半導體調整到什麼時候

㈠ 半導體接受信號頻率統調方法

半導體收音機接受信號頻率統調方法：
1-首先使用465中頻發生器校準中周。在沒有調亂、中內周油漆封未動則直接調如容下：
2-低端調整：低端接近535千赫收到電台、使用無感起子調節（撥動）中波磁性天線線圈位置使所收電台聲音最大。
3-高端調整：高端接近1605千赫收到電台、使用無感起子調節『雙聯』天線端並聯在雙聯的『點墊整電容器』（即半可變電容）使所收電台聲音最大。

㈡ 半導體三極體什麼時候處於放大狀態

三極體的作用就是放大信號的，所以，放大狀態應該是常態，最常用的狀態。版
而三極權管的另一個作用是相當於開關，特別是在數據電路中，三極體就工作在開關狀態。
而開關狀態就是飽和，截止這兩種，要結合應用，只是一種就沒有什麼用了。
飽和導通就是開關打開，而截止就是開關閉合了。

㈢ 半導體什麼時候能漲

半導體目前為止還沒有好的消息了，等到好的消息之後，半導體的股票就會慢慢的增長了。

㈣ 金杯海獅半導體時間怎麼調

親，您好！收放機上有個MODE按鍵，長按此按鍵進入時間模式，再旋轉旋鈕就可以調節時間了！希望我的回答能幫到您，還請您能設為最佳答案！謝謝！

㈤ 半導體歷史發展有哪些

半導體的發現實際上可以追溯到很久以前。

1833年，英國科學家電子學之父法拉第最先發現硫化銀的電阻隨著溫度的變化情況不同於一般金屬，一般情況下，金屬的電阻隨溫度升高而增加，但巴拉迪發現硫化銀材料的電阻是隨著溫度的上升而降低。這是半導體現象的首次發現。

不久，1839年法國的貝克萊爾發現半導體和電解質接觸形成的結，在光照下會產生一個電壓，這就是後來人們熟知的光生伏特效應，這是被發現的半導體的第二個特徵。

1873年，英國的史密斯發現硒晶體材料在光照下電導增加的光電導效應，這是半導體又一個特有的性質。

半導體的這四個效應，(jianxia霍爾效應的余績──四個伴生效應的發現)雖在1880年以前就先後被發現了，但半導體這個名詞大概到1911年才被考尼白格和維斯首次使用。而總結出半導體的這四個特性一直到1947年12月才由貝爾實驗室完成。

在1874年，德國的布勞恩觀察到某些硫化物的電導與所加電場的方向有關，即它的導電有方向性，在它兩端加一個正向電壓，它是導通的；如果把電壓極性反過來，它就不導電，這就是半導體的整流效應，也是半導體所特有的第三種特性。同年，舒斯特又發現了銅與氧化銅的整流效應。

(5)半導體調整到什麼時候擴展閱讀：

人物貢獻:

1、英國科學家法拉第(MIChael Faraday，1791~1867)

在電磁學方面擁有許多貢獻，但較不為人所知的，則是他在1833年發現的其中一種半導體材料。

硫化銀，因為它的電阻隨著溫度上升而降低，當時只覺得這件事有些奇特，並沒有激起太大的火花；

然而，今天我們已經知道，隨著溫度的提升，晶格震動越厲害，使得電阻增加，但對半導體而言，溫度上升使自由載子的濃度增加，反而有助於導電，這也是半導體一個非常重要的物理性質。

2、德國的布勞恩(Ferdinand Braun，1850~1918)。

注意到硫化物的電導率與所加電壓的方向有關，這就是半導體的整流作用。

但直到1906年，美國電機發明家匹卡(G. W. PICkard，1877~1956)，才發明了第一個固態電子元件：無線電波偵測器(cat』s whisker)，它使用金屬與硅或硫化鉛相接觸所產生的整流功能，來偵測無線電波。

在整流理論方面，德國的蕭特基(Walter Schottky，1886~1976)在1939年，於「德國物理學報」發表了一篇有關整流理論的重要論文，做了許多推論，他認為金屬與半導體間有能障(potential barrier)的存在，其主要貢獻就在於精確計算出這個能障的形狀與寬度。

3、布洛赫(Felix BLOCh，1905~1983)

在這方面做出了重要的貢獻，其定理是將電子波函數加上了周期性的項，首開能帶理論的先河。

另一方面，德國人佩爾斯(Rudolf Peierls， 1907~ ) 於1929年，則指出一個幾乎完全填滿的能帶，其電特性可以用一些帶正電的電荷來解釋，這就是電洞概念的濫觴；

他後來提出的微擾理論，解釋了能隙(Energy gap)存在。

㈥ 半導體的發展歷程

1947年，美國貝爾實驗室發明了半導體點接觸式晶體管，從而開創了人類的硅文明時代。
1956年，我國提出「向科學進軍」，根據國外發展電子器件的進程，提出了中國也要研究半導體科學，把半導體技術列為國家四大緊急措施之一。中國科學院應用物理所首先舉辦了半導體器件短期培訓班。請回國的半導體專家黃昆、吳錫九、黃敞、林蘭英、王守武、成眾志等講授半導體理論、晶體管製造技術和半導體線路。在五所大學――北京大學、復旦大學、吉林大學、廈門大學和南京大學聯合在北京大學開辦了半導體物理專業，共同培養第一批半導體人才。培養出了第一批著名的教授：北京大學的黃昆、復旦大學的謝希德、吉林大學的高鼎三。1957年畢業的第一批研究生中有中國科學院院士王陽元（北京大學微電子所所長）、工程院院士許居衍（華晶集團中央研究院院長）和電子工業部總工程師俞忠鈺（北方華虹設計公司董事長）。
1957年，北京電子管廠通過還原氧化鍺，拉出了鍺單晶。中國科學院應用物理研究所和二機部十局第十一所開發鍺晶體管。當年，中國相繼研製出鍺點接觸二極體和三極體（即晶體管）。
1958年，美國德州儀器公司和仙童公司各自研製發明了半導體集成電路（IC）之後，發展極為迅猛，從SSI（小規模集成電路）起步，經過MSI（中規模集成電路），發展到LSI（大規模集成電路），然後發展到現在的VLSI（超大規模集成電路）及最近的ULSI（特大規模集成電路），甚至發展到將來的GSI（甚大規模集成電路），屆時單片集成電路集成度將超過10億個元件。
1959年，天津拉制出硅（Si）單晶。
1960年，中科院在北京建立半導體研究所，同年在河北建立工業性專業化研究所――第十三所（河北半導體研究所）。
1962年，天津拉制出砷化鎵單晶（GaAs），為研究制備其他化合物半導體打下了基礎。
1962年，我國研究製成硅外延工藝，並開始研究採用照相製版，光刻工藝。
1963年，河北省半導體研究所製成硅平面型晶體管。
1964年，河北省半導體研究所研製出硅外延平面型晶體管。
1965年12月，河北半導體研究所召開鑒定會，鑒定了第一批半導體管，並在國內首先鑒定了DTL型（二極體――晶體管邏輯）數字邏輯電路。1966年底，在工廠范圍內上海元件五廠鑒定了TTL電路產品。這些小規模雙極型數字集成電路主要以與非門為主，還有與非驅動器、與門、或非門、或門、以及與或非電路等。標志著中國已經製成了自己的小規模集成電路。
1968年，組建國營東光電工廠（878廠）、上海無線電十九廠，至1970年建成投產，形成中國IC產業中的「兩霸」。
1968年，上海無線電十四廠首家製成PMOS（P型金屬－氧化物半導體）電路（MOSIC）。拉開了我國發展MOS電路的序幕，並在七十年代初，永川半導體研究所（現電子第24所）、上無十四廠和北京878廠相繼研製成功NMOS電路。之後，又研製成CMOS電路。
七十年代初，IC價高利厚，需求巨大，引起了全國建設IC生產企業的熱潮，共有四十多家集成電路工廠建成，四機部所屬廠有749廠（永紅器材廠）、871（天光集成電路廠）、878（東光電工廠）、4433廠（風光電工廠）和4435廠（韶光電工廠）等。各省市所建廠主要有：上海元件五廠、上無七廠、上無十四廠、上無十九廠、蘇州半導體廠、常州半導體廠、北京半導體器件二廠、三廠、五廠、六廠、天津半導體（一）廠、航天部西安691廠等等。
1972年，中國第一塊PMOS型LSI電路在四川永川半導體研究所研製成功。

㈦ 半導體在什麼時期開始使用

半導體的發現實際抄上可以追溯襲到很久以前。
1833年，英國科學家電子學之父法拉第最先發現硫化銀的電阻隨著溫度的變化情況不同於一般金屬，一般情況下，金屬的電阻隨溫度升高而增加，但巴拉迪發現硫化銀材料的電阻是隨著溫度的上升而降低。這是半導體現象的首次發現。
不久，1839年法國的貝克萊爾發現半導體和電解質接觸形成的結，在光照下會產生一個電壓，這就是後來人們熟知的光生伏特效應，這是被發現的半導體的第二個特徵。
1873年，英國的史密斯發現硒晶體材料在光照下電導增加的光電導效應，這是半導體又一個特有的性質。半導體的這四個效應，(jianxia霍爾效應的余績──四個伴生效應的發現)雖在1880年以前就先後被發現了，但半導體這個名詞大概到1911年才被考尼白格和維斯首次使用。而總結出半導體的這四個特性一直到1947年12月才由貝爾實驗室完成。
在1874年，德國的布勞恩觀察到某些硫化物的電導與所加電場的方向有關，即它的導電有方向性，在它兩端加一個正向電壓，它是導通的；如果把電壓極性反過來，它就不導電，這就是半導體的整流效應，也是半導體所特有的第三種特性。同年，舒斯特又發現了銅與氧化銅的整流效應。

㈧ 金融危機會持續到什麼時候(相對與半導體來說),請相關專家分析一下,.

「幼稚階段」遭遇金融危機 中國半導體三問前路

11月7日，立冬。國內某晶元設計公司副總裁馮明(化名)將自己的MSN簽名改成了「IC的冬天」。

往年的這個時候，馮明和他所在的公司正在為大洋彼岸的聖誕采購旺季而奔忙。然而，今年無論是馮明所在公司、下遊客戶，還是同行，都不約而同地收回了「拳頭」，按緊荷包——整個半導體產業彌漫著一股濃重的悲觀情緒。

隨著全球科技業巨頭新鮮出爐的三季度財報及其對未來的預測，這股「冬天的寒意」更是從大洋彼岸一路延伸至中國。先是幾家國內知名半導體設計公司傳出大幅裁員或倒閉消息；繼而是半導體代工企業紛紛調整產品及資本策略，積極進行自救；緊接著又傳出耗資50億美金的蘇州12英寸項目緩建的消息。

來自中國半導體行業協會的數據顯示，今年上半年，無論半導體上游設計、中游製造，還是下游封裝測試，都不同程度地受到了影響，具體表現在產業增速大幅回落，企業經營環境向壞、整體盈利水平下滑。

半導體產業的整體下滑，難逃宏觀經濟衰退的負面影響。然而，同樣面對經濟衰退，中國台灣地區半導體產業卻展現出較強的抗風險能力。對照之下，不禁讓人反思：作為戰略性產業的半導體為何發展了近20年卻仍停留在「幼稚階段」？拋開宏觀環境因素的影響，中國半導體產業的「體虛症」是否存在自身結構性問題？展望未來，經濟危機的到來能否成為國內半導體產業加速發展超越自我的一個契機？

半導體「很受傷」

盡管全球半導體工業此前曾經歷過數次不景氣周期，但真正意義上的全球危機還是第一次。半導體產業表面上是作為一個高科技產業而存在，但如今其與全球經濟的發展已經緊密相關。經濟不景氣意味著需求的大幅下降，這將導致終端產品供過於求並形成大量庫存，對上游整體半導體工業造成巨大影響。

今年9月，中國半導體行業協會秘書長徐小田在接受媒體采訪時用「尚處於幼稚階段」來形容當前我國半導體產業發展現狀。這種「幼稚」主要體現在產業規模小、競爭力差，仍未掌握核心技術，尚未出現綜合實力強大的國際知名品牌，以及產業發展環境沒有得到改善四個方面。

以產業規模為例，2007年我國集成電路產業1251.3億元的總體規模，剛剛接近英特爾(博客)一家企業當年銷售收入的一半。目前我國有500家IC設計企業，其中50%左右仍然處於孵化期。

正是基於這一現狀，國內半導體產業抵禦風險和市場波動能力差，所以當全球經濟衰退大浪襲來時，半導體業成為受影響最大的一個科技產業。

自年初開始，有關於半導體產業的「負面」消息就不絕於耳。在晶元設計環節，TD核心晶元商凱明、CMMB晶元供應商安凡微電子相繼倒閉，數字電視晶元商清華凌訊大幅裁員，TD射頻晶元商鼎芯以及多媒體處理晶元智多微電子、傑得先後陷入資金困局。而在近期，訊芯又曝出拖欠員工工資事件。

在製造環節，盡管地方政府投資建線的熱情依然很高，但「雷聲大」，實質性動作少。最關鍵的是，隨著全球市場進入不景氣周期，市場風險已經不斷累積。由於國際市場DRAM價格大跌，國內最大晶元代工廠中芯國際不得不進行工藝結構調整，工藝變更不僅帶來了財務損失還帶來了市場難題。最新消息顯示，目前中芯國際的北京12英寸廠開工率不足，其已停止擴產計劃。

同樣由於市場原因，爾必達日前也宣布其耗資50億美金的蘇州12英寸建設項目延期執行。其餘代工廠同樣面臨工藝升級、成本上升等問題。

在封裝測試方面，今年以來，外商獨資企業表現不理想，銷售業績下降，內資企業生產狀況平穩，封裝產量在增加，但利潤卻在下降。

來自中國半導體產業協會(CSIA)的數據顯示，2008年上半年我國集成電路全行業增速明顯放緩，同比增長10.4%，遠低於去年上半年30.5%的增速。從集成電路設計、製造、封裝三業的情況看，設計業降幅最為明顯。

反思抗風險能力

經濟危機對全球半導體工業造成了巨大影響，然而同樣面對危機，不同地區產業卻呈現出了不同的抗風險能力。

記者近日在采訪台灣地區相關半導體企業時了解到，盡管它們對來年的經濟產業走勢表達了悲觀的論調，但不少企業都有一套較為成熟的應對危機的策略，除了大規模縮減成本，各種技術及資本層面的結盟動作頻出，不少企業仍然保留和延續了對先進工藝的研發投入。這顯示出了台灣地區半導體工業應對經濟危機和市場波動較強的抗風險能力和靈活性。

「中國半導體產業起步較晚，目前現狀也是一個必經的階段。」在11月6日召開的一次半導體沙龍活動上，業內資深專家莫大康認為。

他同時認為，回顧國內半導體發展歷程，其中存在的一些問題，值得大家深思和反省。

從1990年中國第一次准備發展半導體工業的「908」工程開始，國內半導體產業發展已經走過近20年歷程，與之相較，台灣半導體標志性企業、全球最大半導體代工廠台積電成立也不過21年。這期間固然有西方國家對中國發展半導體業的技術輸出限制和阻礙，但發展緩慢的主因還在於國內產業發展的方式和方法上出現了問題。

與會產業專家普遍認為，目前半導體產業發展步履維艱的主要問題有二：第一，國家有關部門支持政策存在不到位和執行不力的情況；第二，地方政府在半導體製造投資上「沖動」，並造成資源分散的情況。

作為戰略性產業，發展半導體工業耗資巨大，全球主要半導體工業地區的發展都得到了政府的支持。美國的《半導體製造技術聯盟發展計劃》、韓國的《半導體信息技術開發方向的投資計劃》以及我國台灣地區的「兩兆雙星」計劃都是政策扶持半導體產業的實例。

中國支持半導體產業發展的「18號文」始於20世紀初，過去七八年間，全球半導體產業發生了深刻變化，然而「18號文」卻未做出任何調整，導致企業在增值稅、出口退稅、人才招募、融資等方面無法享受優惠。

另一方面，既有的優惠政策缺乏具體執行操作細節，導致政策落實不到位，對起步中的半導體企業造成一定負面影響。

而在這一情況下，由於看到半導體工業的巨大影響力，急於進行產業升級的各級地方政府開始對發展資金密集、技術密集的半導體製造投入巨大熱情。但當地方政府成為產業發展的主要推動力時，問題便開始出現。

首先，由於地方政府對產業理解能力的限制，很難對項目的市場及風險進行科學評估，這就導致不少項目匆匆上馬中途卻因各種原因而擱置，造成了資源的巨大浪費。

其次，當地方政府成為項目的主要投資者時，地方政府之間的競爭使得半導體項目很難在產業層面進行深度合作、合並或整合。而根據全球半導體產業的發展經驗，半導體產業要想做大，必須依靠「規模效應」和「集聚效應」。當大量半導體公司分散在各地時，這種效應很難形成，因此從整體上拖累和弱化了國內半導體產業的實力。

「由於不同地區政策發展環境和執行政策的差異，對集成電路企業的整體發展帶來困惑。」徐小田說，投資分散也是國內半導體產業無法壯大的一個主要原因。

「合適的時間做正確的事」

有業內人士認為，當全球產業都進入調整和緊縮狀態的時候，無論是對國家有關部門決策者還是對企業的高管人員來說，這或許都是重新審視自己的一個好機會。

目前的當務之急是，當國內半導體產業面臨生死存亡的時刻，有關部門有必要重新對以下幾個問題做出思考和明確回答：一、中國是不是必須要發展半導體工業？(並非每個國家都要擁有自己的半導體產業，比如歐洲國家)；二、是否將半導體產業視為戰略性產業而加以扶持？三、一旦確立半導體工業戰略產業的地位，政府應該怎樣出台政策對其進行扶持並且保證政策的有效落實？

「我認為政府需要制定明確並且可操作的國家戰略規劃。」一位不願透露姓名的半導體業內人士說，要對資金、優惠政策、人才等資源方面進行有效的集中。

而對於企業來說，在困難中尋找希望謀求改變是唯一的出路。「經濟危機確實對產業造成了很大影響。」莫大康說。

中國工程院院士倪光南(博客)認為，企業必須正視，經濟危機到來，財務狀況不佳，產品相對單一、競爭力不足的公司將被淘汰，低端市場變得競爭異常激烈，產品性能提升速度減慢；另一方面，由於大量新產品停留在研發階段，研發的附加值不斷增加，所以企業仍需對新技術和產品進行積極有效的研發，唯有此待經濟復甦之後企業的產品或市場才能獲得一個比較大的快速增長。

台積電執行長蔡力行在接受記者采訪時表示，前期政府的投資固然重要，不過一味依賴政府補助的企業也不會有前途。半導體企業首先必須要記住這是一個全球性產業，做好面向全球競爭的准備；其次，一定要有不是只想賺錢的真正的人才；另外，還要「學會在合適的時間做正確的事情」。

以上為他人觀點，僅供參考。

希望對您有幫助。