半導體器件的性能參數有哪些說民其意義

❶ 半導體有什麼特性

半導體具有特性有：可摻雜性、熱敏性、光敏性、負電阻率溫度、可整流性。

半導版體材料除了用於製造大規模權集成電路之外，還可以用於功率器件、光電器件、壓力感測器、熱電製冷等用途；利用微電子的超微細加工技術，還可以製成MEMS（微機械電子系統），應用在電子、醫療領域。

半導體是指導電性能介於導體和絕緣體之間的材料。通過摻入雜質來改變其導電性能，人為控制它導電或者不導電以及導電的容易程度。

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半導體的四種分類方法

1、按化學成分：分為元素半導體和化合物半導體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導體；化合物半導體包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物、氧化物，以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物組成的固溶體。除上述晶態半導體外，還有非晶態的玻璃半導體、有機半導體等。

2、按製造技術：分為集成電路器件，分立器件、光電半導體、邏輯IC、模擬IC、儲存器等大類，一般來說這些還會被分成小類。

3、按應用領域、設計方法分類：按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其規模進行分類的方法。

4、按所處理的信號：可以分成模擬、數字、模擬數字混成及功能進行分類的方法。

❷ 半導體器件有哪些分類

現在被稱作半導體器件的種類如下所示。按照其製造技術可分為分立器件半導體、光電半導體、邏輯IC、模擬IC、存儲器等大類，一般來說這些還會被再分成小類。此外，IC除了在製造技術上的分類以外，還有以應用領域、設計方法等進行分類，最近雖然不常用，但還有按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其規模進行分類的方法。此外，還有按照其所處理的信號，可以分成模擬、數字、模擬數字混成及功能進行分類的方法。
半導體器件的種類：
一、分立器件
1、 二極體
A、一般整流用
B、高速整流用：
①FRD（Aast Recovery Diode:高速恢復二極體）
②HED（Figh Efficiency Diode:高速高效整流二極體）
③SBD（Schottky Barrier Diode:肖特基勢壘二極體）
C、定壓二極體（齊納二極體）
D、高頻二極體
①變容二極體
②PIN二極體
③穿透二極體
④崩潰二極體/甘恩二極體/驟斷變容二極體
2、 晶體管
①雙極晶體管
②FET（Fidld Effect Transistor:場效應管）
Ⅰ、接合型FET
Ⅱ、MOSFET
③IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor:絕緣柵雙極晶體管)
3、 晶閘管
①SCR(Sillicon Controllde Rectifier:硅控整流器)/三端雙向可控硅
②GTO（Gate Turn off Thyristor:柵極光閉晶閘管）
③LTT（Light Triggered Thyristor:光觸發晶閘管）

二、光電半導體
1、LED（Light Emitting Diode:發光二極體）
2、激光半導體
3、受光器件
①光電二極體（Photo Diode）/太陽能電池（Sola Cell）
②光電晶體管（Photo Transistor）
③CCD圖像感測器（Charge Coupled Device:電荷耦合器）
④CMOS圖像感測器（complementary Metal Oxide Semiconctor:互補型金屬氧化膜半導體）
4、光耦(photo Relay)
①光繼電器（photo Relay)
②光斷路器（photo Interrupter）
5、光通訊用器件

三、邏輯IC
1、通用邏輯IC
2、微處理器（Micro Processor）
①CISC(Complex Instruction Set Computer:復雜命令集計算機)
②RISC(Reced instruction SET Computer:縮小命令集計算機)
3、DSP(Digital Signal processor:數字信號處理器件)
4、AASIC（Application Specific integrated Circuit:特殊用途IC）
①柵陳列（Gate-Array Device）
②SC(Standard Cell:標准器件)
③FPLD(Field programmable Logic Device:現場可編程化邏輯裝置)
5、MPR（Microcomputer peripheral:微型計算機外圍LSI）
6、系統LSI（System LSI）

四、模擬IC（以及模擬數字混成IC）
1、電源用IC
2、運算放大器（OP具Amp）
3、AD、DA轉換器（AD DA Converter）
4、顯示器用驅動器IC(Display Driver IC)

五、存儲器
1、DRAM(Dynamic Random Access Memory:動態隨機存取存儲器)
2、SRAM(Static Random Access Memory:靜態隨機存取儲器)
3、快閃式存儲器(Flash Memory)
4、掩模ROM(mask Memory)
5、FeRAM(Ferroelectric Random Access Memory:強介電質存儲器)
6、MRAM(Magnetic Random Access Memory:磁性體存儲器)

❸ 說一說有關半導體的知識

一、半導體基本概念
1、半導體及其導電性能
根據物體的導電能力的不同，電工材料可分為三類：導體、半導體和絕緣體。
半導體可以定義為導電性能介於導體和絕緣體之間的電工材料，半導體的電阻率為10-3～10-9 cm。典型的半導體有硅Si和鍺Ge以及砷化鎵GaAs等。
半導體的導電能力在不同的條件下有很大的差別：當受外界熱和光的作用時，它的導電能力明顯變化；往純凈的半導體中摻入某些特定的雜質元素時，會使它的導電能力具有可控性，這些特殊的性質決定了半導體可以製成各種器件。 2、本徵半導體的結構及其導電性能
本徵半導體是純凈的、沒有結構缺陷的半導體單晶。製造半導體器件的半導體材料的純度要達到99.9999999%，常稱為「九個9」，它在物理結構上為共價鍵、呈單晶體形態。在熱力學溫度零度和沒有外界激發時，本徵半導體不導電。 3、半導體的本徵激發與復合現象
當導體處於熱力學溫度0 K時，導體中沒有自由電子。當溫度升高或受到光的照射時，價電子能量增高，有的價電子可以掙脫原子核的束縛而參與導電，成為自由電子。這一現象稱為本徵激發（也稱熱激發）。因熱激發而出現的自由電子和空穴是同時成對出現的，稱為電子空穴對。
游離的部分自由電子也可能回到空穴中去，稱為復合。 在一定溫度下本徵激發和復合會達到動態平衡，此時，載流子濃度一定，且自由電子數和空穴數相等。 4、半導體的導電機理
自由電子的定向運動形成了電子電流，空穴的定向運動也可形成空穴電流，因此，在半導體中有自由電子和空穴兩種承載電流的粒子（即載流子），這是半導體的特殊性質。空穴導電的實質是:相鄰原子中的價電子（共價鍵中的束縛電子）依次填補空穴而形成電流。由於電子帶負電，而電子的運動與空穴的運動方向相反，因此認為空穴帶正電。

5、雜質半導體
摻入雜質的本徵半導體稱為雜質半導體。雜質半導體是半導體器件的基本材料。在本徵半導體中摻入五價元素（如磷），就形成N型（電子型）半導體；摻入三價元素（如硼、鎵、銦等）就形成P型（空穴型）半導體。雜質半導體的導電性能與其摻雜濃度和溫度有關，摻雜濃度越大、溫度越高，其導電能力越強。
在N型半導體中，電子是多數載流子，空穴是少數載流子。
多子（自由電子）的數量＝正離子數＋少子（空穴）的

數量
在P型半導體中，空穴是多數載流子，電子是少數載流子。
多子（空穴）的數量＝負離子數＋少子（自由電子）的
數量

❹ 半導體的性質 作用 具有什麼性

以鍺硅合金為例。

1、性質：高頻特性良好，材料安全性佳，導熱性好，而且製程成熟、整合度高，具成本較低之優勢。

2、作用：不但可以直接利用半導體現有200mm 晶圓製程，達到高集成度，據以創造經濟規模，還有媲美GaAs的高速特性。隨著近來IDM 大廠的投入，SiGe 技術已逐步在截止頻率(fT)與擊穿電壓(Breakdown voltage)過低等問題獲得改善而日趨實用。

SiGe既擁有硅工藝的集成度、良率和成本優勢，又具備第3 到第5 類半導體(如砷化鎵(GaAs)和磷化銦(InP))在速度方面的優點。只要增加金屬和介質疊層來降低寄生電容和電感，就可以採用SiGe 半導體技術集成高質量無源部件。

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半導體的導電特性介紹：

導體具有良好的導電特性，常溫下，其內部存在著大量的自由電子，它們在外電場的作用下做定向運動形成較大的電流。因而導體的電阻率很小，只有 金屬一般為導體，如銅、鋁、銀等。

絕緣體幾乎不導電，如橡膠、陶瓷、塑料等。在這類材料中，幾乎沒有自由電子，即使受外電場作用也不會形成電流，所以，絕緣體的電阻率很大，在 以上。

半導體的導電能力介於導體和絕緣體之間，如硅、鍺、硒等，它們的電阻率通常在 之間。半導體之所以得到廣泛應用，是因為它的導電能力受摻雜、溫度和光照的影響十分顯著。

如純凈的半導體單晶硅在室溫下電阻率約為 ，若按百萬分之一的比例摻入少量雜質(如磷)後，其電阻率急劇下降為 ，幾乎降低了一百萬倍。半導體具有這種性能的根本原因在於半導體原子結構的特殊性。

❺ 半導體主要有哪些特性

半導體的特徵：

一、半導體的導電能力介於導體和絕緣體之間，如硅、鍺、硒等，它們的電阻率通常在 之間。

二、半導體之所以得到廣泛應用，是因為它的導電能力受摻雜、溫度和光照的影響十分顯著。

三、如純凈的半導體單晶硅在室溫下電阻率約為 ，若按百萬分之一的比例摻入少量雜質(如磷)後，其電阻率急劇下降為 ，幾乎降低了一百萬倍。半導體具有這種性能的根本原因在於半導體原子結構的特殊性。

常用的半導體材料是單晶硅（Si）和單晶鍺（Ge）。所謂單晶，是指整塊晶體中的原子按一定規則整齊地排列著的晶體。非常純凈的單晶半導體稱為本徵半導體。

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一、本徵半導體的原子結構

半導體鍺和硅都是四價元素，其原子結構示意圖如圖Z0102所示。它們的最外層都有4個電子，帶4個單位負電荷。通常把原子核和內層電子看作一個整體，稱為慣性核。

慣性核帶有4個單位正電荷，最外層有4個價電子帶有4個單位負電荷，因此，整個原子為電中性。

二、應用

1、在無線電收音機及電視機中，作為「訊號放大器/整流器」用。

2、半導體可以用來測量溫度，測溫范圍可以達到生產、生活、醫療衛生、科研教學等應用的70%的領域，有較高的准確度和穩定性，解析度可達0.1℃，甚至達到0.01℃也不是不可能，線性度0.2%，測溫范圍-100~+300℃，是性價比極高的一種測溫元件。

3、半導體致冷器的發展, 它也叫熱電致冷器或溫差致冷器, 它採用了帕爾貼效應.

❻ 半導體的作用是啥

以非晶態半導體材料為主體製成的固態電子器件。非晶態半導體雖然在整體上分子排列無序，但是仍具有單晶體的微觀結構，因此具有許多特殊的性質。1975年，英國W.G.斯皮爾在輝光放電分解硅烷法制備的非晶硅薄膜中摻雜成功，使非晶硅薄膜的電阻率變化10個數量級，促進非晶態半導體器件的開發和應用。同單晶材料相比，非晶態半導體材料制備工藝簡單，對襯底結構無特殊要求，易於大面積生長，摻雜後電阻率變化大，可以製成多種器件。非晶硅太陽能電池吸收系數大，轉換效率高，面積大，已應用到計算器、電子表等商品中。非晶硅薄膜場效應管陣列可用作大面積液晶平面顯示屏的定址開關。利用某些硫系非晶態半導體材料的結構轉變來記錄和存儲光電信息的器件已應用於計算機或控制系統中。利用非晶態薄膜的電荷存儲和光電導特性可製成用於靜態圖像光電轉換的靜電復印機感光體和用於動態圖像光電轉換的電視攝像管的靶面。

具有半導體性質的非晶態材料。非晶態半導體是半導體的一個重要部分。50年代B.T.科洛米耶茨等人開始了對硫系玻璃的研究，當時很少有人注意，直到1968年S.R.奧弗申斯基關於用硫系薄膜製作開關器件的專利發表以後，才引起人們對非晶態半導體的興趣。1975年W.E.斯皮爾等人在硅烷輝光放電分解制備的非晶硅中實現了摻雜效應，使控制電導和製造PN結成為可能，從而為非晶硅材料的應用開辟了廣闊的前景。在理論方面，P.W.安德森和莫脫，N.F.建立了非晶態半導體的電子理論，並因而榮獲1977年的諾貝爾物理學獎。目前無論在理論方面，還是在應用方面，非晶態半導體的研究正在很快地發展著。
分類 目前主要的非晶態半導體有兩大類。
硫系玻璃。含硫族元素的非晶態半導體。例如As-Se、As-S，通常的制備方法是熔體冷卻或汽相沉積。
四面體鍵非晶態半導體。如非晶Si、Ge、GaAs等，此類材料的非晶態不能用熔體冷卻的辦法來獲得，只能用薄膜淀積的辦法(如蒸發、濺射、輝光放電或化學汽相淀積等)，只要襯底溫度足夠低，淀積的薄膜就是非晶態結構。四面體鍵非晶態半導體材料的性質，與制備的工藝方法和工藝條件密切相關。圖1 不同方法制備非晶硅的光吸收系數 給出了不同制備工藝的非晶硅光吸收系數譜，其中a、b制備工藝是硅烷輝光放電分解，襯底溫度分別為500K和300K，c制備工藝是濺射，d制備工藝為蒸發。非晶硅的導電性質和光電導性質也與制備工藝密切相關。其實，硅烷輝光放電法制備的非晶硅中，含有大量H，有時又稱為非晶的硅氫合金；不同工藝條件，氫含量不同，直接影響到材料的性質。與此相反，硫系玻璃的性質與制備方法關系不大。圖2 汽相淀積濺射薄膜和熔體急冷成塊體AsSeTe的光吸收系數譜 給出了一個典型的實例，用熔體冷卻和濺射的辦法制備的AsSeTe樣品，它們的光吸收系數譜具有相同的曲線。
非晶態半導體的電子結構 非晶態與晶態半導體具有類似的基本能帶結構，也有導帶、價帶和禁帶(見固體的能帶)。材料的基本能帶結構主要取決於原子附近的狀況，可以用化學鍵模型作定性的解釋。以四面體鍵的非晶Ge、Si為例，Ge、Si中四個價電子經sp雜化，近鄰原子的價電子之間形成共價鍵，其成鍵態對應於價帶；反鍵態對應於導帶。無論是Ge、Si的晶態還是非晶態，基本結合方式是相同的，只是在非晶態中鍵角和鍵長有一定程度的畸變，因而它們的基本能帶結構是相類似的。然而，非晶態半導體中的電子態與晶態比較也有著本質的區別。晶態半導體的結構是周期有序的，或者說具有平移對稱性，電子波函數是布洛赫函數，波矢是與平移對稱性相聯系的量子數，非晶態半導體不存在有周期性， 不再是好的量子數。晶態半導體中電子的運動是比較自由的，電子運動的平均自由程遠大於原子間距；非晶態半導體中結構缺陷的畸變使得電子的平均自由程大大減小，當平均自由程接近原子間距的數量級時，在晶態半導體中建立起來的電子漂移運動的概念就變得沒有意義了。非晶態半導體能帶邊態密度的變化不像晶態那樣陡，而是拖有不同程度的帶尾(如圖3 非晶態半導體的態密度與能量的關系 所示)。非晶態半導體能帶中的電子態分為兩類：一類稱為擴展態，另一類為局域態。處在擴展態的每個電子，為整個固體所共有，可以在固體整個尺度內找到；它在外場中運動類似於晶體中的電子；處在局域態的每個電子基本局限在某一區域，它的狀態波函數只能在圍繞某一點的一個不大尺度內顯著不為零，它們需要靠聲子的協助，進行跳躍式導電。在一個能帶中，帶中心部分為擴展態，帶尾部分為局域態，它們之間有一分界處，如圖4 非晶態半導體的擴展態、局域態和遷移率邊 中的和，這個分界處稱為遷移率邊。1960年莫脫首先提出了遷移率邊的概念。如果把遷移率看成是電子態能量的函數，莫脫認為在分界處和存在有遷移率的突變。局域態中的電子是跳躍式導電的，依靠與點陣振動交換能量，從一個局域態跳到另一個局域態，因而當溫度趨向0K時，局域態電子遷移率趨於零。擴展態中電子導電類似於晶體中的電子，當趨於0K時，遷移率趨向有限值。莫脫進一步認為遷移率邊對應於電子平均自由程接近於原子間距的情況，並定義這種情況下的電導率為最小金屬化電導率。然而，目前圍繞著遷移率邊和最小金屬化電導率仍有爭論。
缺陷 非晶態半導體與晶態相比較，其中存在大量的缺陷。這些缺陷在禁帶之中引入一系列局域能級，它們對非晶態半導體的電學和光學性質有著重要的影響。四面體鍵非晶態半導體和硫系玻璃，這兩類非晶態半導體的缺陷有著顯著的差別。
非晶硅中的缺陷主要是空位、微空洞。硅原子外層有四個價電子，正常情況應與近鄰的四個硅原子形成四個共價鍵。存在有空位和微空洞使得有些硅原子周圍四個近鄰原子不足，而產生一些懸掛鍵，在中性懸掛鍵上有一個未成鍵的電子。懸掛鍵還有兩種可能的帶電狀態：釋放未成鍵的電子成為正電中心，這是施主態；接受第二個電子成為負電中心，這是受主態。它們對應的能級在禁帶之中，分別稱為施主和受主能級。因為受主態表示懸掛鍵上有兩個電子占據的情況，兩個電子間的庫侖排斥作用，使得受主能級位置高於施主能級，稱為正相關能。因此在一般情況下，懸掛鍵保持只有一個電子占據的中性狀態，在實驗中觀察到懸掛鍵上未配對電子的自旋共振。1975年斯皮爾等人利用硅烷輝光放電的方法，首先實現非晶硅的摻雜效應，就是因為用這種辦法制備的非晶硅中含有大量的氫，氫與懸掛鍵結合大大減少了缺陷態的數目。這些缺陷同時是有效的復合中心。為了提高非平衡載流子的壽命，也必須降低缺陷態密度。因此，控制非晶硅中的缺陷，成為目前材料制備中的關鍵問題之一。
硫系玻璃中缺陷的形式不是簡單的懸掛鍵，而是「換價對」。最初，人們發現硫系玻璃與非晶硅不同，觀察不到缺陷態上電子的自旋共振，針對這表面上的反常現象，莫脫等人根據安德森的負相關能的設想，提出了MDS模型。當缺陷態上占據兩個電子時，會引起點陣的畸變，若由於畸變降低的能量超過電子間庫侖排斥作用能，則表現出有負的相關能，這就意味著受主能級位於施主能級之下。用 D、D、D 分別代表缺陷上不佔有、佔有一個、佔有兩個電子的狀態，負相關能意味著：
2D —→ D+D
是放熱的。因而缺陷主要以D、D形式存在，不存在未配對電子，所以沒有電子的自旋共振。不少人對D、D、D缺陷的結構作了分析。以非晶態硒為例，硒有六個價電子，可以形成兩個共價鍵，通常呈鏈狀結構，另外有兩個未成鍵的 p電子稱為孤對電子。在鏈的端點處相當於有一個中性懸掛鍵，這個懸掛鍵很可能發生畸變，與鄰近的孤對電子成鍵並放出一個電子(形成D)，放出的電子與另一懸掛鍵結合成一對孤對電子(形成D)，如圖 5 硫系玻璃的換價對 所示。因此又稱這種D、D為換價對。由於庫侖吸引作用，使得D、D通常是成對地緊密靠在一起，形成緊密換價對。硫系玻璃中成鍵方式只要有很小變化就可以形成一組緊密換價對，如圖6 換價對的自增強效應 所示，它只需很小的能量，有自增強效應，因而這種缺陷的濃度通常是很高的。利用換價對模型可以解釋硫屬非晶態半導體的光致發光光譜、光致電子自旋共振等一系列實驗現象。
應用 非晶態半導體在技術領域中的應用存在著很大的潛力，非晶硫早已廣泛應用在復印技術中，由S.R.奧夫辛斯基首創的 As-Te-Ge-Si系玻璃半導體製作的電可改寫主讀存儲器已有商品生產，利用光脈沖使碲微晶薄膜玻璃化這種性質製作的光存儲器正在研製之中。對於非晶硅的應用目前研究最多的是太陽能電池。非晶硅比晶體硅制備工藝簡單，易於做成大面積，非晶硅對於太陽光的吸收效率高，器件只需大約1微米厚的薄膜材料，因此，可望做成一種廉價的太陽能電池，現已受到能源專家的重視。最近已有人試驗把非晶硅場效應晶體管用於液晶顯示和集成電路。

❼ 半導體的作用

半導體的作用是可以通過改變其局部的雜質濃度來形成一些器件結構，這些器件結構對電路具有一定控製作用，比如二極體的單向導電，比如晶體管的放大作用。

這是導體和絕緣體做不到的。導體在電路中常常作為電阻和導線出現，在電路中僅僅起到分壓或限流的作用。

導體器件（semiconctor device）通常利用不同的半導體材料、採用不同的工藝和幾何結構，已研製出種類繁多、功能用途各異的多種晶體二極，晶體二極體的頻率覆蓋范圍可從低頻、高頻、微波、毫米波、紅外直至光波。

三端器件一 般是有源器件，典型代表是各種晶體管（又稱晶體三極體）。晶體管又可以分為雙極型晶體管和場效應晶體管兩 類。根據用途的不同，晶體管可分為功率晶體管微波晶體管和低雜訊晶體管。

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半導體分類

1、晶體二極體

晶體二極體的基本結構是由一塊 P型半導體和一塊N型半導體結合在一起形成一個 PN結。在PN結的交界面處，由於P型半導體中的空穴和N型半導體中的電子要相互向對方擴散而形成一個具有空間電荷的偶極層。這偶極層阻止了空穴和電子的繼續擴散而使PN結達到平衡狀態。

2、雙極型晶體管

它是由兩個PN結構成，其中一個PN結稱為發射結，另一個稱為集電結。兩個結之間的一薄層半導體材料稱為基區。接在發射結一端和集電結一端的兩個電極分別稱為發射極和集電極。接在基區上的電極稱為基極。

3、場效應晶體管

它依靠一塊薄層半導體受橫向電場影響而改變其電阻（簡稱場效應），使具有放大信號的功能。這薄層半導體的兩端接兩個電極稱為源和漏。控制橫向電場的電極稱為柵。

❽ 半導體材料的特性參數

（1）
熱敏性
半導體材料的電阻率與溫度有密切的關系。溫度升高，半導體的電阻率會明顯變小。例如純鍺（ge），溫度每升高10度，其電阻率就會減少到原來的一半。
（2）
光電特性
很多半導體材料對光十分敏感，無光照時，不易導電；受到光照時，就變的容易導電了。例如，常用的硫化鎘半導體光敏電阻，在無光照時電阻高達幾十兆歐，受到光照時電阻會減小到幾十千歐。半導體受光照後電阻明顯變小的現象稱為「光導電」。利用光導電特性製作的光電器件還有光電二極體和光電三極體等。
近年來廣泛使用著一種半導體發光器件--發光二極體，它通過電流時能夠發光，把電能直接轉成光能。目前已製作出發黃，綠，紅，藍幾色的發光二極體，以及發出不可見光紅外線的發光二極體。
另一種常見的光電轉換器件是硅光電池，它可以把光能直接轉換成電能，是一種方便的而清潔的能源。
（3）
攙雜特性
純凈的半導體材料電阻率很高，但摻入極微量的「雜質」元素後，其導電能力會發生極為顯著的變化。例如，純硅的電阻率為214×1000歐姆/厘米，若摻入百萬分之一的硼元素，電阻率就會減小到0.4歐姆/厘米。因此，人們可以給半導體摻入微量的某種特定的雜質元素，精確控制它的導電能力，用以製作各種各樣的半導體器件。

❾ 元器件屬性里有哪些主要參數，具體的意義是什麼

那就要看具體哪種元器件，然後再看屬性：
電阻看阻值、功率、外觀尺寸回
電容看容量、耐壓、答外觀尺寸
電感看電感量、外觀尺寸
晶體管看耐壓、標稱電流、反向電流
其規格參數也因種類不一而不一樣，具體問題具體分析。詳細的分類可以到快易購電子元器件平台查看。

❿ 半導體有什麼特性

半導體具有特性有：可摻雜性、熱敏性、光敏性、負電阻率溫度、可整流性。
半導體材料版除了用於製造大規權模集成電路之外，還可以用於功率器件、光電器件、壓力感測器、熱電製冷等用途；利用微電子的超微細加工技術，還可以製成MEMS（微機械電子系統），應用在電子、醫療領域。
半導體是指導電性能介於導體和絕緣體之間的材料。通過摻入雜質來改變其導電性能，人為控制它導電或者不導電以及導電的容易程度。
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半導體的四種分類方法
1、按化學成分：分為元素半導體和化合物半導體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導體；化合物半導體包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物、氧化物，以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物組成的固溶體。除上述晶態半導體外，還有非晶態的玻璃半導體、有機半導體等。
2、按製造技術：分為集成電路器件，分立器件、光電半導體、邏輯IC、模擬IC、儲存器等大類，一般來說這些還會被分成小類。
3、按應用領域、設計方法分類：按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其規模進行分類的方法。
4、按所處理的信號：可以分成模擬、數字、模擬數字混成及功能進行分類的方法。
參考資料來源：網路—半導體