半導體esd主要測哪些參數

❶ ESD是什麼ESD靜電二極體和ESD放電二極體是一樣的嗎優恩半導體的ESD主要應用於哪些

ESD（Electrostatic Discharge Protection Devices），靜電保護器件，亦稱瞬態電壓抑制二極體陣列（TVS Array），是由多個TVS晶粒或二極體採用回不同的布答局設計成具有特定功能的單路或多路ESD保護器件。ESD靜電保護二極體響應速度快（小於0.5ns）、低電容、低導通電壓、高集成度、小體積、易安裝，可以同時實現多條數據線保護，是業內最理想的高頻數據保護器件。

ESD靜電保護二極體，主要應用於各類通信介面的靜電保護，如USB、HDMI、RS485、RS232、VGA、RJ11、RJ45、BNC、SIM、SD等。同時，ESD靜電保護元器件封裝多樣化，從單路的SOD-323到多路的SOT-23、SOT23-6L、QFN-10等，電路設計工程師可以根據電路板布局及介面類型選擇不同封裝的ESD靜電保護二極體。

SOT-23封裝ESD靜電保護二極體

❷ 計算機的內部組件如何進行ESD防護

ESD是Electro Static Discharge英文的縮寫，中文含義即靜電放電：處於不同電位的兩個物體之間，由於直接接觸或靜電場感應導致的電荷傳輸（轉移）。可見，靜電與靜電放電（ESD）是完全不同的物理概念或物理過程。一個是「靜」，一個是「動」。 伴隨著靜電放電，往往有電量的轉移、電流的產生和電磁場輻射。

1何為靜電

靜電是物體表面過剩或不足的靜止電荷。

1.靜電是一種電能，它留存物體表面。

靜電是正電荷 和負電荷在局部范圍內失去平衡的結果；

靜電是通過電子或離子轉移而形成的。

2.靜電現象是電荷的產生和消失的過程中產生的電現象的總稱。

2靜電放電三要素

Q+M+D=ESD

Q：一定積累的靜電荷。

M：放電途徑，如金屬接觸、對地或低阻的泄放途徑。

D：靜電敏感器件。

3靜電產生原理

電子圍繞原子核運動,一有外力即脫離軌道,離開原來的原子而侵入其他的原子。

外力包含各種能量, 如動能,位能,熱能,化學能,電磁能等。

A原子因缺少電子數而帶有正電現象, 稱為陽離子。

B原子因增加電子數而帶有負電現象, 稱為陰離子。

4靜電在電子工業中的危害

1.靜電吸附灰塵，降低元件絕緣電阻（縮短壽命）。

2.靜電放電破壞，使元件受損不能正常工作：靜電放電時當放電電流過大(瞬時大電流可達幾十A), 產生過高熱能, 將會擊穿元件。

三種擊穿現象：

熱擊穿：P-N破壞；

介電擊穿: 氧化層的破壞；

金屬汽化: 金屬線被汽化而開路。

3.靜電放電輻射的電磁場幅度很大（可達幾百V/m）頻譜極寬（從幾十兆到幾千兆），對電子產品造成干擾甚至損壞。

5ESD測試標准

目前IEC 61000-4-2看作是 ESD 測試的事實標准。我國的國家標准（GB/T 17626.2-1998）等同於IEC 61000-4-2。

常用消費類的測試採用接觸4KV和空氣8KV，某些高標准行業如車載類，會採用8KV和空氣15KV。

6電路級ESD防護標准

1.並聯放電器件

常用的放電器件有TVS，齊納二極體，壓敏電阻，氣體放電管等。
齊納二極體（ Zener Diodes） ： 利用齊納二極體的反向擊穿特性可以保護 ESD敏感器件。但是齊納二極體通常有幾十 pF 的電容，這對於高速信號（例如 500MHz）而言，會引起信號畸變。齊納二極體對電源上的浪涌也有很好的吸收作用。

瞬變電壓消除器 TVS(Transient Voltage Suppressor)： TVS 是一種固態二極體，專門用於防止 ESD 瞬態電壓破壞敏感的半導體器件。與傳統的齊納二極體相比， TVS 二極體 P/N 結面積更大，這一結構上的改進使 TVS 具有更強的高壓承受能力，同時也降低了電壓截止率，因而對於保護手持設備低工作電壓迴路的安全具有更好效果。

TVS二極體的瞬態功率和瞬態電流性能與結的面積成正比。該二極體的結具有較大的截面積，可以處理閃電和 ESD所引起的高瞬態電流。TVS也會有結電容，通常0.3個pF到幾十個pF。TVS有單極性的和雙極性的，使用時要注意。

壓敏電阻：壓敏電阻也可以進行有效的瞬時高壓沖擊抑制，此類器件具有非線性電壓 - 電流 ( 阻抗表現 ) 關系，截止電壓可達最初中止電壓的 2 ～ 3倍。這種特性適合用於對電壓不太敏感的線路和器件的靜電或浪涌保護，如電源迴路，按鍵輸入端等。壓敏電阻價格比TVS低不少，但是防護效果沒有TVS好，且壓敏電阻有壽命老化。

❸ ESD真的那麼恐怖嗎 請半導體專業研究人員幫忙.

沒有任何防護設備的情況下，靜電是很容易擊毀產品的。
在沒有採取防靜電措施的版環境中， 各種物權體都有可能產生靜電，而且表面絕緣的物體能產生上萬伏的靜電電壓，而在2000V以下的靜電放電，人幾乎是感覺不到的。而擊毀一個晶元只需要不到200V的靜電電壓。
防護靜電有很多種途徑，包括靜電屏蔽、靜電泄放、控制濕度和靜電中和等等，只要各種防護措施做到位，在防靜電工作區內，還是可以對靜電放電的發生進行有效地控制，減少元件被破壞的幾率。防靜電工作區的建立是一個系統工程，可以參考相關的國家標准和行業標准，裡面有詳細的說明和評判標准。

❹ ESD和半導體放電管什麼區別

ESD：electrostatic protection device 電子保護器 也稱：靜電保護 半導體放電管：Thyristor & Sidactor 它是用半導材料做成的，屬於二極體的一類 ，它是起開關作用，把大的能量泄放到大地。它主要指標有：通流量、動作電壓。
ESD與半導體放電管，同屬於過壓，峰值波涌吸收的器件，詳細你可以看看這家公司的產品手冊：它們裡面技術文檔很齊的，看看他的參數說明！
http://www.yint.com.cn/proctlist.asp?classid=926 它是半導體放電管的資料
http://www.yint.com.cn/proctlist.asp?classid=929 它是靜電ESD的資料

❺ ESD和半導體放電管什麼區別

防浪涌電路的主要元器件有放電管、壓敏電阻、電壓鉗位瞬態擬制二極體（TVS）、回電壓開關型瞬態擬制二極體（答TSS）、熱敏電阻（PTC）等。在防護器件中，氣體放電管的特點是通流量大，但響應慢、擊穿電壓高；TVS管通流量小，響應快，電壓鉗位特性好

❻ 如何實現電路保護設計中的ESD保護

對於電子產品而言，保護電路是為了防止電路中的關鍵敏感型器件受到過流、過壓、過熱等沖擊的損害。保護電路的優劣對電子產品的質量和壽命至關重要。隨著消費類電子產品需求的持續增長，更要求有強固的靜電放電(ESD)保護，同時還要減少不必要的電磁干擾(EMI)/射頻干擾(RFI)雜訊。此外，消費者希望最新款的消費電子產品可以用小尺寸設備滿足越來越高的下載和帶寬能力。隨著設備的越來越小和融入性能的不斷增加，ESD以及許多情況下的EMI/RFI抑制已無法涵蓋在驅動所需介面的新一代IC當中。 另外，先進的系統級晶元(SoC)設計都是採用幾何尺寸很小的工藝製造的。為了優化功能和晶元尺寸，IC設計人員一直在不斷減少其設計的功能的最小尺寸。IC尺寸的縮小導致器件更容易受到ESD電壓的損害。過去，設計人員只要選擇符合IEC61000-4-2規范的一個保護產品就足夠了。因此，大多數保護產品的數據表只包括符合評級要求。由於集成電路變得越來越敏感，較新的設計都有保護元件來滿足標准評級，但ESD沖擊仍會形成過高的電壓，有可能損壞IC。因此，設計人員必須選擇一個或幾個保護產品，不僅要符合ESD脈沖要求，而且也可以將ESD沖擊鉗位到足夠低的電壓，以確保IC得到保護。圖1：美國靜電放電協會(ESDA)的ESD保護要求先進技術實現強大ESD保護安森美半導體的ESD鉗位性能備受業界推崇，鉗位性能可從幾種方法觀察和量化。使用幾個標准工具即可測量獨立ESD保護器件或集成器件的ESD鉗位能力，包括ESD保護功能。第一個工具是ESD IEC61000-4-2 ESD脈沖響應截圖，顯示的是隨時間推移的鉗位電壓響應，可以看出ESD事件中下游器件的情形。圖2：ESD鉗鉗位截圖除了ESD鉗位屏幕截圖，另一種方法是測量傳輸線路脈沖(TLP)來評估ESD鉗位性能。由於ESD事件是一個很短的瞬態脈沖，TLP可以測量電流與電壓(I-V)數據，其中每個數據點都是從短方脈沖獲得的。TLP I-V曲線和參數可以用來比較不同TVS器件的屬性，也可用於預測電路的ESD鉗位性能。圖3：典型TLP I-V曲線圖安森美半導體提供的高速介面ESD保護保護器件陣容有兩種類型。第一類最容易實現，被稱為傳統設計保護。在這種類型設計中，信號線在器件下運行。這些器件通常是電容最低的產品。另一類是採用PicoGuard XS技術的產品。這種類型設計使用阻抗匹配(Impedance Matched)電路，可保證100 Ω的阻抗，相當於電容為零。這類設計無需並聯電感，有助於最大限度地減少封裝引起的ESD電壓尖峰。圖4：傳統方法與PicoGuard XS設計方法的對比安森美半導體的保護和濾波解決方案均基於傳統硅晶元工藝技術。相比之下，其它類型的低成本無源解決方案使用的是陶瓷、鐵氧體和多層壓敏電阻(MLV)組合的材料。這類器件通常ESD鉗位性能較差。在某些情況下，傳遞給下游器件的能量可能比安森美半導體解決方案低一個量級。一些採用舊有技術的產品甚至可能在小量ESD沖擊後出現劣化並變得更糟。由於其材料性質，一些無源器件往往表現出溫度的不一致性，從而降低了終端系統在標准消費溫度和環境溫度范圍內運行的可靠性。1

❼ 半導體公司ESD的正確接地線怎麼接

防靜電地線可以引用強電地弱電地或者鋪設獨立接地。進入車間後採用樹型結構分支連接個防靜電單元。車間內的靜電地線與強電弱電地線不短接。