半導體的帶隙為多少

❶ 半導體禁帶寬度的介紹

對於包括半導體在內的晶體，其中的電子既不同於真空中的自由電子，也不同回於答孤立原子中的電子。真空中的自由電子具有連續的能量狀態，即可取任何大小的能量；而原子中的電子是處於所謂分離的能級狀態。晶體中的電子是處於所謂能帶狀態，能帶是由許多能級組成的，能帶與能帶之間隔離著禁帶，電子就分布在能帶中的能級上，禁帶是不存在公有化運動狀態的能量范圍。半導體最高能量的、也是最重要的能帶就是價帶和導帶。導帶底與價帶頂之間的能量差即稱為禁帶寬度（或者稱為帶隙、能隙）。

❷ 如何確定半導體是直接帶隙還是間接帶隙的

確定半導體是直接帶隙還是間接帶隙的可以用光致發光光譜。

光效率很大的話差專不多就是直接帶隙，發光效率低屬的話就是間接帶隙。直接帶隙材料吸收光譜應該能比較明顯地區分出本徵吸收帶和吸收邊，變化相對較緩，而間接帶隙材料比較陡峭。

間接帶隙半導體材料（如Si、Ge）導帶最小值（導帶底）和滿帶最大值在k空間中不同位置。形成半滿能帶不只需要吸收能量，還要改變動量。

電子在k狀態時的動量是（h/2pi）k，k不同，動量就不同，從一個狀態到另一個必須改變動量。與之相對的直接帶隙半導體則是電子在躍遷至導帶時不需要改變動量。

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光致發光過程包括熒光發光和磷光發光。通常用於半導體檢測和表徵的光致發光光譜指的是光致熒光發光。

光致發光特點：

1、光致發光優點

設備簡單，無破壞性，對樣品尺寸無嚴格要求；解析度高，可做薄層和微區分析。

2、光致發光缺點

通常只能做定性分析，而不作定量分析；如果做低溫測試，需要液氦降溫，條件比較苛刻；不能反映出非輻射復合的深能級缺陷中心。

❸ 半導體能帶隙數值 能說明半導體導電能力強弱么

一般來說寬度的大小能夠決定本徵載流子的濃度，從而決定了電阻率，也就是導電能力強弱wuxm0618(站內聯系TA)只能說明本徵材料的導電能力很弱，在有雜質或者缺陷的情況下可能還是有好的導電性能。混沌學徒(站內聯系TA)帶隙越窄越接近金屬吧，越寬就越接近絕緣體回歸2011(站內聯系TA)紫外漫反射邊通過F(R)hv2對hv作圖，通過紫外可以測試半導體的帶隙，這種稱之為光學帶隙，一般論文里都是這樣做的。
而氧化銅確實是一種半導體薄膜。氧化亞銅也是。均可以作為薄膜太陽能電池材料，盡管效率比較低。

❹ 直接帶隙半導體

直接帶隙半導體抄材料就是導帶最小值（導帶底）和滿帶最大值在k空間中同一位置.電子要躍遷到導帶上產生導電的電子和空穴（形成半滿能帶）只需要吸收能量.
間接帶隙半導體材料導帶最小值（導帶底）和滿帶最大值在k空間中不同位置.形成半滿能帶不只需要吸收能量,還要改變動量.
間接帶隙半導體材料導帶最小值（導帶底）和滿帶最大值在k空間中不同位置.電子在k狀態時的動量是（h/2pi）k,k不同,動量就不同,從一個狀態到另一個必須改變動量.

❺ 半導體硅材料室溫下的能隙是多少

❻ 半導體的禁帶寬度大約位於什麼區間

歡歡都是跟個大約位置，應該是一寸照，能靠近一些區限時，所以認為這個秋天笑話分布還是那麼溫柔。

❼ 半導體作溝道,帶隙多少合適

1.2eV～3.9eV，是半導體的定義，但是現代發展已經不限於此，比如石墨烯的高速高頻低功耗半導體就只有0.3～0.7eV，而藍光led禁帶是4.1，軍用的抗干擾半導體是4.7～5eV。

❽ 納米半導體ZnS的帶隙（能隙）是多少上下值各是多少

ZnS是一種直接抄帶隙的半襲導體材料，具有閃鋅礦和纖鋅礦兩種結構，禁帶寬度為3.6～3.8eV，它具有良好的光電性能，廣泛應用於各種光學和光電器件中，如薄膜電致發光顯示器件、發光二極體、紫外光探測器件、太陽能電池等。傳統的化合物薄膜太陽能電池，一般採用化學浴法制備的CdS薄膜作為緩沖層材料，並且已經獲得了較高的電池轉換效率。後來人們逐漸意識到CdS是一種對環境和人體有害的材料，要研究制備無污染的太陽能電池就該尋找新的材料作為替代。在以後的研究中人們慢慢發現ZnS是替代CdS的良好的材料。首先，ZnS不含任何有毒元素，滿足了人們環保的要求；其次，ZnS(3.6～3.8eV)的禁帶寬度比CdS(2.4eV)大得多，用它作緩沖層材料可以使更多的短波區的光照射到吸收層上，有利於獲得藍光區的光譜響應，提高太陽能電池的轉換效率。Cu(InGa)Se2／ZnS結構電池轉換效率已經達到18.6％，而CuInS2／ZnS結構電池轉換效率也已達到了10.7％。（CuInS2是I-III-vI）族化合物中最理想的吸收層材料，其理論光電轉換效率為27％--32％）希望你能滿意！

❾ 關於半導體中的直接帶隙與間接帶隙

簡單的說直接帶隙半導體就是導帶最低點和價帶最高點在k空間處於同一點的半導體，間接帶隙半導體就是它們不處於同一點的半導體。你可以看一下下面的參考資料