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半導體分為什麼

發布時間: 2021-01-09 09:37:28

① 按照結構半導體二極體分為那幾種

按照結構,半導體二極體分為點接觸和面接觸這兩種。謝謝。

② 按所摻雜質的不同,半導體可分為兩類,即()()

按所摻雜質的不同,半導體可分為兩類,即(電子類)(空穴類)

③ 半導體按導電類型分為什麼型半導體與什麼型半導體

半導體按導電類型分為(電子導電)型半導體與(空穴導電 )型半導體
從結構上來分為:N型與P型

④ 雜質半導體按導體電流類型分為哪兩種

(1)雜質半導體按導體電流類型分為電子型半導體和空穴型半導體
(2)N型半導版體,以電子權為多數載流子的半導材料,n為negative(負)之意。n型半導體是通過引入施主型雜質而形成的。在純半導體材料中摻入雜質,使禁帶中出現雜質能級,若雜質原子能給出電子的,其能級為施主能級,該半導體為n型半導體。如將V族元素砷雜質加入到IV族半導體硅中。它能改變半導體的導電率和導電類型。對n型半導體,電子激發進入導帶成為主要載流子。例如,摻入第15(VA)族元素(磷、砷、銻、鉍等)的硅與鍺。也有某些固體總是n型的,如ZnO,TiO,V2O5和MoO3等。
P型半導體,也稱為空穴型半導體。P型半導體即空穴濃度遠大於自由電子濃度的雜質半導體。是在純凈的硅晶體中摻入三價元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位子,就形成P型半導體。在P型半導體中,空穴為多子,自由電子為少子,主要靠空穴導電。摻入的雜質越多,多子(空穴)的濃度就越高,導電性能就越強。

⑤ 半導體的分類

按摻雜大體可分為p型和n型;按摻不摻雜可分為本徵和雜質;按材料組成可分為元素半導體和化合物半導體,還有一些是非晶態和液態半導體。
這是我常遇到到的,希望你滿意!

⑥ 半導體存儲器分為哪兩種

按其功能可分為:隨機存取存儲器(簡稱RAM)和只讀存儲器(只讀ROM)

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⑦ 半導體二極體按材料分為哪兩種

二極體種類有很多,按照所用的半導體材料,可分為鍺二極體(Ge管)和硅內二極體(Si管)。

根據其不同用途容,可分為檢波二極體、整流二極體、穩壓二極體、開關二極體、隔離二極體、肖特基二極體、發光二極體、硅功率開關二極體、旋轉二極體等。按照管芯結構,又可分為點接觸型二極體、面接觸型二極體及平面型二極體。

(7)半導體分為什麼擴展閱讀

1、鍺二極體正向在0.1V就開始有電流了,而硅二極體要到0.5V才開始有電流,就是開始導通時的電壓不同,鍺管小,硅管大;

2、開始導通後,鍺管電流增大得慢,硅管電流增大得快。

鍺管的直流電阻小於硅管的直流電阻;但是硅管的交流電阻小於鍺管的交流電阻。 在規定的正向電流下,二極體的正向電壓降,使二極體能夠導通的正向最低電壓。

小電流硅二極體的正向壓降在中等電流水平下,約0.6~0.8 V;鍺二極體約0.2~0.3 V。大功率的硅二極體的正向壓降往往達到1V。

⑧ 半導體工藝流程中的前段(F)後段(B)一般是如何劃分的,為何要這樣劃分

晶元的製造過程可概分為晶圓處理工序(Wafer Fabrication)、晶圓針測工序(Wafer Probe)、構裝工序(Packaging)。

測試工序(Initial Test and Final Test)等幾個步驟。其中晶圓處理工序和晶圓針測工序為前段(Front End)工序,而構裝工序、測試工序為後段(Back End)工序。

按照其製造技術可分為分立器件半導體、光電半導體、邏輯IC、模擬IC、存儲器等大類,一般來說這些還會被再分成小類。

此外,IC除了在製造技術上的分類以外,還有以應用領域、設計方法等進行分類,最近雖然不常用。

但還有按照IC、LSI、VLSI(超大LSI)及其規模進行分類的方法。此外,還有按照其所處理的信號,可以分成模擬、數字、模擬數字混成及功能進行分類的方法。

晶圓處理工序:本工序的主要工作是在晶圓上製作電路及電子元件(如晶體管、電容、邏輯開關等),其處理程序通常與產品種類和所使用的技術有關。

但一般基本步驟是先將晶圓適當清洗,再在其表面進行氧化及化學氣相沉積,然後進行塗膜、曝光、顯影、蝕刻、離子植入、金屬濺鍍等反復步驟,最終在晶圓上完成數層電路及元件加工與製作。

(8)半導體分為什麼擴展閱讀:

(1)元素半導體。元素半導體是指單一元素構成的半導體,其中對硅、錫的研究比較早。它是由相同元素組成的具有半導體特性的固體材料,容易受到微量雜質和外界條件的影響而發生變化。目前, 只有硅、鍺性能好,運用的比較廣,硒在電子照明和光電領域中應用。

硅在半導體工業中運用的多,這主要受到二氧化硅的影響,能夠在器件製作上形成掩膜,能夠提高半導體器件的穩定性,利於自動化工業生產。

(2)無機合成物半導體。無機合成物主要是通過單一元素構成半導體材料,當然也有多種元素構成的半導體材料,主要的半導體性質有I族與V、VI、VII族;II族與IV、V、VI、VII族;III族與V、VI族;IV族與IV、VI族。V族與VI族;

VI族與VI族的結合化合物,但受到元素的特性和製作方式的影響,不是所有的化合物都能夠符合半導體材料的要求。這一半導體主要運用到高速器件中,InP製造的晶體管的速度比其他材料都高,主要運用到光電集成電路、抗核輻射器件中。 對於導電率高的材料,主要用於LED等方面。

⑨ 集成電路大體分為幾類

(一)按功能結構分類
集成電路按其功能、結構的不同,可以分為模擬集成電路和數字集成電路兩大類。
模擬集成電路用來產生、放大和處理各種模擬信號(指幅度隨時間邊疆變化的信號。例如半導體收音機的音頻信號、錄放機的磁帶信號等),而數字集成電路用來產生、放大和處理各種數字信號(指在時間上和幅度上離散取值的信號。例如VCD、DVD重放的音頻信號和視頻信號)。

(二)按製作工藝分類
集成電路按製作工藝可分為半導體集成電路和薄膜集成電路。
膜集成電路又分類厚膜集成電路和薄膜集成電路。

(三)按集成度高低分類
集成電路按集成度高低的不同可分為小規模集成電路、中規模集成電路、大規模集成電路和超大規模集成電路。

(四)按導電類型不同分類
集成電路按導電類型可分為雙極型集成電路和單極型集成電路。
雙極型集成電路的製作工藝復雜,功耗較大,代表集成電路有TTL、ECL、HTL、LST-TL、STTL等類型。單極型集成電路的製作工藝簡單,功耗也較低,易於製成大規模集成電路,代表集成電路有CMOS、NMOS、PMOS等類型。

(五)按用途分類
集成電路按用途可分為電視機用集成電路、音響用集成電路、影碟機用集成電路、錄像機用集成電路、電腦(微機)用集成電路、電子琴用集成電路、通信用集成電路、照相機用集成電路、遙控集成電路、語言集成電路、報警器用集成電路及各種專用集成電路。
1.電視機用集成電路包括行、場掃描集成電路、中放集成電路、伴音集成電路、彩色解碼集成電路、AV/TV轉換集成電路、開關電源集成電路、遙控集成電路、麗音解碼集成電路、畫中畫處理集成電路、微處理器(CPU)集成電路、存儲器集成電路等。
2.音響用集成電路包括AM/FM高中頻電路、立體聲解碼電路、音頻前置放大電路、音頻運算放大集成電路、音頻功率放大集成電路、環繞聲處理集成電路、電平驅動集成電路,電子音量控制集成電路、延時混響集成電路、電子開關集成電路等。
3.影碟機用集成電路有系統控制集成電路、視頻編碼集成電路、MPEG解碼集成電路、音頻信號處理集成電路、音響效果集成電路、RF信號處理集成電路、數字信號處理集成電路、伺服集成電路、電動機驅動集成電路等。
4.錄像機用集成電路有系統控制集成電路、伺服集成電路、驅動集成電路、音頻處理集成電路、視頻處理集成電路。

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