半導體介電常數是多少

❶ 半導體材料可以套用德魯德模型么，如果可以其介電常數怎麼推導

，等離子體色散

❷ 半導體與絕緣體的介電常數與折射率的關系

但是，它的折射率為1.33，亦即水的光頻介電常數ε→∞約為1.77，比81與電場強度E不再有線性關系 ，這使電介質表現出種種非線性效應（見非線性

❸ FR-4的電路板,厚1.0與0.8有什麼區別，另介電常數4.2與4.6的哪個做高頻好

電路板,厚1.0mm比0.8mm的堅固耐用。介電常數越低，絕緣程度越高，介電常數4.2的做高頻好。

近十年來，半導體工業界對低介電常數材料的研究日益增多，材料的種類也五花八門。然而這些低介電常數材料能夠在集成電路生產工藝中應用的速度卻遠沒有人們想像的那麼快。其主要 低介電常數薄膜機械性質量測結果
原因是許多低介電常數材料並不能滿足集成電路工藝應用的要求。圖2是不同時期半導體工業界預計低介電常數材料在集成電路工藝中應用的前景預測。 早在1997年，人們就認為在2003年，集成電路工藝中將使用的絕緣材料的介電常數（k值）將達到1.5。然而隨著時間的推移，這種樂觀的估計被不斷更新。到2003年，國際半導體技術規劃（ITRS 2003[7]）給出低介電常數材料在集成電路未來幾年的應用，其介電常數范圍已經變成2.7~3.1。 造成人們的預計與現實如此大差異的原因是，在集成電路工藝中，低介電常數材料必須滿足諸多條件,例如：足夠的機械強度（MECHANICAL strength）以支撐多層連線的架構、高楊氏系數（Young's molus）、高擊穿電壓（breakdown voltage>4MV/cm)、低漏電(leakage current<10-9 at 1MV/cm)、高熱穩定性（thermal stability >450oC)、良好的粘合強度(adhesion strength)、低吸水性（low moisture uptake）、低薄膜應力（low film stress）、高平坦化能力（planarization）、低熱漲系數（coefficient of thermal expansion）以及與化學機械拋光工藝的兼容性（compatibility with CMP process）等等。能夠滿足上述特性的完美的低介電常數材料並不容易獲得。例如，薄膜的介電常數與熱傳導系數往往就呈反比關系。因此，低介電常數材料本身的特性就直接影響到工藝集成的難易度。 目前在超大規模集成電路製造商中，TSMC、 Motorola、AMD以及NEC等許多公司為了開發90nm及其以下技術的研究，先後選用了應用材料公司（Applied Materials）的Black Diamond 作為低介電常數材料。該材料採用PE-CVD技術[8] ，與現有集成電路生產工藝完全融合，並且引入BLOk薄膜作為低介電常數材料與金屬間的隔離層，很好的解決了上述提及的諸多問題，是目前已經用於集成電路商業化生產為數不多的低介電常數材料之一。

❹ 哪裡能找到GaAs半導體材料的磁導率和介電常數

半導體物理，固體物理等課本上應該都有吧，在後面的附錄部分。