半導體的導電能力隨著溫度的升高而什麼

❶ 半導體的導電能力隨溫度升高而

熱敏性。熱敏性拼音： [rè mǐn xìng] 基本解釋： 當外界溫度升高時，半導體導電能力增加，當外界溫度降低時，半導體導電能力降低。半導體的這種特性叫熱敏性。半導體是導電能力介於導體和絕緣體之間的物質.它的重要特性表現在以下幾個方面：熱敏性半導體材料的電阻率與溫度有密切的關系。溫度升高，半導體的電阻率會明顯變小。例如純鍺（Ge），溫度每升高10度，其電阻率就會減少到原來的一半。光電特性很多半導體材料對光十分敏感。無光照時，不易導電；受到光照時，就變的容易導電了。例如，常用的硫化鎘半導體光敏電阻，在無光照時電阻高達幾十兆歐，受到光照時電阻會減小到幾十千歐。半導體受光照後電阻明顯變小的現象稱為「光導電」。利用光導電特性製作的光電器件還有光電二極體和光電三極體等。近年來廣泛使用著一種半導體發光器件--發光二極體，它通過電流時能夠發光，把電能直接轉成光能。目前已製作出發黃，綠，紅，藍幾色的發光二極體，以及發出不可見光紅外線的發光二極體。另一種常見的光電轉換器件是硅光電池，它可以把光能直接轉換成電能，是一種方便的而清潔的能源。 攙雜特性純凈的半導體材料電阻率很高，但摻入極微量的「雜質」元素後，其導電能力會發生極為顯著的變化。例如，純硅的電阻率為214×1000歐姆/厘米，若摻入百萬分之一的硼元素，電阻率就會減小到0.4歐姆/厘米。因此，人們可以給半導體摻入微量的某種特定的雜質元素，精確控制它的導電能力，用以製作各種各樣的半導體器件。

❷ 半導體的導電性能介於什麼和什麼之間而且電阻隨溫度的增加而什麼的材料

導體和絕緣體，減小，外界條件，光，微量的其他物質

❸ 半導體導電能力隨溫度怎樣變化

隨溫度升高，導電能力增強。

晶體管：
飽和導通、截止、線性放大

❹ 導體，半導體的導電原理是什麼隨著溫度的升高它們的導電性如何變化

導體或半抄導體導電原理一樣 都是靠原子內部的電子運行軌跡的縫隙導電。這個縫隙的大小 多少決定物質的導電性是否好。也就是說物質是否導電取決與原子外的電子環繞路線。原子核對電子吸引力的大小。而外界環境的改變對於物質的導電性的影響則不一樣，對於大多數導體溫度升高則導電性下降，對與半導體，或一些絕緣體則導電性上升。

❺ 半導體和金屬的導電能力隨溫度的變化特點是不同的

解：（1）由圖可復知，當溫度制為70℃時，發熱功率和散熱功率相等，即此時物體的溫度不再變化；
當溫度高於穩定溫度時，由圖可知散熱功率大於發熱功率；
由P= U2R可得，此時功率減小，而電壓不變，故說明電阻在增大．
（2）由圖2可知，金屬電阻隨溫度的升高而增大，則由歐姆定律可得：
I= UR，故當電流大時，電阻值要小，即此時溫度要低，
故對應的溫度刻度要小；
由圖4可知電流I=5mA=0.005A時，
則由歐姆定律可得：
總電阻R總= UI= 3V0.005A=600Ω，
金屬電阻阻值R=R總-R′=600Ω-450Ω=150Ω，
故對應的溫度
t=（150Ω-100Ω）× 80℃180Ω-100Ω=50℃．
即指針處對應的溫度為50℃．
故答案為：（1）70，＜，增大；（2）小，指針處對應的溫度為50℃．

❻ 半導體的導電能力隨外界溫度的變化而變化的性質稱作什麼

熱敏性。

❼ 當溫度升高時,半導體的導電能力將怎麼樣

隨著溫度升高，導電能力將提高，漏電電流也會增加，電阻降低。

❽ 半導體導電能力隨溫度什麼條件巨大變化

沒太理解樓主問的問題。半導體確實會因為外界環境的變化而改變版導電能力，這也是為什麼叫權做半導體。但是半導體根據種類不同，受到外界不同條件變化下導電能力的變化也是不同的。比如光電半導體就會隨著外界光強照射的不同而改變導電能力，你說的那種半導體是隨溫度變化而改變導電特性的半導體，這種半導體會因為外界溫度的變化而使半導體內部載流子（物理學中決定半導體導電能力的微觀物質）增加或者減少，從而影響半導體的導電性能，這種半導體多用於溫度感測器，比如家裡水族箱里用的自動加熱棒，電水壺等等。當然並不是說溫度越高導電性能越好，有點半導體則是溫度越高電阻越大（導電性越差）。呵呵，都是自己打上去的，希望對你有用，有問題可以隨時提問，祝樓主新年快樂！

❾ 半導體的電阻為什麼隨溫度升高而降低

因為在一定溫度下，半導體的電子空穴對的產生和復合同時存在並達到版動態平衡，此時半導權體具有一定的載流子密度，從而具有一定的電阻率。溫度升高時，將產生更多的電子空穴對，載流子密度增加，電阻率減小。

半導體的五大特性∶摻雜性，熱敏性，光敏性，負電阻率溫度特性，整流特性。在形成晶體結構的半導體中，人為地摻入特定的雜質元素，導電性能具有可控性。在光照和熱輻射條件下，其導電性有明顯的變化。

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摻雜對半導體結構的影響：

1、摻雜之後的半導體能帶會有所改變。依照摻雜物的不同，本質半導體的能隙之間會出現不同的能階。施主原子會在靠近傳導帶的地方產生一個新的能階，而受主原子則是在靠近價帶的地方產生新的能階。

2、摻雜物依照其帶給被摻雜材料的電荷正負被區分為施主與受主。施主原子帶來的價電子大多會與被摻雜的材料原子產生共價鍵，進而被束縛。

3、摻雜物對於能帶結構的另一個重大影響是改變了費米能階的位置。在熱平衡的狀態下費米能階依然會保持定值，這個特性會引出很多其他有用的電特性。