生蛇用半導體能起什麼作用

⑴ 那種俗稱「生蛇」是什麼東西為什麼會那樣要怎麼醫治

生蛇 生蛇，其實只是俗稱，它的真正名字，西醫叫帶狀皰疹，中醫叫蛇串瘡，或者叫纏腰火丹。 又稱蛇纏腰 生蛇是一種皮膚病，患這個病的人，皮膚會出現紅斑和水泡，一群一群長在一起，看來像一串珠，又像一條蛇，所以俗稱生蛇。 生蛇很痛的，像火燒一樣，常常突然發病，嚇人一跳。蛇常常長在腰、脅、胸和大腿等地方，但嚴重起來，會長在臉，十分恐怖。 生蛇的原因，西醫認為是病毒感染，中醫卻認為皮膚有事，必然身體 面先出問題，一於從心肝脾肺腎入手。 究竟，哪 出問題呢？有時是肝，有時是脾。 肝脾有事影響皮膚 中醫講的五臟，並非單單血肉器官，更重要的是五種既獨立，又互相影響的功能，這點不再重復了。 肝，和情緒有關。情緒波動過劇，肝的經絡 面，氣血會郁結，氣血郁結久了，會化「火」。火氣沿著經絡跑到皮膚組織，皮膚便長出一塊一塊的紅斑，串起來，便是蛇。 脾，和飲食有關。煎炸肥膩東西大量進肚，煙酒長期不斷，脾胃負擔不來，濕熱會因此出現，濕熱循著經絡蔓延到皮膚，皮膚會長一群一群的水泡，串起來，又是蛇。 蛇出現了，怎麼辦？中醫用葯驅蛇，用龍膽草、梔子、黃芩、板藍根和連翹清熱解毒，用車前子、木通和澤瀉化濕，用柴胡做葯引，用當歸和生地滋陰養血。 不吃葯行嗎？可以呀，以前在農村，找大夫不容易，農民用一根燈芯蘸上食油，燃點後朝蛇的首尾各一點，啪、啪兩聲，蛇便漸漸消失，十分神奇。 從生蛇這個例子，我們知道皮膚病可以和情緒有關，也可以和飲食有關。皮膚有問題，不妨從這兩方面想想。 現在有的人的新的一種有效但未知是否有副作用的方法是用如「勞動牌」的自行車補車胎膠水繞患處四周圍成後再塗抹患處，一天兩次，晚上洗澡後搓去再塗，一般最遲一周內可去除。 "生蛇"就是帶狀皰疹。 什麼是帶狀皰疹 帶狀皰疹是由帶狀皰疹病毒引起的，沿周圍神經分布的群集皰疹及神經痛為特徵的病毒性皮膚病。帶狀皰疹在祖國醫學稱為「纏腰火丹」，俗稱「纏腰龍」。 什麼原因引起帶狀皰疹 本病由水痘-帶狀皰疹病毒引起。病毒通過呼吸道粘膜進入人體，經過血行傳播，在皮膚上出現水痘，但大多數人感染後不出現水痘，是為隱性感染，成為帶病毒者。此種病毒為嗜神經性，在侵入皮膚感覺神經末梢後可沿著神經移動到脊髓後根的神經節中，並潛伏在該處，當宿主的細胞免疫功能低下時，如患感冒、發熱、系統性紅斑狼瘡以及惡性腫瘤時，病毒又被激發，致使神經節發炎、壞死，同時再次激活的病毒可以沿著周圍神經纖維再移動到皮膚發生皰疹。在少數情況下，皰疹病毒可散布到脊髓前角細胞及內臟神經纖維，引起運動性神經麻痹，如眼、面神經麻痹以及胃腸道和泌尿道的症狀。 帶狀皰疹有什麼症狀 發病前局部皮膚先有灼痛，伴輕度發熱、疲倦無力等全身症狀。但也可以無前驅症狀，經1～3天後，皮膚陸續出現散在紅斑。繼而在紅斑上發生多數成簇的粟粒大至綠豆大小的丘皰疹，並迅速變為水皰。水皰壁緊張，光亮，皰水澄清，水皰表面大部有小凹陷。數日後皰液混濁化膿，破潰後形成糜爛面，最後乾燥結痂，痂脫落後留下暫時性紅斑。一般病程約2～4周。輕症患者只出現紅斑及丘疹，不出現水皰，稱為不全性帶狀皰疹。在惡性淋巴瘤、急性系統性紅斑狼瘡以及老年體弱者可出現壞疽性皰疹，愈後留下疤痕，稱為壞疽性帶狀皰疹。帶狀皰疹可全身泛發，此時常伴有高熱，並出現肺炎或腦炎，病情嚴重，如不及時搶救，可致死亡，稱為泛發性帶狀皰疹。 皰疹分布多位於一側，非列成帶狀，有時偶可超過軀干中線，這是由於神經末梢橫過中線所致。胸、頸及面部三叉神經分布區為好發部位。通常三叉神經只累及一根分支。局部淋巴結常腫大疼痛。神經痛是本病的主要症狀，急性期是由於神經節的炎症反應，晚期神經痛是由於神經節以及感覺神經的炎症後纖維化引起的。有時在皰疹出現前有劇烈的神經痛，此時常易誤診為急腹症或心絞痛等。老年體弱或淋巴瘤患者常有神經痛後遺症，有時可持續數月。 皰疹發生於三叉神經眼支者，可以發生結膜及角膜皰疹，導致角膜潰瘍而引起失明，是為嚴重的並發症。當病毒侵犯面神經和聽神經時，出現耳殼及外耳道皰疹，可伴有耳及有乳突深部疼痛、耳鳴、耳聾、面神經麻痹以及舌前1/3年味覺消失，稱為帶狀皰疹面癱綜合征。 帶狀皰疹需要做哪些檢查 詳細詢問病史 進行局部體格檢查，一般不難診斷。 如何治療 (一)全身治療抗病毒葯物有無環鳥苷、阿糖胞苷以及阿糖腺苷等，其中以無環鳥苷最為有效，無環鳥苷能被皰疹感染過的細胞吸收，在細胞內經過磷酸化作用形成無環鳥苷三磷酸鹽。此種鹽為鳥嘌呤三磷酸鹽的競爭抑制劑，亦就是DNA聚合酶的競爭抑制劑，它可以終止病毒DNA鏈的延長，對病毒的DNA聚合酶的活性產生強大的抑製作用，從而阻滯了皰疹病毒DNA的復制。無環鳥苷不易進入正常細胞。因此對正常細胞的抑製作用很少，約等於對病毒抑製作用的1/10～1/30。這一機理說明無環鳥苷治療皰疹有高效而少副作用的特點，所以是治療皰疹病的首選葯物。無環鳥苷適用於泛發性帶狀皰疹或合並肺炎或腦炎等嚴重患者。靜脈點滴劑量為200～250mg，加入100ml補液中1h滴完，每日2～3次，連續3～7天。口服劑量為200mg，每日5次。阿糖腺苷和阿糖胞苷等對抗病毒雖有一定療效，但因價格昂貴或副作用多，自從有了無環鳥苷後已不常用於皰疹疾病。 對有神經痛患者可給予止痛葯物，如阿司匹林、去痛片等。疼痛嚴重者可在早期口服強的松15～30mg/d；1周後漸減量。強的松早期服用可消除神經根的炎症。皰疹性神經痛用強的松後可以減輕神經炎後期的纖維化，因而亦可減輕疼痛。此外亦可用維生素B1,維生素B6或注射干擾素等。 (二)中醫治療治則為表熱利濕，可內服龍膽瀉肝湯。 局部治療早期丘皰疹可外用爐甘石洗劑，皰疹破潰後可外用1%龍膽紫液或0.5%新黴素軟膏、磷黴素軟膏等。眼部皰疹可用無環鳥苷眼葯水，或3%無環鳥苷軟膏。

⑵ 半導體是什麼做什麼用的

自然界的物質按導電能力可分為導體、絕緣體和半導體三類。半導體材料是指室溫下導電性介於導電材料和絕緣材料之間的一類功能材料。靠電子和空穴兩種載流子實現導電，室溫時電阻率一般在10-5～107歐·米之間。通常電阻率隨溫度升高而增大；若摻入活性雜質或用光、射線輻照，可使其電阻率有幾個數量級的變化。1906年製成了碳化硅檢波器。

1947年發明晶體管以後，半導體材料作為一個獨立的材料領域得到了很大的發展，並成為電子工業和高技術領域中不可缺少的材料。特性和參數半導體材料的導電性對某些微量雜質極敏感。純度很高的半導體材料稱為本徵半導體，常溫下其電阻率很高，是電的不良導體。在高純半導體材料中摻入適當雜質後，由於雜質原子提供導電載流子，使材料的電阻率大為降低。這種摻雜半導體常稱為雜質半導體。雜質半導體靠導帶電子導電的稱N型半導體，靠價帶空穴導電的稱P型半導體。

不同類型半導體間接觸（構成PN結）或半導體與金屬接觸時，因電子（或空穴）濃度差而產生擴散，在接觸處形成位壘，因而這類接觸具有單向導電性。利用PN結的單向導電性，可以製成具有不同功能的半導體器件，如二極體、三極體、晶閘管等。

此外，半導體材料的導電性對外界條件（如熱、光、電、磁等因素）的變化非常敏感，據此可以製造各種敏感元件，用於信息轉換。半導體材料的特性參數有禁帶寬度、電阻率、載流子遷移率、非平衡載流子壽命和位錯密度。禁帶寬度由半導體的電子態、原子組態決定，反映組成這種材料的原子中價電子從束縛狀態激發到自由狀態所需的能量。電阻率、載流子遷移率反映材料的導電能力。非平衡載流子壽命反映半導體材料在外界作用（如光或電場）下內部載流子由非平衡狀態向平衡狀態過渡的弛豫特性。位錯是晶體中最常見的一類缺陷。位錯密度用來衡量半導體單晶材料晶格完整性的程度，對於非晶態半導體材料，則沒有這一參數。半導體材料的特性參數不僅能反映半導體材料與其他非半導體材料之間的差別，更重要的是能反映各種半導體材料之間甚至同一種材料在不同情況下，其特性的量值差別。

半導體材料的種類

常用的半導體材料分為元素半導體和化合物半導體。元素半導體是由單一元素製成的半導體材料。主要有硅、鍺、硒等，以硅、鍺應用最廣。化合物半導體分為二元系、三元系、多元系和有機化合物半導體。二元系化合物半導體有Ⅲ-Ⅴ族（如砷化鎵、磷化鎵、磷化銦等）、Ⅱ-Ⅵ族（如硫化鎘、硒化鎘、碲化鋅、硫化鋅等）、Ⅳ-Ⅵ族（如硫化鉛、硒化鉛等）、Ⅳ-Ⅳ族（如碳化硅）化合物。三元系和多元系化合物半導體主要為三元和多元固溶體，如鎵鋁砷固溶體、鎵鍺砷磷固溶體等。有機化合物半導體有萘、蒽、聚丙烯腈等，還處於研究階段。

此外，還有非晶態和液態半導體材料，這類半導體與晶態半導體的最大區別是不具有嚴格周期性排列的晶體結構。制備不同的半導體器件對半導體材料有不同的形態要求，包括單晶的切片、磨片、拋光片、薄膜等。半導體材料的不同形態要求對應不同的加工工藝。常用的半導體材料制備工藝有提純、單晶的制備和薄膜外延生長。

所有的半導體材料都需要對原料進行提純，要求的純度在6個「9」以上，最高達11個「9」以上。提純的方法分兩大類，一類是不改變材料的化學組成進行提純，稱為物理提純；另一類是把元素先變成化合物進行提純，再將提純後的化合物還原成元素，稱為化學提純。物理提純的方法有真空蒸發、區域精製、拉晶提純等，使用最多的是區域精製。化學提純的主要方法有電解、絡合、萃娶精餾等，使用最多的是精餾。

由於每一種方法都有一定的局限性，因此常使用幾種提純方法相結合的工藝流程以獲得合格的材料。絕大多數半導體器件是在單晶片或以單晶片為襯底的外延片上作出的。成批量的半導體單晶都是用熔體生長法製成的。直拉法應用最廣，80％的硅單晶、大部分鍺單晶和銻化銦單晶是用此法生產的，其中硅單晶的最大直徑已達300毫米。在熔體中通入磁場的直拉法稱為磁控拉晶法，用此法已生產出高均勻性硅單晶。在坩堝熔體表面加入液體覆蓋劑稱液封直拉法，用此法拉制砷化鎵、磷化鎵、磷化銦等分解壓較大的單晶。懸浮區熔法的熔體不與容器接觸，用此法生長高純硅單晶。

水平區熔法用以生產鍺單晶。水平定向結晶法主要用於制備砷化鎵單晶，而垂直定向結晶法用於制備碲化鎘、砷化鎵。用各種方法生產的體單晶再經過晶體定向、滾磨、作參考面、切片、磨片、倒角、拋光、腐蝕、清洗、檢測、封裝等全部或部分工序以提供相應的晶片。在單晶襯底上生長單晶薄膜稱為外延。外延的方法有氣相、液相、固相、分子束外延等。

工業生產使用的主要是化學氣相外延，其次是液相外延。金屬有機化合物氣相外延和分子束外延則用於制備量子阱及超晶格等微結構。非晶、微晶、多晶薄膜多在玻璃、陶瓷、金屬等襯底上用不同類型的化學氣相沉積、磁控濺射等方法製成。

半導體和絕緣體之間的差異主要來自兩者的能帶（band）寬度不同。絕緣體的能帶比半導體寬，意即絕緣體價帶中的載子必須獲得比在半導體中更高的能量才能跳過能帶，進入傳導帶中。室溫下的半導體導電性有如絕緣體，只有極少數的載子具有足夠的能量進入傳導帶。因此，對於一個在相同電場下的純質半導體（intrinsicsemiconctor）和絕緣體會有類似的電特性，不過半導體的能帶寬度小於絕緣體也意味著半導體的導電性更容易受到控制而改變。

純質半導體的電氣特性可以藉由植入雜質的過程而永久改變，這個過程通常稱為「摻雜」（doping）。依照摻雜所使用的雜質不同，摻雜後的半導體原子周圍可能會多出一個電子或一個電洞，而讓半導體材料的導電特性變得與原本不同。如果摻雜進入半導體的雜質濃度夠高，半導體也可能會表現出如同金屬導體般的電性。在摻雜了不同極性雜質的半導體接面處會有一個內建電場（built-inelectricfield），內建電場和許多半導體元件的操作原理息息相關。

除了藉由摻雜的過程永久改變電性外，半導體亦可因為施加於其上的電場改變而動態地變化。半導體材料也因為這樣的特性，很適合用來作為電路元件，例如晶體管。晶體管屬於主動式的（有源）半導體元件（activesemiconctordevices），當主動元件和被動式的（無源）半導體元件（passivesemiconctordevices）如電阻器（resistor）或是電容器（capacitor）組合起來時，可以用來設計各式各樣的集成電路產品，例如微處理器。

當電子從傳導帶掉回價帶時，減少的能量可能會以光的形式釋放出來。這種過程是製造發光二極體（light-emittingdiode,LED）以及半導體激光（semiconctorlaser）的基礎，在商業應用上都有舉足輕重的地位。而相反地，半導體也可以吸收光子，透過光電效應而激發出在價帶的電子，產生電訊號。這即是光探測器（photodetector）的來源，在光纖通訊（fiber-opticcommunications）或是太陽能電池（solarcell）的領域是最重要的元件。

半導體有可能是單一元素組成，例如硅。也可以是兩種或是多種元素的化合物（compound），常見的化合物半導體有砷化鎵（galliumarsenide,GaAs）或是磷化鋁銦鎵（,AlGaInP）等。合金（alloy）也是半導體材料的來源之一，如鍺硅（silicongermanium,SiGe）或是砷化鎵鋁（aluminiumgalliumarsenide,AlGaAs）等。

⑶ 半導體有什麼用處

半導體的作用是可以通過改變其局部的雜質濃度來形成一些器件結構，這些器件結構對電路具有一定控製作用，比如二極體的單向導電，比如晶體管的放大作用。

這是導體和絕緣體做不到的。導體在電路中常常作為電阻和導線出現，在電路中僅僅起到分壓或限流的作用。

導體器件（semiconctor device）通常利用不同的半導體材料、採用不同的工藝和幾何結構，已研製出種類繁多、功能用途各異的多種晶體二極，晶體二極體的頻率覆蓋范圍可從低頻、高頻、微波、毫米波、紅外直至光波。

三端器件一 般是有源器件，典型代表是各種晶體管（又稱晶體三極體）。晶體管又可以分為雙極型晶體管和場效應晶體管兩 類。根據用途的不同，晶體管可分為功率晶體管微波晶體管和低雜訊晶體管。

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半導體分類

1、晶體二極體

晶體二極體的基本結構是由一塊 P型半導體和一塊N型半導體結合在一起形成一個 PN結。在PN結的交界面處，由於P型半導體中的空穴和N型半導體中的電子要相互向對方擴散而形成一個具有空間電荷的偶極層。這偶極層阻止了空穴和電子的繼續擴散而使PN結達到平衡狀態。

2、雙極型晶體管

它是由兩個PN結構成，其中一個PN結稱為發射結，另一個稱為集電結。兩個結之間的一薄層半導體材料稱為基區。接在發射結一端和集電結一端的兩個電極分別稱為發射極和集電極。接在基區上的電極稱為基極。

3、場效應晶體管

它依靠一塊薄層半導體受橫向電場影響而改變其電阻（簡稱場效應），使具有放大信號的功能。這薄層半導體的兩端接兩個電極稱為源和漏。控制橫向電場的電極稱為柵。

⑷ 半導體的作用是什麼

沒有半導體你就提不了這個問了 在半導體中雜質 半導體中的雜質對電阻率的影響非常大。半導體中摻入微量雜質時，雜質原子附近的周期勢場受到干擾並形成附加的束縛狀態，在禁帶中產加的雜質能級。例如四價元素鍺或硅晶體中摻入五價元素磷、砷、銻等雜質原子時，雜質原子作為晶格的一分子，其五個價電子中有四個與周圍的鍺（或硅）原子形成共價結合，多餘的一個電子被束縛於雜質原子附近，產生類氫能級。雜質能級位於禁帶上方靠近導帶底附近。雜質能級上的電子很易激發到導帶成為電子載流子。這種能提供電子載流子的雜質稱為施主，相應能級稱為施主能級。施主能級上的電子躍遷到導帶所需能量比從價帶激發到導帶所需能量小得多（圖2）。在鍺或硅晶體中摻入微量三價元素硼、鋁、鎵等雜質原子時，雜質原子與周圍四個鍺（或硅）原子形成共價結合時尚缺少一個電子，因而存在一個空位，與此空位相應的能量狀態就是雜質能級，通常位於禁帶下方靠近價帶處。價帶中的電子很易激發到雜質能級上填補這個空位，使雜質原子成為負離子。價帶中由於缺少一個電子而形成一個空穴載流子（圖3）。這種能提供空穴的雜質稱為受主雜質。存在受主雜質時，在價帶中形成一個空穴載流子所需能量比本徵半導體情形要小得多。半導體摻雜後其電阻率大大下降。加熱或光照產生的熱激發或光激發都會使自由載流子數增加而導致電阻率減小，半導體熱敏電阻和光敏電阻就是根據此原理製成的。對摻入施主雜質的半導體，導電載流子主要是導帶中的電子，屬電子型導電，稱N型半導體。摻入受主雜質的半導體屬空穴型導電，稱P型半導體。半導體在任何溫度下都能產生電子-空穴對，故N型半導體中可存在少量導電空穴，P型半導體中可存在少量導電電子，它們均稱為少數載流子。在半導體器件的各種效應中，少數載流子常扮演重要角色 PN結 P型半導體與N型半導體相互接觸時，其交界區域稱為PN結。P區中的自由空穴和N區中的自由電子要向對方區域擴散，造成正負電荷在 PN 結兩側的積累，形成電偶極層(圖4 )。電偶極層中的電場方向正好阻止擴散的進行。當由於載流子數密度不等引起的擴散作用與電偶層中電場的作用達到平衡時，P區和N區之間形成一定的電勢差，稱為接觸電勢差。由於P 區中的空穴向N區擴散後與N區中的電子復合，而N區中的電子向P區擴散後與P 區中的空穴復合，這使電偶極層中自由載流子數減少而形成高阻層，故電偶極層也叫阻擋層，阻擋層的電阻值往往是組成PN結的半導體的原有阻值的幾十倍乃至幾百倍。 PN結具有單向導電性，半導體整流管就是利用PN結的這一特性製成的。PN結的另一重要性質是受到光照後能產生電動勢，稱光生伏打效應，可利用來製造光電池。半導體三極體、可控硅、PN結光敏器件和發光二極體等半導體器件均利用了PN結的特性。 基於PN結,就有了晶體管,才有了集成電路,電子產品中的各種晶元都是集成電路

⑸ 半導體有什麼用

自然界的物質按導電能力可分為導體、絕緣體和半導體三類。半導體材料是指室溫下導電性介於導電材料和絕緣材料之間的一類功能材料。靠電子和空穴兩種載流子實現導電，室溫時電阻率一般在10-5～107歐·米之間。通常電阻率隨溫度升高而增大；若摻入活性雜質或用光、射線輻照，可使其電阻率有幾個數量級的變化。1906年製成了碳化硅檢波器。

1947年發明晶體管以後，半導體材料作為一個獨立的材料領域得到了很大的發展，並成為電子工業和高技術領域中不可缺少的材料。特性和參數半導體材料的導電性對某些微量雜質極敏感。純度很高的半導體材料稱為本徵半導體，常溫下其電阻率很高，是電的不良導體。在高純半導體材料中摻入適當雜質後，由於雜質原子提供導電載流子，使材料的電阻率大為降低。這種摻雜半導體常稱為雜質半導體。雜質半導體靠導帶電子導電的稱N型半導體，靠價帶空穴導電的稱P型半導體。

不同類型半導體間接觸（構成PN結）或半導體與金屬接觸時，因電子（或空穴）濃度差而產生擴散，在接觸處形成位壘，因而這類接觸具有單向導電性。利用PN結的單向導電性，可以製成具有不同功能的半導體器件，如二極體、三極體、晶閘管等。

此外，半導體材料的導電性對外界條件（如熱、光、電、磁等因素）的變化非常敏感，據此可以製造各種敏感元件，用於信息轉換。半導體材料的特性參數有禁帶寬度、電阻率、載流子遷移率、非平衡載流子壽命和位錯密度。禁帶寬度由半導體的電子態、原子組態決定，反映組成這種材料的原子中價電子從束縛狀態激發到自由狀態所需的能量。電阻率、載流子遷移率反映材料的導電能力。非平衡載流子壽命反映半導體材料在外界作用（如光或電場）下內部載流子由非平衡狀態向平衡狀態過渡的弛豫特性。位錯是晶體中最常見的一類缺陷。位錯密度用來衡量半導體單晶材料晶格完整性的程度，對於非晶態半導體材料，則沒有這一參數。半導體材料的特性參數不僅能反映半導體材料與其他非半導體材料之間的差別，更重要的是能反映各種半導體材料之間甚至同一種材料在不同情況下，其特性的量值差別。

⑹ 半導體有哪些用途

半導體的用途：
用半導體材料製成的部件、集成電路等是電子工業的重要基礎產品，在電子技術的各個方面已大量使用。半導體材料、器件、集成電路的生產和科研已成為電子工業的重要組成部分。在新產品研製及新技術發展方面，比較重要的領域有：
1、集成電路
它是半導體技術發展中最活躍的一個領域，已發展到大規模集成的階段。在幾平方毫米的矽片上能製作幾萬只晶體管，可在一片矽片上製成一台微信息處理器，或完成其它較復雜的電路功能。集成電路的發展方向是實現更高的集成度和微功耗，並使信息處理速度達到微微秒級。
2、微波器件
半導體微波器件包括接收、控制和發射器件等。毫米波段以下的接收器件已廣泛使用。在厘米波段，發射器件的功率已達到數瓦，人們正在通過研製新器件、發展新技術來獲得更大的輸出功率。
3、光電子器件
半導體發光、攝象器件和激光器件的發展使光電子器件成為一個重要的領域。它們的應用范圍主要是：光通信、數碼顯示、圖象接收、光集成等。
定義：
半導體（ semiconctor），指常溫下導電性能介於導體（conctor）與絕緣體（insulator）之間的材料。
分類：
按化學成分可分為元素半導體和化合物半導體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導體；化合物半導體包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物（ 硫化鎘、硫化鋅等）、氧化物（錳、鉻、鐵、銅的氧化物）,以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物組成的固溶體（鎵鋁砷、鎵砷磷等）。
按照其製造技術可以分為：集成電路器件，分立器件、光電半導體、邏輯IC、模擬IC、儲存器等大類，一般來說這些還會被分成小類。此外還有以應用領域、設計方法等進行分類，雖然不常用，但還是按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其規模進行分類的方法。此外，還有按照其所處理的信號，可以分成模擬、數字、模擬數字混成及功能進行分類的方法。
特點：
半導體五大特性∶摻雜性，熱敏性，光敏性，負電阻率溫度特性，整流特性。