二氧化鈦是什麼半導體

Ⅰ 二氧化鈦光催化劑存在二氧化硫中毒的情況嗎

應該是改性問題吧~
納米二氧化鈦的改性方法很多,近年來,人們主要從以下兩個方面入手,提高 TiO2光催化劑的光譜
響應范圍和光催化效率.
其一是通過摻雜等手段降低 TiO2的禁帶寬度,增加其吸收波長.主要採用的方法有:1)摻雜過渡金屬:金屬離子摻雜可在半導體表面引入缺陷位置或改變結晶度,成為電子或空穴的陷阱而延長壽命;2)表面光敏化:將光活性化合物化學吸附或物理吸附於催化劑表面從而擴大激發波長范圍,增加光催化反應的效率; 3)表面螯合及衍生作用:含硫化合物、OH-和乙二胺四乙酸 (EDTA )等螯合劑能影響一些半導體的能帶位置,使導帶移向更負的位置.
其二是加入電子俘獲劑,使光生電子和空穴有效分離,降低 e-和 h+的復合速率,主要採用的方法有:1)貴金屬沉積:TiO2 表面沉積適量的貴金屬,有利於光生電子和空穴的有效分離以及降低還原反應(質子的還原、溶解氧的還原)的超電壓,大大提高了催化劑的活性,研究最多的為 Pt的沉積,其次Ag 、Pd和 Nb等金屬的摻雜也能降低 TiO2 的帶隙能; 2)復合半導體:不同金屬離子的配位及電負性不同而產生過剩電荷,TiO2與半導體復合後增加半導體吸收質子或電子的能力,從而提高催化劑的活性.在二元復合半導體中,兩種半導體之間的能級差能使電荷有效分離; 3)電子捕獲劑:加入O2、H2O2和過硫酸鹽等電子捕獲劑,可以捕獲光生電子,降低 e-與 h+的復合幾率,從而提高光催化效率.

Ⅱ 二氧化鈦半導體性質應用

二氧化鈦的電導率隨溫度的上升而迅速增加，而且對缺氧也非常敏感。
例如，金紅版石權型二氧化鈦在20℃時還是電絕緣體，但加熱到420℃時，它的電導率增加了107倍。
稍微減少氧含量，對它的電導率會有特殊的影響，按化學組成的二氧化鈦(TiO2)電導率<10-10s/cm，而TiO1.9987的電導率只有10-1s/cm.

Ⅲ 氧化銅和二氧化鈦是半導體嗎

那必須的呀，一般的金屬氧化物都是半導體。

Ⅳ Cu2O、TiO2分別屬於什麼半導體為什麼

氧化銅是來一種具有帶隙較自窄帶隙(1.2—1.5eV)的p-型半導體材料。硅是目前使用最多的半導體材料，二氧化硅不是半導體。
氧化銅和硅具有準金屬的物理性質,有較弱的導電性,其電導率隨溫度的升高而增加,有顯著的半導電性

Ⅳ 純的銳鈦型二氧化鈦是什麼類型的半導體

http://ke..com/view/6729945.htm

Ⅵ 氧化鈦型氧感測器的半導體材料二氧化鈦的阻值取決於

一般至少有兩個。
二氧化鈦（化學式：TiO₂），白色固體或粉末狀的兩性氧化物，分子量：版79.87，是一權種白色無機顏料，具有無毒、最佳的不透明性、最佳白度和光亮度，被認為是目前世界上性能最好的一種白色顏料。鈦白的粘附力強，不易起化學變化，永遠是雪白的。廣泛應用於塗料、塑料、造紙、印刷油墨、化纖、橡膠、化妝品等工業。它的熔點很高，也被用來製造耐火玻璃，釉料，琺琅、陶土、耐高溫的實驗器皿等。

Ⅶ 純的銳鈦型二氧化鈦是什麼類型的半導體

其實大部分資料網上都是能找到的，最主要的區別就是金紅石無論在遮蓋、分散等各個方面的性能都要遠超銳鈦，銳鈦在高溫下也會轉變為金紅石。用途上基本都是重疊的，銳鈦基本多用於低端一點的產品當中。

Ⅷ 新學校甲醛多怎麼辦

甲醛超標辦法：

1、通風法

就是開窗通風。比較尋常的手法，打開門窗使空氣自然流通即可。這樣可在一定程度上降低室內傢具異味的含量，但無法從根本上減少有害氣體的存在，無法切斷污染源，治標不治本。因為甲醛有游離、吸附、結合三種存在狀態。

2、活性炭吸附法

活性炭除甲醛是一種比較廉價和實用的方法，特點是物理吸附，吸附徹底，不易造成二次污染。活性炭的物理作用除臭，去毒；無任何化學添加劑，對人身無影響。但是對於濃度比較高的環境，則需要大量的活性炭，少量的活性炭其吸附能力還是有限的。

3、綠植吸附法

室內擺放一些植物也可以減輕污染，比如，綠蘿、富貴竹、柚子皮、菠蘿、茶葉等，這5種植物對於甲醛的去除效果較好。其中綠蘿對於甲醛的去除穩定性和持續性較好。特別要提醒的是，使用植物凈化室內空氣要定期輪換，以保證吸附凈化效果的持續性。

其只能作為輔助的手段，效果有限，不能作為主要的除甲醛方法。

4、光觸媒除醛法

光觸媒，是以納米級TiO2（二氧化鈦）為代表的具有光催化功能的光半導體材料的總稱。將其塗布於基材表面，在光照條件下，可以使有機物或者無機物發生氧化還原反應，最終反應生成二氧化碳和水，能快速有效的出去甲醛等污染源，殺滅多種細菌，並能將細菌或真菌釋放出的毒素分解及無害化處理，也能分解人類活動引入的一些生活異味。

5、請專業的甲醛檢測治理機構

大家在治理甲醛污染時，可以找專業的除甲醛公司。這樣不僅除甲醛時間比較快，一般5~7天左右就能入住。

Ⅸ 黑色tio2是n型還是p型導電

在理想狀態下的BiOCl 應該是本徵半導體
在實際中 我覺得它應該是n型 BiOCl 是一種光催化劑 類比於內同為光催化劑的容TiO2 其類型和性質應該差不多 TiO2存在非化學計量比缺陷 即電荷缺陷 點缺陷的一種 換句話說 TiO2中非故意摻雜的TiO2中含有Ti2O3(氧成分偏少 偏離TiO2的化學比）Ti2O3中Ti離子為＋3價 從而多出一個游離於晶格中的3d電子 使TiO2成為電子導電的n型半導體 所以 我覺得BiOCl 應該也是n型半導體吧
BiOBr、BiOI 只是鹵素的替換 我覺得應該和 BiOCl 差不多
我也不知道應該看啥書 看看材料科學基礎裡面關於晶體缺陷的吧 涉及晶體的非化學計量數缺陷 對晶體材料性能的影響的內容

Ⅹ 如何讓直接間隙半導體變成間接間隙半導體

直接帶隙半導體材料就是導帶最小值（導帶底）和價帶最大值(價帶頂)在k空間中同一位置。電子要躍遷到導帶上產生導電的電子和空穴（形成半滿能帶）只需要吸收能量。
間接帶隙半導體材料導帶最小值（導帶底）和滿帶最大值在k空間中不同位置。形成半滿能帶不只需要吸收能量，還要改變動量。
間接帶隙半導體材料導帶最小值（導帶底）和滿帶最大值在k空間中不同位置。電子在k狀態時的動量是（h/2pi）k，k不同，動量就不同，從一個狀態到另一個必須改變動量。
材料本身是不會發光,這是能量守衡決定的.材料吸收外來的能量源(電能/光能均可),使價帶的電子激發到導帶上,然後通過輻射躍遷,發出光子.間接帶隙的半導體材料在躍遷時會產生聲子,嚴重影響發光. 結構和措施很多,但材料必須是直接帶隙半導體材料.
簡單點說，從能帶圖譜可以看出，間接帶隙半導體中的電子在躍遷時K值會發生變化，這意味著電子躍遷前後在K空間的位置不一 樣了，這樣會極大的幾率將能量釋放給晶格，轉化為聲子，變成熱能釋放掉。而直接帶隙中的電子躍遷前後只有能量變化，而無位置變化，於是便有更大的幾率將能 量以光子的形式釋放出來。想讓間接帶隙材料發光，可以採用參雜引入客發光體，將能量引入客發光體使其發光（提高發光效率）