半導體RTP是什麼縮寫

A. 半導體GaN圓片在RTP快速熱退火後SiN膜破裂原因

1、主要懷疑溫度異常，可以做溫度窗口實驗再現確定一下。
2、襯底異常，缺陷密度影響到SIN應力。

B. rtp-6000快速退火裝置前面的數字什麼意思

激光退火技術抄開始主要用襲於修復離子注入損傷的半導體材料,特別是硅.傳統的加熱退火技術是把整個工件放在真空爐中,在一定的溫度(300°～1200℃)保溫退火10～60min。

可控硅又叫晶閘管，是晶體閘流管(Thyristor)的簡稱，俗稱可控硅，指的是具有四層交錯P、N層的半導體裝置。最早出現的一種是硅控整流器（Silicon Controlled Rectifier，SCR），中國大陸通常簡稱可控硅，又稱半導體控制整流器，是一種具有三個PN結的功率型半導體器件，為第一代半導體電力電子器件的代表。晶閘管的特點是具有可控的單向導電，即與一般的二極體相比，可以對導通電流進行控制。晶閘管具有以小電流（電壓）控制大電流（電壓）作用，並體積小、輕、功耗低、效率高、開關迅速等優點，廣泛用於無觸點開關、可控整流、逆變、調光、調壓、調速等方面。