果在某一半導體的雜質總量中,施主雜質的數量佔多數,則這種半導體就是n型半導體。如果在硅單晶中摻入五價元素砷、磷。則在硅原子和砷、磷原子組成共價鍵之後,磷外層的五個電子中,四個電子組成共價鍵,多出的一個電子受原子核束縛很小,因此很容易成為自由電子。所以這種半導體中,電子載流子的數目很多,主要kao電子導電,叫做電子半導體,簡稱n型半導體。 【p型半導體】「p」表示正電的意思。在這種半導體中,參與導電的主要是帶正電的空穴,這些空穴來自於半導體中的「受主」雜質。所謂受主雜質就是摻入雜質能夠接受半導體中的價電子,產生同數量的空穴,從而改變了半導體的導電性能。例如,半導體鍺和硅中的三價元素硼、銦、鎵等原子都是受主。如果某一半導體的雜質總量中,受主雜質的數量佔多數,則這半導體是p型半導體。如果在單晶硅上摻入三價硼原子,則硼原子與硅原子組成共價鍵。由於硼原子數目比硅原子要少很多,因此整個晶體結構基本不變,只是某些位置上的硅原子被硼原子所代替。硼是三價元素,外層只有三個價電子,所以當它與硅原子組成共價鍵時,就自然形成了一個空穴。這樣,摻入的硼雜質的每一個原子都可能提供一個空穴,從而使硅單晶中空穴載流子的數目大大增加。這種半導體內幾乎沒有自由電子,主要kao空穴導電,所以叫做空穴半導體,簡稱p型半導體。 【p-n結】在一塊半導體中,摻入施主雜質,使其中一部分成為n型半導體。其餘部分摻入受主雜質而成為p型半導體,當p型半導體和n型半導體這兩個區域共處一體時,這兩個區域之間的交界層就是p-n結。p-n結很薄,結中電子和和空穴都很少,但在kao近n型一邊有帶正電荷的離子,kao近p型一邊有帶負電荷的離子。這是因為,在p型區中空穴的濃度大,在n型區中電子的濃度大,所以把它們結合在一起時,在它們交界的地方便要發生電子和空穴的擴散運動。由於p區有大量可以移動的空穴,n區幾乎沒有空穴,空穴就要由p區向n區擴散。同樣n區有大量的自由電子,p區幾乎沒有電子,所以電子就要由n區向p區擴散。隨著擴散的進行,p區空穴減少,出現了一層帶負電的粒子區;n區電子減少,出現了一層帶正電的粒子區。結果在p-n結的邊界附近形成了一個空間電荷區,p型區一邊帶負電荷的離子,n型區一邊帶正電荷的離子,因而在結中形成了很強的局部電場,方向由n區指向p區。當結上加正向電壓(即p區加電源正極,n區加電源負極)時,這電場減弱,n區中的電子和p區中的空穴都容易通過,因而電流較大;當外加電壓相反時,則這電場增強,只有原n區中的少數空穴和p區中的少數電子能夠通過,因而電流很小。因此p-n結具有整流作用。當具有p-n結的半導體受到光照時,其中電子和空穴的數目增多,在結的局部電場作用下,p區的電子移到n區,n區的空穴移到p區,這樣在結的兩端就有電荷積累,形成電勢差。這現象稱為p-n結的光生伏特效應。由於這些特性,用p-n結可製成半導體二極體和光電池等器件。如果在p-n結上加以反向電壓(n區加在電源正極,p區加在電源負極),電壓在一定范圍內,p-n結幾乎不通過電流,但當加在p-n結上的反向電壓越過某一數值時,發生電流突然增大的現象。這時p-n結被擊穿。p-n結被擊穿後便失去其單向導電的性能,但結並不一定損壞,此時將反向電壓降低,它的性能還可以恢復。根據其內在的物理過程,p-n結擊穿可分為雪崩擊穿和隧道擊穿兩種。

E. p型半導體和n型半導體的區別 怎樣形成的

如果雜質是周期表中第Ⅲ族中的一種元素,例如硼或銦,它們的價電子帶都只有三專個電子屬,並且它們傳導帶的最小能級低於第Ⅳ族元素的傳導電子能級。因此電子能夠更容易地由鍺或硅的價電子帶躍遷到硼或銦的傳導帶。在這個過程中,由於失去了電子而產生了一個正離子,因為這對於其它電子而言是個「空位」,所以通常把它叫做「空穴」,而這種材料被稱為「P」型半導體。在這樣的材料中傳導主要是由帶正電的空穴引起的,因而在這種情況下電子是「少數載流子」。

如果摻入的雜質是周期表第V族中的某種元素,例如砷或銻,這些元素的價電子帶都有五個電子,然而,雜質元素價電子的最大能級大於鍺(或硅)的最大能級,因此電子很容易從這個能級進入第Ⅳ族元素的傳導帶。這些材料就變成了半導體。因為傳導性是由於有多餘的負離子引起的,所以稱為「N」型半導體。也有些材料的傳導性是由於材料中有多餘的正離子,但主要還是由於有大量的電子引起的,因而(在N型材料中)電子被稱為「多數載流子」。

F. N型半導體和P型半導體通過工藝做成PN結就是二級管。二極體只有一個PN結,為什麼二極體型號要分N型

二極體的製造工藝並不是想像中的簡單的把P型半導體盒N型半導體結合在一起。或者說,版二極體中的權P型半導體和N型半導體是不對稱的。有下面兩種情況,這兩種情況得到的二極體就分別對應N型和P型二極體在一片P型硅半導體晶片表面,通過擴散或者離子注入的手段,在一個小區域內形成一小塊高濃度的N區,這樣得到的是N型的在一片N型硅半導體晶片表面,通過擴散或者離子注入的手段,在一個小區域內形成一小塊高濃度的P區,這樣得到的是P型的如下圖 如果還不清楚,請與我私聊

G. P型半導體和N型半導體是怎麼得來的

先介紹本真半導體

本真半導體就是純凈的硅或者鍺形成的半導體,但是這類半導體沒多大用,因為其載流子濃度低,導電能力很差(其導電能力其實是由電子-空穴對表現出來的,電子離開原來的位置後,原來的位置就成為了空穴),於是人們就想出了參雜。

如果往硅裡面參雜3價元素硼,那麼可以得到P型半導體,這是為什麼呢?

記住參雜的是原子,整塊材料是電中性的。當參雜磷原子進去時,磷是元素周期表中15號元素,外圍5個電子,而硅外圍4個電子,但是磷只能和硅形成4個共價鍵。這就導致了還剩一個磷的電子落單,它很不穩定,動不動就離家出走,留下空穴。每參雜一個磷原子,便會有一個單身磷電子(對,就是這么可憐),所以整塊材料中電子成為多數,空穴成為少數(空穴只在電子離家出走的時候形成),電子為多數載流子就叫N(negetive)型半導體.

反之,你可以類比P(positive )型半導體.

H. 半導體的類型-N型、P型是怎樣定義和區別的

下面,我們將採用對比分析的方法來認識P型半導體和N型半導體。

P型半導體也稱為空穴型半導體。P型半導體即空穴濃度遠大於自由電子濃度的雜質半導體。在純凈的硅晶體中摻入三價元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位子,就形成P型半導體。在P型半導體中,空穴為多子,自由電子為少子,主要靠空穴導電。空穴主要由雜質原子提供,自由電子由熱激發形成。摻入的雜質越多,多子(空穴)的濃度就越高,導電性能就越強。

N型半導體也稱為電子型半導體。N型半導體即自由電子濃度遠大於空穴濃度的雜質半導體。在純凈的硅晶體中摻入五價元素(如磷),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了N型半導體。在N型半導體中,自由電子為多子,空穴為少子,主要靠自由電子導電。自由電子主要由雜質原子提供,空穴由熱激發形成。摻入的雜質越多,多子(自由電子)的濃度就越高,導電性能就越強。

(8)為什麼要分n型p型半導體擴展閱讀

半導體( semiconctor),指常溫下導電性能介於導體(conctor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導體在收音機、電視機以及測溫上有著廣泛的應用。如二極體就是採用半導體製作的器件。半導體是指一種導電性可受控制,范圍可從絕緣體至導體之間的材料。無論從科技或是經濟發展的角度來看,半導體的重要性都是非常巨大的。今日大部分的電子產品,如計算機、行動電話或是數字錄音機當中的核心單元都和半導體有著極為密切的關連。常見的半導體材料有硅、鍺、砷化鎵等,而硅更是各種半導體材料中,在商業應用上最具有影響力的一種。

以GaN(氮化鎵)為代表的第三代半導體材料及器件的開發是新興半導體產業的核心和基礎,其研究開發呈現出日新月異的發展勢態。GaN基光電器件中,藍色發光二極體LED率先實現商品化生產 成功開發藍光LED和LD之後,科研方向轉移到GaN紫外光探測器上 GaN材料在微波功率方面也有相當大的應用市場。氮化鎵半導體開關被譽為半導體晶元設計上一個新的里程碑。美國佛羅里達大學的科學家已經開發出一種可用於製造新型電子開關的重要器件,這種電子開關可以提供平穩、無間斷電源。

參考資料

半導體-網路

I. 半導體材料N 型與P型的區別

任何半導體器件里都能找到n型或者p型半導體,這些器件都是由pn結構成的,你說的這個應該指器件是n型或者p型吧?比如mosfet分nmosfet和pmosfet
。n型器件和p型器件應用區別在於他們的電流流向不同

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