什麼是半導體里的擴散

❶ baking在半導體擴散中的作用和影響

SiC材料是一種疏鬆多孔的材料，很容易儲藏一層水汽等，如果有水汽的話，你版的drive in 和diffusion就難以控制權了。當應用於高溫drive in和LPCVD Poly等工藝時，SiC材質還需要CVD coating。溫度為1100以上，時間根據你是否剛清洗完或日常處理而定

❷ 半導體的雙面擴散是什麼樣的

本人是學微電子的，可是知識淺薄，沒聽說過雙面擴散這個詞~~汗！

製作半導內體時？那就是容摻雜了，我只知道有恆定表面源擴散和有限表面源擴散~~~

哥，顧名思義不行吧？生長氧化層也不是擴散啊？如果真的是兩面都擴散雜質，其目的是什麼呢？如果兩面都有器件，那如何互聯？總不能像pcb板一樣，中間鑽孔吧？

樓主的意思是不是在背面摻金啊？

❸ 解析半導體生產中擴散工藝技術應用在大科技的多少頁

擴散現象是指物質分子從高濃度區域向低濃度區域轉移 直到均勻分布的現象，速率與物質的濃度梯度成正比。擴散是由於分子熱運動而產生的質量遷移現象，主要是由於密度差引起的。分子熱運動目前認為在絕對零度以下不會發生。擴散現象等大量事實表明，一切物質的分子都在不停地做無規則的運動。
氣體分子熱運動的速率很大，分子間極為頻繁地互相碰撞，每個分子的運動軌跡都是無規則的雜亂折線。溫度越高，分子運動就越激烈。在0℃時空氣分子的平均速率約為400米/秒，但是，由於極為頻繁的碰撞，分子速度的大小和方向時刻都在改變，氣體分子沿一定方向遷移的速度就相當慢，所以氣體擴散的速度比氣體分子運動的速度要慢得多。
固體分子間的作用力很大，絕大多數分子只能在各自的平衡位置附近振動，這是固體分子熱運動的基本形式。但是，在一定溫度下，固體里也總有一些分子的速度較大，具有足夠的能量脫離平衡位置。這些分子不僅能從一處移到另一處，而且有的還能進入相鄰物體，這就是固體發生擴散的原因。固體的擴散在金屬的表面處理和半導體材料生產上很有用處，例如，鋼件的表面滲碳法(提高鋼件的硬度)、滲鋁法(提高鋼件的耐熱性)，都利用了擴散現象；在半導體工藝中利用擴散法滲入微量的雜質，以達到控制半導體性能的目的。溫度越高，分子熱運動越快。
液體分子的熱運動情況跟固體相似，其主要形式也是振動。但除振動外，還會發生移動，這使得液體有一定體積而無一定形狀，具有流動性，同時，其擴散速度也大於固體。
實質：
擴散現象是氣體分子的內遷移現象。從微觀上分析是大量氣體分子做無規則熱運動時，分子之間發生相互碰撞的結果。由於不同空間區域的分子密度分布不均勻，分子發生碰撞的情況也不同。這種碰撞迫使密度大的區域的分子向密度小的區域轉移，最後達到均勻的密度分布。

❹ 半導體載流子的擴散

電子和空穴存在濃度梯度時就會擴散

❺ 二極體中電子、空穴的擴散與漂移有什麼區別

在P區多數載流子是空穴，同時有少數載流子（就是電子）存在。N區情形相反。在外電場作用下，多子將向ＰＮ結移動，結果使空間電荷區變窄，內電場被削弱，有利於多子的擴散而不利於少子的漂移，擴散運動起主要作用。結果，Ｐ區的多子空穴將源源不斷的流向Ｎ區，而Ｎ區的多子自由電子亦不斷流向Ｐ區，這兩股載流子的流動就形成了ＰＮ結的正向電流。 多數載流子移動時擴散，少數載流子移動時漂移。 半導體加上電場，作為載流子的正空穴和自由電子就會受到電場的作用力，於是空穴就會順著電場的方向移動，自由電子則朝電場的反向移動，從而出現電流。此電流被稱為漂移電流。 半導體中載流子的多少常用濃度來衡量，而且載流子會從濃度高的部位向濃度低的部位擴散。正空穴會從濃度高的部位向濃度低的部位擴散，這就像水中滴人一滴墨水，然後墨水會在水中慢慢地擴散。半導體中的這種載流子的擴散移動被稱為擴散電流。

❻ 半導體擴散工藝是什麼

半導體擴散工藝。擴散技術目的在於控制半導體中特定區域內雜質的類型、濃度、深度和PN結。在集成電路發
展初期是半導體器件生產的主要技術之一。但隨著離子注入的出現，擴散工藝在制備淺結、低濃度摻雜和控制精度等方面的巨大劣勢日益突出，在製造技術中的使用已大大降低。
3．1 擴散機構
3．1．1 替位式擴散機構
這種雜質原子或離子大小與Si原子大小差別不大，它沿著硅晶體內晶格空位跳躍前進擴散，雜質原子擴散時占據晶格格點的正常位置，不改變原來硅材料的晶體結構。硼、磷、砷等是此種方式。

3．1．2 填隙式擴散機構
這種雜質原子大小與Si原子大小差別較大，雜質原子進入硅晶體後，不佔據晶格格點的正常位置，而是從一個硅原子間隙到另一個硅原子間隙逐次跳躍前進。鎳、鐵等重金屬元素等是此種方式。由於CMOS是由PMOS和NMOS組成，因此需要在一種襯底上製造出另一種型號的襯底,才可以在一種型號的矽片上同時製造出N管、P管，在選擇注入後的推阱工藝就可以在矽片上制出P阱、N阱；由於推阱一般需要有一定的結深，而雜質在高溫下的擴散速率較大，因此推阱工藝往往需要在較高的溫度（1150C）下進行，以縮短工藝時間，提高矽片的產出率。 阱電阻：用來監控推阱後N（或P）阱電阻的大小，阱電阻的大小會對製作在N（或P）阱里的晶體管的柵開啟電壓及擊穿電壓造成直接影響；但電阻控製片的製作由於有一定的製作流程，因此電阻有時會受制備工藝的影響。

❼ 半導體載流子擴散求助

半導體內的載流子有三種運動：載流子的擴散運動，載流子的熱運動和載流子的漂移運動。
（1）熱運動
在沒有任何電場作用時，一定溫度下半導體中的自由電子和空穴因熱激發所產生的運動是雜亂無障的，好像空氣中氣體的分子熱運動一樣。由於是無規則的隨機運動，合成後載流子不產生定向位移，從而也不會形成電流。
（2）漂移運動
在半導體的兩端外加一電場E，載流子將會在電場力的作用下產生定向運動。電子載流子逆電場方向運動，而空穴載流子順著電場方向運動。從而形成了電子電流和空穴電流，它們的電流方向相同。所以，載流子在電場力作用下的定向運動稱為漂移運動，而漂移運動產生的電流稱漂移電流。
（3）擴散運動
在半導體中，載流子會因濃度梯度產生擴散。如在一塊半導體中，一邊是N型半導體，另一邊是P型半導體，則N型半導體一邊的電子濃度高，而P型半導體一邊的電子濃度低。反之，空穴載流子是P型半導體一邊高，而N型半導體一邊低。由於存在載流子濃度梯度而產生的載流子運動稱為擴散運動。
滴入水中的墨水會快速地向四周擴散，打開品瓶蓋，氣味會很快充滿整個房間等現象，是現實生活中擴散運動的典型例子，是自然界中的一種普遍規律。
由於電子載流子和空穴載流子分別帶負電和正電，擴散運動導致正負電荷搬遷，從而形成電流，這種由擴散運動形成的電流稱擴散電流。

❽ 何謂半導體的壓阻效應擴散硅感測器結構有什麼特點

壓電效應是壓電感測器的主要工作原理，壓電感測器不能用於靜態測量，因為經過外力作用後的電荷，只有在迴路具有無限大的輸入阻抗時才得到保存。實際的情況不是這樣的，所以這決定了壓電感測器只能夠測量動態的應力。
壓電感測器主要應用在加速度、壓力和力等的測量中。壓電式加速度感測器是一種常用的加速度計。它具有結構簡單、體積小、重量輕、使用壽命長等優異的特點。壓電式加速度感測器在飛機、汽車、船舶、橋梁和建築的振動和沖擊測量中已經得到了廣泛的應用，特別是航空和宇航領域中更有它的特殊地位。壓電式感測器也可以用來測量發動機內部燃燒壓力的測量與真空度的測量。也可以用於軍事工業，例如用它來測量槍炮子彈在膛中擊發的一瞬間的膛壓的變化和炮口的沖擊波壓力。它既可以用來測量大的壓力，也可以用來測量微小的壓力。
壓電感測器中主要使用的壓電材料包括有石英、酒石酸鉀鈉和磷酸二氫胺。其中石英（二氧化硅）是一種天然晶體，壓電效應就是在這種晶體中發現的，在一定的溫度范圍之內，壓電性質一直存在，但溫度超過這個范圍之後，壓電性質完全消失（這個高溫就是所謂的「居里點」）。由於隨著應力的變化電場變化微小（也就說壓電系數比較低），所以石英逐漸被其他的壓電晶體所替代。而酒石酸鉀鈉具有很大的壓電靈敏度和壓電系數，但是它只能在室溫和濕度比較低的環境下才能夠應用。磷酸二氫胺屬於人造晶體，能夠承受高溫和相當高的濕度，所以已經得到了廣泛的應用。
壓電式感測器也廣泛應用在生物醫學測量中，比如說心室導管式微音器就是由壓電感測器製成的，因為測量動態壓力是如此普遍，所以壓電感測器的應用就非常廣泛。
除了壓電感測器之外，還有利用壓阻效應製造出來的壓阻感測器，利用應變效應的應變式感測器等，這些不同的壓力感測器利用不同的效應和不同的材料，在不同的場合能夠發揮它們獨特的用途。
這種壓力變送器主要利用液體或氣體在檢測器件上形成的壓力來檢測液體或者氣體的流量或壓強。把這種壓力信號轉變成標準的0～10V或者4～20mA電信號。以便控制使用。
壓力和電信號的轉化主要由各種壓力感測器的核心部件完成。核心部件主要由壓力檢測體和放大電路組成。

❾ 半導體二極體的擴散區在哪

首先得先了解pn結的形成。在N型半導體和P型半導體的結合面上，因濃度差所以多子的擴回散運動；自由答電子與空穴復合，此時由雜質離子形成空間電荷區（p區是負電荷，n區是正電荷），便有n指向p的內電場，阻止多子擴散，最後，多子的擴散和少子的漂移達到動態平衡。在P型半導體和N型半導體的結合面處，留下離子薄層，這個離子薄層形成的空間電荷區（耗盡層）稱為PN結。當在pn結（二極體）兩端加正向電壓時，內電場減弱，多子擴散大於少子漂移，使得載流子越過耗盡層，進入對面，並與其相反電荷載流子復合，形成擴散區（p區、n區各有一個）。