為什麼本徵半導體費米能級在禁帶中央
『壹』 已知載流子濃度和導電類型,求費米能級相對於本徵費米能級和價帶頂的位置
一個深情的凝視
『貳』 什麼是費米能級和本徵能級
本徵能級就是電子和空穴是由本徵激發產生的,一般在禁帶中部,特殊情況不知道
費米能級是電子填充能級的標志,一般是化學勢,區別存在簡並和非簡並情況,所表示的意義是有區別的
『叄』 對本徵的半導體加光照,准費米能級是不是對稱的
首先要知道什麼是費米能級,它表示什麼。樓主也要明確一個概念,你所回說的費米能級是摻雜費米能級答,而不是本徵費米能級。
(本徵)費米能級以下,被電子占據的幾率為50%,當你摻雜時,載流子電子增多,費米能級向導帶移動,(通俗得想,電子多了,原來本徵費米能級以下的地方還能夠用嗎?自然需要更多的空間,此空間是能量空間,不是我們通常認識的幾何空間),移動後的費米能級就是摻雜費米能級,而本徵費米能給是不動的。
當摻雜越來越多,摻雜費米能級就越長越高,最後接近甚至進入導帶,也就是常說的簡並~
當摻雜P雜質時,摻雜費米能級將向價帶移動。。。。。類似的過程~~
『肆』 畫出本徵半導體,p型半導體(淺參雜),n型半導體(淺參雜)費米能級
這是電子學的基本知識,也就是幾個圖,去電子學方面的書,有關半導體的,就知道怎麼畫了。
『伍』 題目:計算硅在-78℃,27℃,300℃時的本徵費米能級,假設它在禁帶中線處合理嗎 在線等,謝謝
對si而言可以,只要看㏑(Nc/Nv)是不是1的數量級,是即可
『陸』 本徵半導體費米能級為什麼在禁帶中,禁帶中不是沒有電子嗎,為什麼會是電子占據概率0.5的能級位置呢
可以這么想,在理想情況下,價帶是填滿電子,導帶是沒有任何電子的,那麼佔有回幾率為0.5的費答米能級必然在禁帶中.
你說到了兩個容易混淆的概念,要注意區分.其一是單個電子的分布幾率,遵從費米分布,是遞減的;其二是電子能態的分布,也就是教科書中說的「電子的態密度」,即量子態隨著能量的分布,是遞增的.你說禁帶沒有電子,涉及的是第二個概念,因為相對於導帶底,禁帶能量是負,自然沒有量子態,更無所謂電子的存在.而電子佔有幾率為0.5,說的是第一個概念.
『柒』 計算硅在-78℃,27℃,300℃時的本徵費米能級,假設它在禁帶中線處合理嗎
對si而言可以,只要看㏑(Nc/Nv)是不是1的數量級,是即可
『捌』 為什麼n型半導體中重摻雜會使費米能級進入導帶
簡單的解釋就是導帶實質上就是自由電子較多,是電子導電性材料。而n型半導體中重摻雜會使更多的多餘電子參加到導電電子行列中,因此會使費米能級進入導帶。
『玖』 本徵半導體的費米能級與什麼有關
費米能級處能帶的位置與半導體的電子、空穴濃度有關,導體的電子、空穴濃度相等,本徵半費米能級位於禁帶中線Ei處