典型半導體有哪些

❾ 什麼是光生伏特效應光生伏特效應的典型器件是什麼它們的主要特點與異同

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光生伏特效應



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貢獻者劉全生

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光生伏特效應，英文名稱：Photovoltaic effect。光生伏特效應是指半導體在受到光照射時產生電動勢的現象。

光生伏特效應--(可製作光電池、光敏二極體、光敏三極體和半導體位置敏感器件感測器）；側向光生伏特效應（殿巴效應）--(可製作半導體位置敏感器件（反轉光敏二極體）感測器）；PN結光生伏特效應--(可製作光電池、光敏二極體和光敏三極體感測器）。

中文名

光生伏特效應

外文名

Photovoltaic effect

產業鏈

硅料、矽片、電池片

解釋

半導體受光照射產生電動勢的現象

介紹

利用太陽能的最佳方式是光伏轉換，就是利用光伏效應，使太陽光射到硅材料上產生電流直接發電。

光生伏特效應用

「光生伏特效應」（ Photovoltaic effect），簡稱「光伏效應」。光伏效應指光照使不均勻半導體或半導體與金屬結合的不同部位之間產生電位差的現象。它首先是由光子（光波）轉化為電子、光能量轉化為電能量的過程；其次，是形成電壓過程。有了電壓，就像築高了大壩，如果兩者之間連通，就會形成電流的迴路。

光伏材料能將太陽能直接轉換成電能的材料。光伏材料又稱太陽能電池材料，只有半導體材料具有這種功能。可做太陽電池材料的材料有單晶硅、多晶硅、非晶硅、GaAs、GaAlAs、InP、CdS、CdTe等。用於空間的有單晶硅、GaAs、InP。用於地面已批量生產的有單晶硅、多晶硅、非晶硅。其他尚處於開發階段。目前致力於降低材料成本和提高轉換效率，使太陽能電池的電力價格與火力發電的電力價格競爭，從而為更廣泛更大規模應用創造條件。

以硅材料的應用開發形成的產業鏈條稱之為光伏產業，包括高純多晶硅原材料生產、太陽能電池生產、太陽能電池組件生產、相關生產設備的製造等。

太陽能電池組件

我國76%的國土光照充沛，光能資源分布較為均勻；與水電、風電、核電等相比，太陽能發電沒有任何排放和雜訊，應用技術成熟，安全可靠；除大規模並網發電和離網應用外，太陽能還可以通過抽水、超導、蓄電池、制氫等多種方式儲存， 太陽能+蓄能，幾乎可以滿足中國未來穩定的能源需求。

❿ 三種典型的集成電路

a.膜集成電路

根據工藝方法及膜厚的不同，又可分為厚膜集成電路和薄膜集成電路兩類。厚膜集成電路是利用絲網漏印的方法(即相似於利用油墨和蠟紙進行印刷的方法)，在絕緣基片上(陶瓷或玻璃)，放上預先做好的漏印板，把電阻材料的印漿通過漏印板印刷在基片上，烘乾後就成了厚膜電阻。這種電阻膜的厚度一般有幾微米(1微米是千分之一毫米)。通過改變電阻印漿的材料成份以及改變漏印板上的電阻圖形的方法，可以得到不同的阻值。利用多層印刷不同材料，可以製作電容器。但是晶體管目前尚不能用這種方法製造。電路中所需的晶體管是利用了硅平面管的管芯矽片，然後和相應元件焊接起來。一塊厚膜電路的整個電路連線，是利用漏印法塗印金屬印漿而製成

b.半導體集成電路

半導體集成電路是以半導體單晶為基礎材料(目前主要是用硅單晶材料)，以製造硅平面晶體管的平面工藝為基本工藝，把晶體管、二極體、電阻電容等製作在同一矽片之上，並且相互連接形成一個完整的電路。電路中的電阻主要是利用摻入一定雜質量的半導體電阻，根據阻值大小，電阻的形狀可以是各不相同的。電路中的電容是利用半導體PN結電容，或是用二氧化硅層為電介質而做成電容。電路中的電阻電容是在製作晶體三極體的同時製造的。半導體集成電路中的晶體三極體都是硅平面三極體，是和其他元件製作在同一矽片之上。製作元件的過程中，利用一定工藝方法使元件與元件之間彼此相互絕緣，最後聯成電路時，在矽片表面蒸發一層金屬鋁薄膜，完成元件的聯接。做好的電路硅晶元，封入一定的外殼之中。

c.混合集成電路

凡是一個完整電路不能由半導體集成技術或膜集成技術單獨製成，而是利用導體集成電路、膜集成電路、分立元件器件這三種工藝方法中的任意兩種或三種混合製作的微型結構電路，都叫混合集成電路。這種混合集成電路可以充分發揮每種工藝方法的特點。例如半導體集成電路在製作高阻值、高精度電阻器方面比較困難，就可以在半導體集成電路的二氧化能介質層上製造薄膜電阻來加以解決。