為什麼用半導體材料做電子元件

⑴ 為什麼採用半導體材料制備霍爾元件

因為磁場作抄用於載流金屬導體襲、半導體中的載流子時，產生橫向電位差的物理現象。

霍爾效應為磁場作用於載流金屬導體、半導體中的載流子時，產生橫向電位差的物理現象。金屬的霍爾效應是1879年被美國物理學家霍爾發現的。

當電流通過金屬箔片時，若在垂直於電流的方向施加磁場，則金屬箔片兩側面會出現橫向電位差。半導體中的霍爾效應比金屬箔片中更為明顯，而鐵磁金屬在居里溫度以下將呈極強的霍爾效應。由於通電導線周圍存在磁場，其大小和導線中的電流成正比，故可以利用霍爾元件測量出磁場。

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霍爾元件的相關情況：

1、磁場的一個磁極靠近它，輸出低電位電壓（低電平）或關的信號，磁場磁極離開它輸出高電位電壓（高電平）或開的信號，正面感應磁場S極，反面感應N極。

2、因為磁場有兩個磁極N、S（正磁或負磁），所以兩個磁極分別控制雙極性霍爾開關的開和關（高低電平），它具有鎖定的作用，也就是說當磁極離開後，霍爾輸出信號不發生改變。

3、在靜態（無磁場）時，從理論上講，輸出應等於在工作電壓及工作溫度范圍內的電源電壓的一半。增加南極磁場將增加來自其靜態電壓的電壓。

⑵ 霍爾元件為什麼要用半導體材料製作

所謂霍爾抄效應，是指磁場作襲用於載流金屬導體、半導體中的載流子時，產生橫向電位差的物理現象。當電流通過金屬箔片時，若在垂直於電流的方向施加磁場，則金屬箔片兩側面會出現橫向電位差。而半導體中的霍爾效應比金屬箔片中更為明顯，因此多選用半導體材料製作。

⑶ 為什麼霍爾元件都用半導體材料製成而不用金屬材料

霍爾元件都用半導體材料製成而且一般都為n型半導體載流子為導帶電子，與金屬材料的導電粒子為自由電子，似乎一樣。但是你知道，金屬在外電場作用下，抵抗電場的只是其表面聚集大量的電子，從而形成反向電場，與內部沒關系。

在半導體內，電勢會降落在整個材料上（表面電子少），這樣再在另一個方向加磁場時就會在這兩個面上聚集載流子而形成電場。

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霍爾元件具有許多優點，它們的結構牢固，體積小，重量輕，壽命長，安裝方便，功耗小，頻率高（可達1MHZ），耐震動，不怕灰塵、油污、水汽及鹽霧等的污染或腐蝕。

霍爾線性器件的精度高、線性度好；霍爾開關器件無觸點、無磨損、輸出波形清晰、無抖動、無回跳、位置重復精度高（可達μm 級），採用了各種補償和保護措施，霍爾器件的工作溫度范圍寬，可達－55℃～150℃。

在磁場不太強時，霍爾電勢差UH與激勵電流I和磁感應強度B的乘積成正比，與霍爾片的厚度δ成反比，即UH =RH*I*B/δ，式中的RH稱為霍爾系數，它表示霍爾效應的強弱。 另RH=μ*ρ即霍爾常數等於霍爾片材料的電阻率ρ與電子遷移率μ的乘積。

線性霍爾效應感測器 IC 的電壓輸出會精確跟蹤磁通密度的變化。在靜態（無磁場）時，從理論上講，輸出應等於在工作電壓及工作溫度范圍內的電源電壓的一半。增加南極磁場將增加來自其靜態電壓的電壓。

相反，增加北極磁場將增加來自其靜態電壓的電壓。這些部件可測量電流的角、接近性、運動及磁通量。它們能夠以磁力驅動的方式反映機械事件。

⑷ 為什麼晶元都用半導體材料做成

在二氧化硅上蝕刻出電路後
會用經過電場加速的離子進行摻雜
摻雜後的區域導電性會有變化
之後鍍銅以便形成電路
之所以用硅的原因
就是雜離子摻雜後其導電性質的改變
使摻雜的部分可以變為元件

⑸ 為什麼半導體材料可用於製作放大器件

由於半導體中存在電子和空穴兩種載流子，可以通過摻雜形成P型的或者N型的版半導體。比如在權Si或Ge中摻入P等V族元素會形成N型半導體，摻入B、Ga等III族元素會形成P型半導體。當一塊純的Si半導體兩端分別摻入P和Ga時，就會形成PN結。
PN結是半導體器件的基礎，製成的二極體、三極體就有放大作用。
建議你看看半導體物理、模擬電路等，裡面講的很詳細。

⑹ 電子技術為什麼要用半導體為核心材料

現代晶體管需要用
半導體材料
，在控制電路中，晶體管是基本單位。

⑺ 為什麼用半導體做電子元件

因為半導體（主要是硅，地球上硅的儲量很多，便宜）可以進過不同步驟和層次的加工，形成導體和絕緣體從而實現功率放大或轉換的功能，二極體 3級管 等電子元件都是這個道理