p型半導體參什麼雜質

⑴ P型半導體中是不是雜質獲取電子的能力強

理解的復有一定的深度，空穴是制不同原子間形成共價鍵。共價鍵使不同原子公用電子，達到最外層八個電子的穩定結構，如果還有原子剩餘電子，則該電子自由。於是材料靠電子導電，即為N型。否則電子不足，照樣共價後，便在共價的位置產生反電子，即為空穴。空穴不自由，但可以傳遞，從而材料導電類型變成P型。

⑵ P型半導體是在純凈的半導體中摻入（ ）價雜質形成的

P型半導體，也稱為空穴型半導體。P型半導體即空穴濃度遠大於自由電子濃度的雜質半導體。 在純凈的硅晶體中摻入三價元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P型半導體。

⑶ P型半導體帶正電，N型半導體帶負電。 對錯

這種說法是錯的。

不論是P型還是N型半導體，它們本身是不帶電的，也就是保持電中性。區別只是載流子的濃度不同，P型中的空穴濃度大於自由電子濃度，N型自由電子濃度遠大於空穴濃度。

(3)p型半導體參什麼雜質擴展閱讀：

1、半導體中有兩種載流子，即價帶中的空穴和導帶中的電子，以電子導電為主的半導體稱之為N型半導體，與之相對的，以空穴導電為主的半導體稱為P型半導體。

2、「N」表示負電的意思，取自英文Negative的第一個字母。在這類半導體中，參與導電的 (即導電載體) 主要是帶負電的電子，這些電子來自半導體中的施主。凡摻有施主雜質或施主數量多於受主的半導體都是N型半導體。例如，含有適量五價元素砷、磷、銻等的鍺或硅等半導體。

由於N型半導體中正電荷量與負電荷量相等，故N型半導體呈電中性。自由電子主要由雜質原子提供，空穴由熱激發形成。摻入的雜質越多，多子（自由電子）的濃度就越高，導電性能就越強。

3、「P」表示正電的意思，取自英文Positive的第一個字母。在這類半導體中，參與導電的 (即電荷載體) 主要是帶正電的空穴，這些空穴來自半導體中的受主。因此凡摻有受主雜質或受主數量多於施主的半導體都是p型半導體。例如，含有適量三價元素硼、銦、鎵等的鍺或硅等半導體就是P型半導體。

由於P型半導體中正電荷量與負電荷量相等，故P型半導體呈電中性。空穴主要由雜質原子提供，自由電子由熱激發形成。摻入的雜質越多，多子（空穴）的濃度就越高，導電性能就越強。

⑷ p型半導體是在本徵半導體中滲透了什麼物質形成的

答案：p型半導體是在本徵半導體中滲透了（三價元素（如硼））物質形成的
P型半導體回，也稱為答空穴型半導體。P型半導體即空穴濃度遠大於自由電子濃度的雜質半導體。是在純凈的硅晶體中摻入三價元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位子，就形成P型半導體。在P型半導體中，空穴為多子，自由電子為少子，主要靠空穴導電。摻入的雜質越多，多子（空穴）的濃度就越高，導電性能就越強。

⑸ p型半導體中的雜質原子為什麼會成為不可移動的負離子

如果是單一雜質,那麼它能使半導體變成P型,就證明它是受主,受主就多電子.
比如B在Si中回,Si4個電子,B3個電子,但是摻雜答後,B多了一個電子.
如果是多種雜質,就有了雜質補償效應,看是受主多還是施主多,然後判斷相應的型

⑹ 在P型半導體中一般摻哪種類型的雜質主要是什麼元素

也稱為空穴型半導體。P型半導體即空穴濃度遠大於自由電子濃度的雜質半導體。回
在答純凈的硅晶體中摻入三價元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位子，就形成P型半導體。在P型半導體中，空穴為多子，自由電子為少子，主要靠空穴導電。空穴主要由雜質原子提供，自由電子由熱激發形成。摻入的雜質越多，多子（空穴）的濃度就越高，導電性能就越強。

⑺ 什麼是本徵半導體什麼是雜質半導體（N型、P型）

本徵半導體是非常純凈不含雜質的半導體晶體，而在單晶半導體內，原子按晶體結構排列得非常整齊。
雜質半導體就是摻入微量元素的本徵半導體，例：N型摻入五價元素磷，P型摻入三價元素硼。

⑻ 半導體的類型-N型、P型是怎樣定義和區別的

下面，我們將採用對比分析的方法來認識P型半導體和N型半導體。

P型半導體也稱為空穴型半導體。P型半導體即空穴濃度遠大於自由電子濃度的雜質半導體。在純凈的硅晶體中摻入三價元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位子，就形成P型半導體。在P型半導體中，空穴為多子，自由電子為少子，主要靠空穴導電。空穴主要由雜質原子提供，自由電子由熱激發形成。摻入的雜質越多，多子（空穴）的濃度就越高，導電性能就越強。

N型半導體也稱為電子型半導體。N型半導體即自由電子濃度遠大於空穴濃度的雜質半導體。在純凈的硅晶體中摻入五價元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半導體。在N型半導體中，自由電子為多子，空穴為少子，主要靠自由電子導電。自由電子主要由雜質原子提供，空穴由熱激發形成。摻入的雜質越多，多子（自由電子）的濃度就越高，導電性能就越強。

(8)p型半導體參什麼雜質擴展閱讀

半導體（ semiconctor），指常溫下導電性能介於導體（conctor）與絕緣體（insulator）之間的材料。半導體在收音機、電視機以及測溫上有著廣泛的應用。如二極體就是採用半導體製作的器件。半導體是指一種導電性可受控制，范圍可從絕緣體至導體之間的材料。無論從科技或是經濟發展的角度來看，半導體的重要性都是非常巨大的。今日大部分的電子產品，如計算機、行動電話或是數字錄音機當中的核心單元都和半導體有著極為密切的關連。常見的半導體材料有硅、鍺、砷化鎵等，而硅更是各種半導體材料中，在商業應用上最具有影響力的一種。

以GaN（氮化鎵）為代表的第三代半導體材料及器件的開發是新興半導體產業的核心和基礎，其研究開發呈現出日新月異的發展勢態。GaN基光電器件中，藍色發光二極體LED率先實現商品化生產 成功開發藍光LED和LD之後，科研方向轉移到GaN紫外光探測器上 GaN材料在微波功率方面也有相當大的應用市場。氮化鎵半導體開關被譽為半導體晶元設計上一個新的里程碑。美國佛羅里達大學的科學家已經開發出一種可用於製造新型電子開關的重要器件，這種電子開關可以提供平穩、無間斷電源。

參考資料

半導體-網路

⑼ 什麼是p型半導體，n型半導體，p

【n型半導體】「n」表示負電的意思，在這類半導體中，參與導電的主要是帶負電的電子，這些電子來自半導體中的「施主」雜質。所謂施主雜質就是摻入雜質能夠提供導電電子而改變半導體的導電性能。例如，半導體鍺和硅中的五價元素砷、銻、磷等原子都是施主雜質。如果在某一半導體的雜質總量中，施主雜質的數量佔多數，則這種半導體就是n型半導體。如果在硅單晶中摻入五價元素砷、磷。則在硅原子和砷、磷原子組成共價鍵之後，磷外層的五個電子中，四個電子組成共價鍵，多出的一個電子受原子核束縛很小，因此很容易成為自由電子。所以這種半導體中，電子載流子的數目很多，主要kao電子導電，叫做電子半導體，簡稱n型半導體。 【p型半導體】「p」表示正電的意思。在這種半導體中，參與導電的主要是帶正電的空穴，這些空穴來自於半導體中的「受主」雜質。所謂受主雜質就是摻入雜質能夠接受半導體中的價電子，產生同數量的空穴，從而改變了半導體的導電性能。例如，半導體鍺和硅中的三價元素硼、銦、鎵等原子都是受主。如果某一半導體的雜質總量中，受主雜質的數量佔多數，則這半導體是p型半導體。如果在單晶硅上摻入三價硼原子，則硼原子與硅原子組成共價鍵。由於硼原子數目比硅原子要少很多，因此整個晶體結構基本不變，只是某些位置上的硅原子被硼原子所代替。硼是三價元素，外層只有三個價電子，所以當它與硅原子組成共價鍵時，就自然形成了一個空穴。這樣，摻入的硼雜質的每一個原子都可能提供一個空穴，從而使硅單晶中空穴載流子的數目大大增加。這種半導體內幾乎沒有自由電子，主要kao空穴導電，所以叫做空穴半導體，簡稱p型半導體。 【p－n結】在一塊半導體中，摻入施主雜質，使其中一部分成為n型半導體。其餘部分摻入受主雜質而成為p型半導體，當p型半導體和n型半導體這兩個區域共處一體時，這兩個區域之間的交界層就是p-n結。p-n結很薄，結中電子和和空穴都很少，但在kao近n型一邊有帶正電荷的離子，kao近p型一邊有帶負電荷的離子。這是因為，在p型區中空穴的濃度大，在n型區中電子的濃度大，所以把它們結合在一起時，在它們交界的地方便要發生電子和空穴的擴散運動。由於p區有大量可以移動的空穴，n區幾乎沒有空穴，空穴就要由p區向n區擴散。同樣n區有大量的自由電子，p區幾乎沒有電子，所以電子就要由n區向p區擴散。隨著擴散的進行，p區空穴減少，出現了一層帶負電的粒子區；n區電子減少，出現了一層帶正電的粒子區。結果在p－n結的邊界附近形成了一個空間電荷區，p型區一邊帶負電荷的離子，n型區一邊帶正電荷的離子，因而在結中形成了很強的局部電場，方向由n區指向p區。當結上加正向電壓（即p區加電源正極，n區加電源負極）時，這電場減弱，n區中的電子和p區中的空穴都容易通過，因而電流較大；當外加電壓相反時，則這電場增強，只有原n區中的少數空穴和p區中的少數電子能夠通過，因而電流很小。因此p－n結具有整流作用。當具有p－n結的半導體受到光照時，其中電子和空穴的數目增多，在結的局部電場作用下，p區的電子移到n區，n區的空穴移到p區，這樣在結的兩端就有電荷積累，形成電勢差。這現象稱為p－n結的光生伏特效應。由於這些特性，用p－n結可製成半導體二極體和光電池等器件。如果在p－n結上加以反向電壓（n區加在電源正極，p區加在電源負極），電壓在一定范圍內，p－n結幾乎不通過電流，但當加在p－n結上的反向電壓越過某一數值時，發生電流突然增大的現象。這時p-n結被擊穿。p－n結被擊穿後便失去其單向導電的性能，但結並不一定損壞，此時將反向電壓降低，它的性能還可以恢復。根據其內在的物理過程，p－n結擊穿可分為雪崩擊穿和隧道擊穿兩種。

⑽ 什麼是P型半導體和N型半導體都有哪些性質呢

P型半導體
多數載流子為空穴的半導體。
型半導體中，空穴為多子，自由電子為少子，主要靠空穴導電。由於P型半導體中正電荷量與負電荷量相等，故P型半導體呈電中性。空穴主要由雜質原子提供，自由電子由熱激發形成。摻入的雜質越多，多子（空穴）的濃度就越高，導電性能就越強。
N型半導體
多數載流子為電子的半導體
也稱為電子型半導體。N型半導體即自由電子濃度遠大於空穴濃度的雜質半導體。
在純凈的硅晶體中摻入Ⅴ族元素（如磷、砷、銻等），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半導體。這類雜質提供了帶負電（Negative）的電子載流子，稱他們為施主雜質或n型雜質。在N型半導體中，自由電子為多子，空穴為少子，主要靠自由電子導電，由於N型半導體中正電荷量與負電荷量相等，故N型半導體呈電中性。自由電子主要由雜質原子提供，空穴由熱激發形成。摻入的雜質越多，多子（自由電子）的濃度就越高，導電性能就越強。