本徵半導體的載流子有哪些

A. 摻雜半導體中本徵載流子和少數載流子的關系

成立
本徵載流子是無雜質時半導體的載流子濃度，且n=p=ni，且np=ni平方。版

而有雜質時np=ni平方仍成立，權以n為多子，注，此時無本徵載流子ni，都是熱平衡載流子n0，p0。它們乘積=無雜質時ni平方。

B. 半導體中的本證半導有兩種載流子與本徵半導體的不同

本徵半導體：晶格完整且不含雜質的單晶半導體，其中參與導電的電子和空穴數目相等。這是一種實際上難以實現的理想情況。實用上所說的本徵半導體是指僅含極痕量雜質，導電性能與理想情況很相近的半導體。

C. 本徵半導體的載流子濃度取決於

雜質電離,PNP,NPN,電子,空穴

D. 本徵半導體載流子的復合為哪個物理過程

有選擇答案嗎？

E. 本徵半導體是兩種載流子參與傳導電子，雜質半導體是一種載流子參與導電，所以本徵半導體導電性能好，這句

本徵半導體雖然有兩種載流子，但是數量有限，導電性能不明顯。摻雜半導體使得載流子濃度明顯提高，所以導電性要大大增強。

F. 本徵載流子濃度與哪些因素有關

1、與溫度有關，同樣材質的半導體，溫度越高，熱激發越強烈，本徵載流子濃度越高
2、與禁帶寬度有關，同樣的溫度下，禁帶寬度越窄，電子或空穴更容易從價帶躍遷到導帶，本徵載流子深度越高。

G. 本徵半導體載流子數目取決於

本徵半導體載流子數目取決於該材料禁帶寬度，但是溫度也會影響載流子濃度。

H. 本徵半導體與雜質半導體的載流子有何異同啊

本徵半導體是不含雜質的，其電子濃度＝空穴濃度
而導質半導體則通過引入雜質，增加某種載流子濃度，因此某咱載流子濃度通常遠大於另一方

I. 在半導體中存在哪兩種載流子

本徵載流子就是本徵半導體中的載流子，即
電子
和
空穴
，即不是由摻雜所產生出來的載流子。也就是說，內本徵載流子是由熱激發——本徵激發所產生出來的，即是價電子從價帶躍遷到導帶而產生出來的；它們是成對產生的，所以電子和空容穴的濃度始終相等。
本徵半導體，從物理本質上來說，也就是兩種載流子數量相等、都對導電起同樣大小的半導體。因此，未摻雜的半導體是本徵半導體，但是摻有雜質的半導體在一定條件下也可能成為本徵半導體（只要兩種載流子的濃度相等）。
對於摻有雜質的n型或p型半導體，其中的多數載流子主要就是由雜質電離所提供，而其中的少數載流子則是由本徵激發所產生的。因此，在雜質全電離情況下，多數載流子濃度基本上與溫度無關，但少數載流子則隨著溫度將指數式增大。