n型半導體帶什麼電
㈠ n型半導體主要靠什麼導電
1.N型半導體主要靠「電子」導電,P型半導體主要靠來「空穴」導電.
2.晶體三極體版的三個電極分別稱「發射權」極、「基極」和 「集電」極.
3.晶體三極體的輸出特性可知,它有 「截止」區 和「放大」 區域.
㈡ 什麼是N型半導體
在半導體硅、鍺中摻入銻、磷、砷等元素,會增加大量自由電子,使半導體主要靠電子導電,幫稱為電子型半導體,或稱為N型半導體、N型材料。答案來自於《電子技術基礎》,請採納,謝謝加分
㈢ P型半體帶什麼電,N型半導體帶什麼電。
不論是p型還是n型,雖然它們都有一種載流子佔多數,但是整個晶體仍然是不帶電的。望採納,謝謝
㈣ 什麼是P型半導體和N型半導體其多數載流子和少數載流子各是什麼能否說P型半導體帶正電、N型半導體帶負
P型半導體即空穴濃度遠大於自由電子濃度的雜質半導體
N型半導體即自由電子濃度遠大於內空穴濃度的雜質半容導體
如果半導體中電子濃度大時,電子就是多數載流電子,空穴就是少數載流電子。相反,如果該半導體中空穴濃度大時,空穴就是多數載流電子,電子就是少數載流電子。
P型半導體、N型半導體都是電中性
㈤ 外加電壓下,n型半導體中主要是什麼電流
外加電壓下,n型半導抄體中主要是電子電流
N型半導體,以電子為多數載流子的半導材料,n為negative(負)之意。n型半導體是通過引入施主型雜質而形成的。在純半導體材料中摻入雜質,使禁帶中出現雜質能級,若雜質原子能給出電子的,其能級為施主能級,該半導體為n型半導體。如將V族元素砷雜質加入到IV族半導體硅中。它能改變半導體的導電率和導電類型。對n型半導體,電子激發進入導帶成為主要載流子。例如,摻入第15(VA)族元素(磷、砷、銻、鉍等)的硅與鍺。也有某些固體總是n型的,如ZnO,TiO,V2O5和MoO3等
在N型半導體中,自由電子為多子,空穴為少子,主要靠自由電子導電。摻入的雜質越多,多子(自由電子)的濃度就越高,導電性能就越強。
㈥ n型半導體本身是帶負電,還是電中性的為什麼
半導體內還有不可移動的電荷,比如帶正電的原子核,這樣就能與N型半導體的多數載流子是電子平衡,維持電中性條件了2.在雜質半導體中, 正負電荷數是相等的,它們的作用相互抵消,因此保持電中性。
㈦ n型半導體帶電嗎為什麼4.半導體分哪幾種各有什麼特點
不帶電。n型半導體是指在本徵半導體中加入五價元素,每一個五價元素原子與四個四價半導體元素原子形成四對共用電子對(每一對電子對由半導體元素原子與該五價元素原子各提供一個電子),這樣五價元素原子因四對八個共用電子而達到最外層電子穩定,於是多出來的一個電子(因為形成共用電子對時五價元素原子只貢獻了4個電子)就成為自由電子,這就是n型半導體的多數載流子。但是盡管如此,n型半導體還是不帶電。因為加入五價元素後所有原子的質子數與所有原子的電子數仍然相等,在加入五價元素後,在載流子的形成過程中不存在系統對外電子的失去或得到。因此整個系統還是靜電平衡,因此,不帶電。半導體一般分為本徵半導體和雜質半導體。雜質半導體根據摻入元素價態的不同又分為n型半導體(摻入五價元素)與p型半導體(摻入三價元素)。本徵半導體導電性能很差,其中電子和空穴都參與導電,而電子和空穴都是熱激發形成的。因此本徵半導體的導電性具有溫度敏感性。雜質半導體導電性能要好於本徵半導體。同時雜質半導體主要是多子(多數載流子)導電。這是因為五價或三價元素摻入的過程使多子數量遠多於少子數量。其中n型半導體多子為自由電子,p型半導體多子為空穴。因為雜質半導體多子數量主要和摻入雜質數量有關,因此其多子幾乎不受溫度影響。但其導電性對溫度也比較敏感,這是因為質半導體中的少子還是受熱激發產生的,因此也受溫度影響。
㈧ P型半導體帶正電,N型半導體帶負電
半導體抄是中性物。在激發襲態才是
P型半導體,也叫空穴半導體,在硅中摻雜了3價的鋁元素,與周圍硅4價形成共價結合,缺一個電子,形成空穴。這樣是相當於帶正電的粒子。
N型半導體,也叫電子半導體,在硅中摻雜5價磷,和硅4價,結合共價後,多一個自由電子。
當PN結組合形成二極體結構,就利用PN結的特性。
㈨ N型半導體本身是帶負電還是電中性的
半導體復內還有不可移動的電制荷,比如帶正電的原子核,這樣就能與N型半導體的多數載流子是電子平衡,維持電中性條件了;在雜質半導體中, 正負電荷數是相等的,它們的作用相互抵消,因此保持電中性。
半導體是中性物。在激發態才是P型半導體,也叫空穴半導體,在硅中摻雜了3價的鋁元素,與周圍硅4價形成共價結合,缺一個電子,形成空穴。這樣是相當於帶正電的粒子。
N型半導體,也叫電子半導體,在硅中摻雜5價磷,和硅4價,結合共價後,多一個自由電子。當PN結組合形成二極體結構,就利用PN結的特性。
(9)n型半導體帶什麼電擴展閱讀:
n型半導體是裡面加了一些帶自由電子的原子參雜,是穩態的,這些電子雖然比空穴多,但是受核子的束縛。
由於N型半導體中正電荷量與負電荷量相等,故N型半導體呈電中性。自由電子主要由雜質原子提供,空穴由熱激發形成。摻入的雜質越多,多子(自由電子)的濃度就越高,導電性能就越強。