為什麼高摻雜的半導體耗盡層窄

① 關於半導體摻雜濃度與PN結耗盡層寬度問題

概念上的問題
首先，沒有擴散能量這個概念，擴散是一種自然進行的動作，專最終會達到屬動態平衡。而耗盡層寬度就取決於達到動態平衡狀態的摻雜濃度。

而耗盡層的寬度主要受到兩種作用的影響，那就是多子的擴散和少子的漂移，擴散是由於濃度差的存在，漂移是因為空間電荷區的電場作用，兩者達到動態平衡後耗盡層寬度就不再變化。
摻雜濃度越高，耗盡區越寬，而不是越窄，濃度升高，擴散作用變強，空間電荷區變寬，同時漂移作用增強阻礙擴散，達到平衡後實際耗盡區寬度是變寬了。

最後，電場強度如上所述，是會隨著摻雜濃度變化的，而不是不變的

② 為什麼摻雜濃度較高，pn結就會越窄

在高摻雜濃度的情況下，因勢壘區寬度很小，反向電壓較大時，破版壞了勢壘區內共權價鍵結構，使價電子脫離共價鍵束縛，產生電子-空穴對，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢壘區寬度較寬，不容易產生齊納擊穿。

齊納擊穿一般發生在摻雜濃度較高的PN結中。這是因為摻雜濃度較高的PN結，空間電荷區的電荷密度很大，寬度很窄，只要加很小的反向電壓就能夠建立起很強的電場，發生齊納擊穿。

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從PN結的形成原理可以看出，要想讓PN結導通形成電流，必須消除其空間電荷區的內部電場的阻力。很顯然，給它加一個反方向的更大的電場，即P區接外加電源的正極，N區結負極，就可以抵消其內部自建電場，使載流子可以繼續運動，從而形成線性的正向電流。

而外加反向電壓則相當於內建電場的阻力更大，PN結不能導通，僅有極微弱的反向電流（由少數載流子的漂移運動形成，因少子數量有限，電流飽和）。

當反向電壓增大至某一數值時，因少子的數量和能量都增大，會碰撞破壞內部的共價鍵，使原來被束縛的電子和空穴被釋放出來，不斷增大電流，最終PN結將被擊穿（變為導體）損壞，反向電流急劇增大。

③ 為什麼高摻雜的半導體耗盡層窄呢

見「http://blog.163.com/xmx028@126/」中的有關說回明。答

④ 為什麼高摻雜的半導體耗盡層窄

電場強度等於：摻雜濃度*寬度（E=Nd*W）
電勢差等於：電場強度*寬度
所以：電勢差等於摻雜濃度*寬度的平方。
搞摻雜的摻雜能讀大，所以耗盡層寬度窄。

⑤ PN結耗，盡層寬度跟參雜濃度的關系是什麼

第一問：對於N型半導體，自由電子是多數載流子（多子）——雜質原子提供，空穴是少數版載流子（少權子）——熱激發形成；而P型半導體，空穴是多子——摻雜形成，自由電子是少子——熱激發形成。多子的數量與摻雜濃度有關，高摻雜則多子數量多。P型半導體和N型半導體中間的空間電荷區就是PN結，因為其缺少多子又稱耗盡層。高摻雜時耗盡層兩端的濃度差大，多子的擴散運動劇烈，空間電荷區理論上加寬，但是空間電荷區產生的內電場導致少子的漂移運動也劇烈，空間電荷區又要變薄，最終要達到動態平衡，所以相比低摻雜時達到動態平衡所需時間更短，載流子運動距離短，電子和空穴很快就復合了，耗盡層也就窄了。
「齊納擊穿說不大的反向電壓就可以在耗盡層形成很強的電場」，前面已經說過高摻雜，耗盡層寬度（d）小，將其看成平行板電容器，內電場E=U/d，所以E很強，直接打斷共價鍵。
第二問：齊納擊穿，摻雜濃度高，內電場強，利用這一性質做成了穩壓管；
雪崩擊穿，摻雜濃度低，碰撞電離，就像滾雪球的倍增效應，利用這一性質做成了整流二極體。兩者都屬於電擊穿，一定條件下是可逆的。

⑥ 在模擬電子中，為什麼參雜濃度越高，耗盡層越窄，參雜濃度越小，耗盡層越寬呢

這個很好理來解，「耗盡層」，自顧名思義，他的主導作用就是起到電阻作用的，其他的作用咱先不說，既然是電阻，那就按電阻的性質來分析一下，比如一杯水的電阻大小是不是和他的溫度啊還有他的濃度（干凈程度）啊什麼的有關系。濃度越大他的可導電分子就愈多，導電性能就越好，濃度越小，就像蒸餾水一樣，鬼才信他能導電呢，呵呵呵，所以我對耗盡層的理解就是電阻層，

⑦ 為什麼摻雜濃度越高,PN結越窄 P,N都是高摻雜的情況下,為什麼PN結卻越窄了

簡單的說抄：摻雜濃度過高襲,雜質原子過於靠近,從而相互結合,這就減少了參與到PN結形成的雜質原子數量,從而造成PN結變窄.
以下信息供參考理解用：
晶體是由許多原子在靠近時,通過電子軌道相互重疊並「成鍵」後組成.
此時,原子中的「電子狀態」將由「能級狀態」轉變為「能帶狀態」——即能級展寬為能帶.
類似地,當摻雜濃度很高、以致相鄰「雜質原子」的電子軌道發生交疊時,雜質能級即展寬為雜質能帶.
電子在雜質能帶中同樣具有一定的導電性；不過因為雜質原子軌道的交疊不會很大,則雜質能帶的寬度較小,從而導電作用不大 (一般只是在低溫下有貢獻).
當半導體的摻雜濃度很高時,大量的雜質中心的電勢將使得導帶和價帶出現能帶尾；如果摻雜濃度高到使能帶尾與雜質能帶相連時,就將造成半導體能隙變窄.
微觀粒子系統處於各穩定的能量狀態時所具有的能量值.
原子在形成分子時,原子軌道構成具有分立能級的分子軌道.由原子軌道所構成的分子軌道的數量非常之大,以至於可以將所形成的分子軌道的能級看成是准連續的,即形成了能帶.

⑧ 模擬電子技術基礎 為什麼在高摻雜的情況下，耗盡層（空間電荷區）寬度很窄

按照半導體物理學，耗盡層(空間電荷區)就是摻雜造成的。自然，摻雜越多，耗回盡層就越答寬。
你用的模擬電子技術基礎寫錯了。
老舊模電書寫錯的地方海多了。
這是因為，半導體物理學是模擬電子學的基礎。但是老舊模擬電子技術教科書，基本上沒怎麼用半導體物理學。
所謂，基礎不牢地動山搖呀！

⑨ PN結在高摻雜的情況下,耗盡層寬度為什麼變窄

這是一個關於器件物理的問題，建議去參見「http://blog.163.com/xmx028@126/」中內的有關容說明。

⑩ 為什麼摻雜濃度越高,PN結越窄

簡單的說：摻雜濃來度自過高，雜質原子過於靠近，從而相互結合，這就減少了參與到PN結形成的雜質原子數量，從而造成PN結變窄。
以下信息供參考理解用：
晶體是由許多原子在靠近時，通過電子軌道相互重疊並「成鍵」後組成。
此時，原子中的「電子狀態」將由「能級狀態」轉變為「能帶狀態」——即能級展寬為能帶。
類似地，當摻雜濃度很高、以致相鄰「雜質原子」的電子軌道發生交疊時, 雜質能級即展寬為雜質能帶。
電子在雜質能帶中同樣具有一定的導電性；不過因為雜質原子軌道的交疊不會很大，則雜質能帶的寬度較小，從而導電作用不大 (一般只是在低溫下有貢獻)。
當半導體的摻雜濃度很高時，大量的雜質中心的電勢將使得導帶和價帶出現能帶尾；如果摻雜濃度高到使能帶尾與雜質能帶相連時，就將造成半導體能隙變窄。
能級解釋：微觀粒子系統處於各穩定的能量狀態時所具有的能量值。
能帶解釋：原子在形成分子時，原子軌道構成具有分立能級的分子軌道。由原子軌道所構成的分子軌道的數量非常之大，以至於可以將所形成的分子軌道的能級看成是准連續的，即形成了能帶。