怎麼提高半導體的導電能力

⑴ 以硅為例，談談怎麼控制半導體導電性能

半導體：金屬導電性能好，非金屬導電性能一般來說比較差．有一些元素，例如硅、鍺，導電性能介於金屬和非金屬之間，比金屬差，比非金屬強，常常稱做半導體．除了導電性能外，半導體還有許多其他特性，例如溫度、光照、雜質等外界因素都對它的性能有很大影響．自動照相機能夠根據光的強弱自動調整曝光量，所用的感光元件就是一個光敏電阻．光敏電阻是用半導體材料製成的．
有一些元素，例如硅、鍺，常常稱做半導體．
導電性能介於金屬和非金屬之間，比金屬差，比非金屬強．
①有的半導體，在受到壓力後電阻會發生較大的變化，電阻由大到小；
②有的半導體，在受熱後電阻隨溫度的升高而迅速減小；
③有的半導體，在光照下電阻大大減小，如光敏電阻，沒有光照時，光敏電阻就像絕緣體那樣不容易導電，有光照時，光敏電阻又像導體那樣導電．因此光敏電阻廣泛應用到需要對光照反應靈敏的許多自動控制設備中，如光控等裝置、照相機的自動調整曝光裝置等．http://mag.big-bit.com/news/list-417.html

⑵ 半導體的導電能力隨溫度升高而

熱敏性。熱敏性拼音： [rè mǐn xìng] 基本解釋： 當外界溫度升高時，半導體導電能力增加，當外界溫度降低時，半導體導電能力降低。半導體的這種特性叫熱敏性。半導體是導電能力介於導體和絕緣體之間的物質.它的重要特性表現在以下幾個方面：熱敏性半導體材料的電阻率與溫度有密切的關系。溫度升高，半導體的電阻率會明顯變小。例如純鍺（Ge），溫度每升高10度，其電阻率就會減少到原來的一半。光電特性很多半導體材料對光十分敏感。無光照時，不易導電；受到光照時，就變的容易導電了。例如，常用的硫化鎘半導體光敏電阻，在無光照時電阻高達幾十兆歐，受到光照時電阻會減小到幾十千歐。半導體受光照後電阻明顯變小的現象稱為「光導電」。利用光導電特性製作的光電器件還有光電二極體和光電三極體等。近年來廣泛使用著一種半導體發光器件--發光二極體，它通過電流時能夠發光，把電能直接轉成光能。目前已製作出發黃，綠，紅，藍幾色的發光二極體，以及發出不可見光紅外線的發光二極體。另一種常見的光電轉換器件是硅光電池，它可以把光能直接轉換成電能，是一種方便的而清潔的能源。 攙雜特性純凈的半導體材料電阻率很高，但摻入極微量的「雜質」元素後，其導電能力會發生極為顯著的變化。例如，純硅的電阻率為214×1000歐姆/厘米，若摻入百萬分之一的硼元素，電阻率就會減小到0.4歐姆/厘米。因此，人們可以給半導體摻入微量的某種特定的雜質元素，精確控制它的導電能力，用以製作各種各樣的半導體器件。

⑶ 半導體的導電性能與哪些因素有關

半導體
導電性能介於導體與絕緣體之間的材料,叫做半導體．
例如：鍺、硅版、砷化鎵等．權
半導體在科學技術,工農業生產和生活中有著廣泛的應用．（例如：電視、半導體收音機、電子計算機等）
半導體的一些電學特性
①壓敏性：有的半導體在受到壓力後電阻發生較大的變化．
用途：製成壓敏元件,接入電路,測出電流變化,以確定壓力的變化．
②熱敏性：有的半導體在受熱後電阻隨溫度升高而迅速減小．
用途：製成熱敏電阻,用來測量很小范圍內的溫度變化．
③光敏性,有的半導體在光照下電阻大為減小．
用途：製成光敏電阻,用於對光照反映靈敏的自動控制設備中．

⑷ 半導體的導電性能如何改變

純凈半導體4價元素參雜質,參3價的是p型半導體,參5價元素為N型半導體,合在一起的接觸面就形成PN結 另外正溫度系數的半導體溫度增高導體增強,負溫度系數的半導體溫度增高導體減弱,

⑸ 如何提高半導體材料的導電能力

導電好壞的判斷可以根據單位電場（電壓）下，電流的大小衡量。但如果說導電能力，則應該說內由其電導衡量，容由電導公式σ = nqμ + pqμ，則可看出由電子濃度和空穴濃度決定，因為材料的載流子遷移率在一定溫度和電場（電壓）下是恆定的。這樣提高材料導電能力，可通過摻雜提高載流子濃度（電子濃度和空穴濃度），常溫下硅本徵載流子濃度為10^(10)/cm-3,一般重摻雜後載流子濃度為10^18/cm-3左右（常溫下幾乎全部電離），大幅度提高了半導體的導電能力（金屬為10^22/cm-3左右）。
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⑹ 半導體是如何導電的

半導體導電原理 半導體一般是由4 價的硅或鍺為主體材料，它們的晶體結構也和金剛石一樣，每個原子由4 個價和運轉在空間等距、有序環繞，構成金剛石結構，很純的單晶硅基本不導電。

N型半導體  在純硅晶體中加了少量的磷元素後，就形成了N型半導體。5價的磷原子鑲嵌在硅晶體中，本來硅晶體的每個原子通過4個結構元相互聯接，價和速率相同，而磷的5個價電子參入硅中價和運轉，尚有一個電子無價和軌道，它雜混在其它價和軌道中，擾亂了原均勻的速率，使得整個晶體中的價和電子出現了擁擠和等待的紊亂現象，於是晶體中出現了臨時性的電子空位(臨時性空位在晶體中佔有一定概率)，外來電子可乘虛而入，晶體的導電能力增加，形成的N型半導體。

P型半導體 在硅晶體中加入少量的硼元素後，硼在價和結構中頂替了一個硅原子，因硼外層只有3個價電子，使得與硼相連的4個結構元中有一個是單電子價和運轉，於是就有了電子空位，與這個結構元相連的6個結構元外端又連著18個結構元，這樣電子空位呈2×3 擴展，所以該晶體的導電能力也呈幾何級數增加。電子空位擴展之後空位出現的時間越來越短，也就不成其為空位了。
以上論述說明，不管是N型還是P型半導體，其導電能力都是由電子空位提供的。電子空位則是由晶體中雜質分布引起價和電子紊亂運行所致，所出現的電子空位是瞬時的、隨機的。這也導致了半導體的"測不準"及溫升，熱敏等諸多物理性質。
晶體管的PN結的實質是疏通或堵塞電子空位。

二極體 把N 型和P 型半導體材料緊密結合起來，兩端連上導線，就形成了半導體二極體。二極體最關鍵的部位在兩種材料的結合處，人們稱之為P N 結。
由於N 型半導體是5 價的磷鑲嵌在以4 價為主體硅晶體中，有多出的電子。而在P 型半導體中是3 價的硼在以硅為主體的結構元連接中，頂替了一個硅原子的位置，在整體上有缺少電子的趨勢。把這兩種晶體緊密結合：N 型半導體中多出的電子向缺少電子的P 型半導體中擴散。這樣，在結合部附近，各結構元的價和電子數正好達到平衡，（圖9-1）每個原子周圍的價和電子平穩運轉，沒有了電子的紊亂和等待，也就沒有了電子空位。這就是在不導電時的P N 結。

⑺ 是不是在純凈的半導體中加入任何雜質，它的導電能力都可以增加

一、半導體基本概念
1、半導體及其導電性能
根據物體的導電能力的不同，電工材料可分為三類：導體、半導體和絕緣體。
半導體可以定義為導電性能介於導體和絕緣體之間的電工材料，半導體的電阻率為10-3～10-9 ??cm。典型的半導體有硅Si和鍺Ge以及砷化鎵GaAs等。
半導體的導電能力在不同的條件下有很大的差別：當受外界熱和光的作用時，它的導電能力明顯變化；往純凈的半導體中摻入某些特定的雜質元素時，會使它的導電能力具有可控性，這些特殊的性質決定了半導體可以製成各種器件。 2、本徵半導體的結構及其導電性能
本徵半導體是純凈的、沒有結構缺陷的半導體單晶。製造半導體器件的半導體材料的純度要達到99.9999999%，常稱為「九個9」，它在物理結構上為共價鍵、呈單晶體形態。在熱力學溫度零度和沒有外界激發時，本徵半導體不導電。 3、半導體的本徵激發與復合現象
當導體處於熱力學溫度0 K時，導體中沒有自由電子。當溫度升高或受到光的照射時，價電子能量增高，有的價電子可以掙脫原子核的束縛而參與導電，成為自由電子。這一現象稱為本徵激發（也稱熱激發）。因熱激發而出現的自由電子和空穴是同時成對出現的，稱為電子空穴對。
游離的部分自由電子也可能回到空穴中去，稱為復合。 在一定溫度下本徵激發和復合會達到動態平衡，此時，載流子濃度一定，且自由電子數和空穴數相等。 4、半導體的導電機理
自由電子的定向運動形成了電子電流，空穴的定向運動也可形成空穴電流，因此，在半導體中有自由電子和空穴兩種承載電流的粒子（即載流子），這是半導體的特殊性質。空穴導電的實質是:相鄰原子中的價電子（共價鍵中的束縛電子）依次填補空穴而形成電流。由於電子帶負電，而電子的運動與空穴的運動方向相反，因此認為空穴帶正電。

5、雜質半導體
摻入雜質的本徵半導體稱為雜質半導體。雜質半導體是半導體器件的基本材料。在本徵半導體中摻入五價元素（如磷），就形成N型（電子型）半導體；摻入三價元素（如硼、鎵、銦等）就形成P型（空穴型）半導體。雜質半導體的導電性能與其摻雜濃度和溫度有關，摻雜濃度越大、溫度越高，其導電能力越強。
在N型半導體中，電子是多數載流子，空穴是少數載流子。
多子（自由電子）的數量＝正離子數＋少子（空穴）的

數量
在P型半導體中，空穴是多數載流子，電子是少數載流子。
多子（空穴）的數量＝負離子數＋少子（自由電子）的
數量

⑻ 當溫度升高時,半導體的導電能力將怎麼樣

隨著溫度升高，導電能力將提高，漏電電流也會增加，電阻降低。