半導體霍爾系數多少

⑴ 如何利用霍爾效應測量某種半導體材料的霍爾系數

固定勵磁電流的值，在一固定已知磁場中給半導體材料通入工作電流測出相應內的霍爾電壓，再由式子容：霍爾電壓=霍爾元件靈敏度×磁場強度×工作電流.可得霍爾元件靈敏度，又因為霍爾元件靈敏度=霍爾系數÷霍爾元件厚度.可得半導體材料霍爾系數

⑵ 導體、半導體、絕緣體中哪個的霍爾系數最大 , 哪個最小 為什麼

導體指數最小杯那是對店是一腳都捅過去了。半導體那肯定是。

因為霍爾系數版近似與載流權子濃度成反比，所以半導體的霍爾系數要大於導體的霍爾系數；而半導體的載流子濃度與溫度的關系較大（特別是在較低溫度或者較高溫度時變化更大），因此半導體的霍爾系數受到溫度的影響也較大。絕緣體沒有霍爾效應。

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電壓所引致的電場力會平衡洛倫茲力。通過霍爾電壓的極性，可證實導體內部的電流是由帶有負電荷的粒子（自由電子）之運動所造成。除導體外，半導體也能產生霍爾效應，而且半導體的霍爾效應要強於導體。

當固體導體放置在一個磁場內，且有電流通過時，導體內的電荷載子受到洛倫茲力而偏向一邊，繼而產生電壓（霍爾電壓）的現象。

⑶ 霍爾系數 與半導體中載流子類型有何關系

P型半導體 空穴導電 霍爾系數R=1/pq>0
N型半導體 電子導電 霍爾系數R=-1/nq<0
其中p與n為載流子濃度，q為電量，一個載流子的帶電量。

⑷ 半導體的霍爾系數的數量級是多少啊

那要根據你產品的類型來分，一般大學試驗中的半導體霍爾系數大約為10的三次方數量級
。工廠里的葯跟蹤霍爾器件的應用來考慮

⑸ 霍爾效應中霍爾系數Rh與半導體中載流子類型有什麼關系

霍爾效應可以測定載流子濃度及載流子遷移率等重要參數，以及判斷材料的導電版類型，是研權究半導體材料的重要手段。還可以用霍爾效應測量直流或交流電路中的電流強度和功率以及把直流電流轉成交流電流並對它進行調制、放大。

⑹ 為什麼霍爾效應在半導體中特別顯著

霍爾效應是載來流子在磁場作用源（洛倫茲力作用）下而偏離電場方向所產生的一種現象。霍爾電壓與電場和磁場成正比，其比例系數稱為霍爾系數；霍爾系數與載流子濃度成反比，所以非簡並半導體的霍爾效應較顯著，而簡並半導體和金屬的霍爾效應就較弱。
因為霍爾效應中需要產生一個平衡洛倫茲力作用的橫向電壓，電阻率越高（載流子濃度越低）的半導體，其中越容易產生出這個電壓，所以半導體的霍爾效應要比金屬的強。
霍爾效應可用來判別多數載流子的類型，霍爾效應也可用來測量遷移率（霍爾系數與電導率的乘積就等於遷移率）。

⑺ 如何利用霍爾效應測量某種半導體材料的霍爾系數

量子霍爾效應：U/I=B/(nqd),其中的參數我就不解釋了，而霍爾系數Rh=1/(nq);
那麼我們只要改變B的大小版，盡量多測權幾組數據就可以在R-B曲線上計算得十分精確地Rh值；
那麼首先我們考慮R-B曲線，經典電磁學認為應該是一條通過坐標原點的直線，事實上由於霍爾量子效應圖像呈現的是類似振盪衰減的曲線，而且隨著B的增大，曲線振盪偏離的越遠。曲線和擬合直線（經典理論中的理論直線）的交點的縱坐標為h/(k*e^2),h為普朗克常數，k取正整數。

⑻ 霍爾系數

霍爾效應是指當磁場影響流經導體(或半導體)的電流時，通過導體內(或半導體)的可測量電壓容。由於Lorentz力和電流的平衡，產生了垂直於外加電流的橫向電壓。

這種物理效應在許多解決方案中都有應用，特別是在現代家電和汽車應用領域。霍爾感測器的使用提高了可靠性和耐久性，消除了運動的機械磨損。

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霍爾效應在應用技術中特別重要。例如汽車點火系統，設計者將霍爾感測器放在分電器內取代機械斷電器，用作點火脈沖發生器。這種霍爾式點火脈沖發生器隨著轉速變化的磁場在帶電的半導體層內產生脈沖電壓，控制電控單元（ECU）的初級電流。

相對於機械斷電器而言，霍爾式點火脈沖發生器無磨損免維護，能夠適應惡劣的工作環境，還能精確地控制點火正時，能夠較大幅度提高發動機的性能，具有明顯的優勢。

⑼ 從霍爾系數的測量中可以求出半導體材料的哪些重要參數

通過霍爾效應測量的霍爾系數，可確定半導體的導電類型、載流子濃度及遷移率等重要參數。

⑽ 實驗室用的霍爾效應儀器的霍爾系數是多少

一般為4.62KGS/A，表示的為B/Is的大小。

霍爾效應（Hall effect）是指當固體導體放置在一個磁場內，且有電流通過時，導體內的電荷載子受到洛倫茲力而偏向一邊，繼而產生電壓（霍爾電壓）的現象。

電壓所引致的電場力會平衡洛倫茲力。通過霍爾電壓的極性，可證實導體內部的電流是由帶有負電荷的粒子（自由電子）之運動所造成。霍爾效應中霍爾元件的靈敏度與霍爾元件的厚度和載流子的濃度兩個因素有關

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由於通電導線周圍存在磁場，其大小和導線中的電流成正比，故可以利用霍爾元件測量出磁場，就可確定導線電流的大小。利用這一原理可以設計製成霍爾電流感測器。其優點是不和被測電路發生電接觸，不影響被測電路，不消耗被測電源的功率，特別適合於大電流感測。

若把霍爾元件置於電場強度為E、磁場強度為H的電磁場中，則在該元件中將產生電流I，元件上同時產生的霍爾電位差和電場強度E成正比，如果再測出該電磁場的磁場強度，則電磁場的功率密度瞬時值P可由P=EH確定。