半導體元器件怎麼接

Ⅰ 常用的電子元器件及其工作原理

電子元器件是元件和器件的總稱。
電子元件：指在工廠生產加工時不改變分子成分 的成品。如電阻器、電容器、電感器。因為它本身不產生電子，它對電壓、電流無控制和變換作用，所以又稱無源器件。
電子器件：指在工廠生產加工時改變了分子結構的成品。例如晶體管、電子管、集成電路。因為它本身能產生電子，對電壓、電流有控制、變換作用（放大、開關、整流、檢波、振盪和調制等），所以又稱有源器件。按分類標准，電子器件可分為12個大類，可歸納為真空電子器件和半導體器件兩大塊。電子元器件發展史其實就是一部濃縮的電子發展史。電子技術是十九世紀末、二十世紀初開始發展起來的新興技術，二十世紀發展最迅速，應用最廣泛，成為近代科學技術發展的一個重要標志。
電子元器件行業主要由電子元件業、半導體分立器件和集成電路業等部分組成。
電子元器件包括：電阻、電容器、電位器、電子管、散熱器、機電元件、連接器、半導體分立器件、電聲器件、激光器件、電子顯示器件、光電器件、感測器、電源、開關、微特電機、電子變壓器、繼電器、印製電路板、集成電路、各類電路、壓電、晶體、石英、陶瓷磁性材料、印刷電路用基材基板、電子功能工藝專用材料、電子膠（帶）製品、電子化學材料及部品等。
電子元器件在質量方面現在國際上面有中國的CQC認證，美國的UL和CUL認證，德國的VDE和TUV以及歐盟的CE等國內外認證，來保證元器件的合格。
一、元件：工廠在加工時沒改變原材料分子成分的產品可稱為元件，元件屬於不需
電子元器件
要能源的器件。它包括：電阻、電容、電感。(又稱為被動元件Passive Components)
(1)電路類器件：二極體，電阻器等等
(2)連接類器件：連接器，插座，連接電纜，印刷電路板(PCB)
二、器件：工廠在生產加工時改變了原材料分子結構的產品稱為器件
器件分為：
1、主動器件，它的主要特點是：(1)自身消耗電能(2)需要外界電源。
2、分立器件，分為(1)雙極性晶體三極體(2)場效應晶體管(3)可控硅 (4)半導體電阻電容
電阻
電阻在電路中用"R」加數字表示,如:R1表示編號為1的電阻.電阻在電路中的主要作用為:分流、限流、分壓、偏置等.
電容
電容在電路中一般用"C"加數字表示(如C13表示編號為13的電容).電容是由兩片金屬膜緊靠,中間用絕緣材料隔開而組成的元件.電容的特性主要是隔直流通交流.
電容的容量大小表示能貯存電能的大小,電容對交流信號的阻礙作用稱為容抗,它與交流信號的頻率和電容量有關.
晶體二極體
晶體二極體在電路中常用「D」加數字表示,如: D5表示編號為5的二極體.
作用:二極體的主要特性是單向導電性,也就是在正向電壓的作用下,導通電阻很小;而在反向電壓作用下導通電阻極大或無窮大.
因為二極體具有上述特性,無繩電話機中常把它用在整流、隔離、穩壓、極性保護、編碼控制、調頻調制和靜噪等電路中.電話機里使用的晶體二極體按作用可分為:整流二極體(如1N4004)、隔離二極體(如1N4148)、肖特基二極體(如BAT85)、發光二極體、穩壓二極體等.
電感器
電子元器件
電感器在電子製作中雖然使用得不是很多，但它們在電路中同樣重要。我們認為電感器和電容器一樣，也是一種儲能元件，它能把電能轉變為磁場能，並在磁場中儲存能量。電感器用符號L表示，它的基本單位是亨利（H），常用毫亨（mH）為單位。它經常和電容器一起工作，構成LC濾波器、LC振盪器等。另外，人們還利用電感的特性，製造了阻流圈、變壓器、繼電器等。
組合電路
集成電路是一種採用特殊工藝，將晶體管、電阻、電容等元件集成在硅基片上而形成的具有一定功能的器件，英文縮寫為IC，也俗稱晶元。
模擬集成電路是指由電容、電阻、晶體管等元件集成在一起用來處理模擬信號的模擬集成電路。有許多的模擬集成電路，如集成運算放大器、比較器、對數和指數放大器、模擬乘(除)法器、鎖相環、電源管理晶元等。模擬集成電路的主要構成電路有：放大器、濾波器、反饋電路、基準源電路、開關電容電路等。模擬集成電路設計主要是通過有經驗的設計師進行手動的電路調試，模擬而得到，與此相對應的數字集成電路設計大部分是通過使用硬體描述語言在EDA軟體的控制下自動的綜合產生。
電子元器件
數字集成電路是將元器件和連線集成於同一半導體晶元上而製成的數字邏輯電路或系統。根據數字集成電路中包含的門電路或元、器件數量，可將數字集成電路分為小規模集成(SSI)電路、中規模集成(MSI)電路、大規模集成(LSI)電路、超大規模集成VLSI電路和特大規模集成ULSI)電路。小規模集成電路包含的門電路在10個以內，或元器件數不超過100個；中規模集成電路包含的門電路在10-100個之間，或元器件數在100-1000個之間；大規模集成電路包含的門電路在100個以上，或元器件數在10-10個之間；超大規模集成電路包含的門電路在1萬個以上，或元器件數在10-10之間；特大規模集成電路的元器件數在10-10之間。它包括：基本邏輯門、觸發器、寄存器、解碼器、驅動器、計數器、整形電路、可編程邏輯器件、微處理器、單片機、DSP等。
編輯本段發展史電子元器件發展史其實就是一部濃縮的電子發展史。電子技術是十九世紀末、二十世紀初開始發展起來的新興技術，二十世紀發展最迅速，應用最廣泛，成為近代科學技術發展的一個重要標志。
電子元器件
第一代電子產品以電子管為核心。四十年代末世界上誕生了第一隻半導體三極體，它以小巧、輕便、省電、壽命長等特點，很快地被各國應用起來，在很大范圍內取代了電子管。五十年代末期，世界上出現了第一塊集成電路，它把許多晶體管等電子元件集成在一塊硅晶元上，使電子產品向更小型化發展。集成電路從小規模集成電路迅速發展到大規模集成電路和超大規模集成電路，從而使電子產品向著高效能低消耗、高精度、高穩定、智能化的方向發展。由於，電子計算機發展經歷的四個階段恰好能夠充分說明電子技術發展的四個階段的特性，所以下面就從電子計算機發展的四個時代來說明電子技術發展的四個階段的特點。
在20世紀出現並得到飛速發展的電子元器件工業使整個世界和人們的工作、生活習慣發生了翻天覆地的變化。電子元器件的發展歷史實際上就是電子工業的發展歷史。
1906年，李·德福雷斯特發明了真空三極體，用來放大電話的聲音電流。此後，人們強烈地期待著能夠誕生一種固體器件，用來作為質量輕、價廉和壽命長的放大器和電子開關。1947年，點接觸型鍺晶體管的誕生，在電子器件的發展史上翻開了新的一頁。但是，這種點接觸型晶體管在構造上存在著接觸點不穩定的致命弱點。在點接觸型晶體管開發成功的同時，結型晶體管論就已經提出，但是直至人們能夠制備超高純度的單晶以及能夠任意控制晶體的導電類型以後，結型晶體管材真正得以出現。1950年，具有使用價值的最早的鍺合金型晶體管誕生。1954年，結型硅晶體管誕生。此後，人們提出了場效應晶體管的構想。隨著無缺陷結晶和缺陷控制等材料技術、晶體外誕生長技術和擴散摻雜技術、耐壓氧化膜的制備技術、腐蝕和光刻技術的出現和發展，各種性能優良的電子器件相繼出現，電子元器件逐步從真空管時代進入晶體管時代和大規模、超大規模集成電路時代。主播形成作為高技術產業代表的半導體工業。
由於社會發展的需要，電子裝置變的越來越復雜，這就要求了電子裝置必須具有可靠性、速度快、消耗功率小以及質量輕、小型化、成本低等特點。自20世紀50年代提出集成電路的設想後，由於材料技術、器件技術和電路設計等綜合技術的進步，在20世紀60年代研製成功了第一代集成電路。在半導體發展史上。集成電路的出現具有劃時代的意義：它的誕生和發展推動了銅芯技術和計算機的進步，使科學研究的各個領域以及工業社會的結構發生了歷史性變革。憑借卓越的科學技術所發明的集成電路使研究者有了更先進的工具，進而產生了許多更為先進的技術。這些先進的技術有進一步促使更高性能、更廉價的集成電路的出現。對電子器件來說，體積越小，集成度越高；響應時間越短，計算處理的速度就越快；傳送頻率就越高，傳送的信息量就越大。半導體工業和半導體技術被稱為現代工業的基礎，同時也已經發展稱為一個相對獨立的高科技產業。

Ⅱ 電路中的元件之間的正負極到底是怎樣連接的

在電路中電源外部電流只能從「電源」正極流向「電源」負極。

第一個元件的正極接在了電源的正極，第二個元件也可以接在電源的正極，再將他們的負極都接到電源的負極上。這時兩個元件並聯，兩元件上的電壓均等於電源電壓。

u或電流i的函數(有時也可以是電荷q或磁鏈 ψ的函數)，對應的元件叫做非線性元件;否則叫做線性元件。 定常元件是一種線性元件。非線性元件的一個例子如下：半導體二極體的數學模型為

i=a(－1)(a>0,b>0)上式為元件約束。它在電流i與電壓u之間規定了一個代數關系，元件是非線性電阻器。電阻R 是 上式說明，電阻R 是元件電壓u的函數。

(2)半導體元器件怎麼接擴展閱讀

由於電路里含有電容元件和電感元件，電路方程里有對時間t的導數。

假設已知獨立電壓源的電壓的時間變化即已知f(t)，已知圖a 中三個定常電阻器的常值參數R1、R2、R3,或已知圖b中三個定常元件的常值參數R、L、C,根據非齊次線性代數方程的理論或非齊次線性常系數常微分方程的理論，從原則上講可以求解圖a、圖b各處的電流和電壓。獨立電壓源的電壓us以及獨立電流源的電流is常稱為激勵，而其他的電流、電壓叫做響應。

Ⅲ 什麼叫半導體請舉幾個電子元件的名稱。

半導體的導電能力比較差，比絕緣體強，看似沒什麼用處，其實半導體有專其特殊的性質，比如在光照，溫屬度，壓力等變化的時候，它的電阻率會發生很大的變化，從半導體變成導體的都有，常見的半導體材料有硅，鍺，砷化鎵等等，常見的元件有二極體（分整流二極體，穩壓二極體，光敏二極體，發光二極體，熱敏二極體等，用於不同的用途）但都有一個性質，就是單向導電性。還有三極體，等等。就連現代最先進的集成電路，都是由半導體材料做成的，只是製作工藝和設計不同，所以用途和功能不同。

Ⅳ 有一些元件不能直接集成在集成電路上,一般採用什麼方法加以解決.

集成電路製造，晶元面積是第一要素 ，部分元器件尺寸，成本問題，是無法集成的，回最明顯的是電答容和電感。半導體元器件、電阻都可以用集成方式實現，但電容實現難度比較大，電感就更大。所以電容、電感集成程度很低，特別是大數值電容和電感，都不可以做成集成的（大功率電阻也不可能做集成）。

一般應用上 在線路板上外接不能集成的元件。

Ⅳ 半導體是如何應用的

硅是集成電路產業的基礎，半導體材料中98％是硅，半導體硅工業產品包括多晶硅、單晶硅（直拉和區熔）、外延片和非晶硅等，其中，直拉硅單晶廣泛應用於集成電路和中小功率器件。區域熔單晶目前主要用於大功率半導體器件，比如整流二極體，硅可控整流器，大功率晶體管等。單晶硅和多晶硅應用最廣。

中彰國際（SINOSI）是一家致力於尖端科技、開拓創新的公司。中彰國際（SINOSI）能夠規模生產和大批量供應單晶硅、多晶硅及Φ4″- Φ6″直拉拋光片、 Φ3″- Φ6″直拉磨片和區熔NTD磨片並且可以按照國內、外客戶的要求提供非標產品。

單晶硅

單晶硅主要有直拉和區熔

區熔（NTD）單晶硅可生產直徑范圍為：Φ1.5″- Φ4″。直拉單晶硅可生產直徑范圍為：Φ2″-Φ8″。

各項參數可按客戶要求生產。

多晶硅

區熔用多晶硅：可生產直徑Φ40mm－Φ70mm。直徑公差(Tolerance)≤10%，施主水平＞300Ω.㎝，受主水平＞3000Ω.㎝，碳含量＜2×1016at/㎝3 。各項參數可按客戶要求生產。

切磨片

切磨片可生產直徑范圍為：Φ1.5″- Φ6″。厚度公差、總厚度公差、翹曲度、電阻率等參數符合並優於國家現行標准，並可按客戶要求生產。

拋光片

拋光片可生產直徑范圍為：Φ2″- Φ6″，厚度公差、總厚度公差、翹曲度、平整度、電阻率等參數符合並優於國家現行標准，並可按客戶要求生產。

高純的單晶硅棒是單晶硅太陽電池的原料，硅純度要求99.999％。單晶硅太陽電池是當前開發得最快的一種太陽電池，它的構和生產工藝已定型，產品已廣泛用於空間和地面。為了降低生產成本，現在地面應用的太陽電池等採用太陽能級的單晶硅棒，材料性能指標有所放寬。有的也可使用半導體器件加工的頭尾料和廢次單晶硅材料，經過復拉製成太陽電池專用的單晶硅棒。

單晶硅是轉化太陽能、電能的主要材料。在日常生活里，單晶硅可以說無處不在，電視、電腦、冰箱、電話、汽車等等，處處離不開單晶硅材料；在高科技領域，太空梭、宇宙飛船、人造衛星的製造，單晶硅同樣是必不可少的原材料。

在科學技術飛速發展的今天，利用單晶硅所生產的太陽能電池可以直接把太陽能轉化為光能，實現了邁向綠色能源革命的開始。現在，國外的太陽能光伏電站已經到了理論成熟階段，正在向實際應用階段過渡，太陽能單晶硅的利用將普及到全世界范圍，市場需求量不言而喻。

直拉硅單晶廣泛應用於集成電路和中小功率器件。區域熔單晶目前主要用於大功率半導體器件，比如整流二極體，硅可控整流器，大功率晶體管等。
區熔（NTD）單晶硅可生產直徑范圍為：Φ1.5″- Φ4″。
直拉單晶硅可生產直徑范圍為：Φ2″-Φ8″。
硅單晶被稱為現代信息社會的基石。硅單晶按照制備工藝的不同可分為直拉（CZ）單晶硅和區熔（FZ）單晶硅，直拉單晶硅被廣泛應用於微電子領域，微電子技術的飛速發展，使人類社會進入了信息化時代，被稱為矽片引起的第一次革命。區熔單晶硅是利用懸浮區熔技術制備的單晶硅。它的用途主要包括以下幾個方面。
1、製作電力電子器件
電力電子技術是實現電力管理，提高電功效率的關鍵技術。飛速發展的電力電子被稱為「矽片引起的第二次革命」，大多數電力電子器件是用區熔單晶硅製作的。電力電子器件包括普通晶閘管(SCR)、電力晶體管GTR、GTO以及第三代新型電力電子器件——功率場效應晶體管(MOSFET)和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(PIC)等，廣泛應用於高壓直流輸電、靜止無功補償、電力機車牽引、交直流電力傳動、電解、勵磁、電加熱、高性能交直流電源等電力系統和電氣工程中。製作電力電子器件，是區熔單晶硅的傳統市場，也是本項目產品的市場基礎。
2、製作高效率太陽能光伏電池
太陽能目前已經成為最受關注的綠色能源產業。美國、歐洲、日本都制定了大力促進本國太陽能產業發展的政策，我國也於2005年3月份通過了《可再生能源法》。這些措施極大地促進了太陽能電池產業的發展。據統計，從1998—2004年，國際太陽能光伏電池的市場一直保持高速增長的態勢，年平均增長速度達到30%，預計到2010年，仍將保持至少25%的增長速度。
晶體硅是目前應用最成熟，最廣泛的太陽能電池材料，佔光伏產業的85%以上。美國SunPower公司最近開發出利用區熔硅製作太陽能電池技術，其產業化規模光電轉換效率達到20%，為目前產業化最高水平，其綜合性價比超過直拉單晶硅太陽能電池（光電轉換效率為15%）和多晶硅太陽能電池（光電轉換效率為12%）。這項新技術將會極大地擴展區熔硅單晶的市場空間。據估計，到2010年，其總的市場規模到將達到電力電子需求規模，這是本項目新的市場機會。
3、製作射頻器件和微電子機械繫統（MEMS）
區熔單晶還可以用來製作部分分立器件。另外採用高阻區熔硅製造微波單片集成電路（MMIC）以及微電子機械繫統（MEMS）等高端微電子器件，被廣泛應用於微波通訊、雷達、導航、測控、醫學等領域，顯示出巨大的應用前景。這也是區熔單晶的又一個新興的市場機會。
4、製作各種探測器、感測器，遠紅外窗口
探測器、感測器是工業自動化的關鍵元器件，被廣泛應用於光探測、光纖通訊、工業自動化控制系統中以及醫療、軍事、電訊、工業自動化等領域。高純的區熔硅單晶是製作各種探測器、感測器的關鍵原材料，其市場增長趨勢也很明顯。

圖片參考：
http://www.sinosi.com/chinese/Procts%20Gallcry/Semi-Silica/Semi-Conctor%20Silicon.htm
http://www.istis.sh.cn/list/list.asp?id=2214

Ⅵ 什麼是電子元器件

電子元器件是元件和器件的總稱。
電子元件：指在工廠生產加工時不改變分子成分的成品。因為它本身不產生電子，它對電壓、電流無控制和變換作用，所以又稱無源器件。按分類標准，電子元件可分為11個大類。
電子器件：指在工廠生產加工時改變了分子結構的成品。是指電子管和晶體管，現在泛指用半導體材料製造的基本電子產品，如：二極體、三極體、場效應管、集成電路等。其它製造電子整機用的基本零件稱為元件，如：電阻、電容、電感等等。所以又稱有源器件。按分類標准，電子器件可分為12個大類，可歸納為真空電子器件和半導體器件兩大塊。由於新材料、新技術的不斷涌現，現代電子元件和器件的界限已比較模糊。按分類標准，電子器件可分為12個大類，可歸納為真空電子器件和半導體器件兩大塊。
電子元器件解釋：
COB（Chip On Board）通過幫定將IC裸片固定於印刷線路板上
COF (Chip On FPC) 將晶元固定於TCP上
COG (Chip On Glass) 將晶元固定於玻璃上
El (Electro Luminescence) 電致發光，EL層由高分子量薄片構成，用作LCD的EL光源
FTN (Formutated STN) 一層光程補償片加於STN，用於黑白顯示
LED (Light Emitting Diode) 發光二極體
PCB (Print Circuit Board) 印刷線路板
QFP (Quad Flat Package) 四方扁平封裝

Ⅶ 半導體及電子元器件有什麼區別，怎麼區分

我們平復時說的半導制體，其實是指半導體元器件（或集成電路），也就是由半導體材料製造的電子元器件（或集成電路），目前，常用的半導體材料包括三種：硅、鍺、砷化鎵。

所以，你問「半導體及電子元器件有什麼區別」，是錯誤的說法，但是，我們可以說：半導體元器件或半導體集成電路是電子元器件的一個分類……

Ⅷ 三極體怎麼接線

三極體接線圖如下所示：

三極體為半導體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電版子電路的核心元權件。三極體是在一塊半導體基片上製作兩個相距很近的PN結。

兩個PN結把整塊半導體分成三部分，中間部分是基區，兩側部分是發射區和集電區，排列方式有PNP和NPN兩種。

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在製造三極體時，有意識地使發射區的多數載流子濃度大於基區的，同時基區做得很薄，而且，要嚴格控制雜質含量。

這樣，一旦接通電源後，由於發射結正偏，發射區的多數載流子（電子）及基區的多數載流子（空穴）很容易地越過發射結互相向對方擴散，但因前者的濃度基大於後者，所以通過發射結的電流基本上是電子流，這股電子流稱為發射極電流子。

Ⅸ 三極體在電路中怎麼接線NPN和PNP那個是接正那個是接負

npn就是我畫的這個圖，集電極接正，發射極接負極，也就是地（gnd），pnp這相反知道了嗎？