半導體出帶是什麼樣的

1. 請問本徵半導體的能帶結構是怎樣的

----------------導帶

-----------------價帶

本徵半導體帶隙中不存在雜質能級，能帶結構只由導帶和價帶構成

2. 半導體中的價電子佔有的能帶是價帶還是導帶

又是你啊．
應該是價帶吧,由於原子在緊密結合的時候,分裂的能級由專於軌道重疊,形成能帶.而價屬電子是半導體原子與周圍原子形成公價鍵時出現的.一般說,半導體導帶是空的,不象金屬是半滿的.費米能級在禁帶中,導帶中電子出現的概率極低.
應該這樣吧.
你是學電子的嗎?

3. 半導體材料到底是什麼顏色的

半導體材料到底是什麼顏色的

不同的半導體顏色不同，這與帶隙有關，窄帶隙吸收可內見光會偏容灰黑（比如Si），寬禁帶透可見光就是透明的（比如ZnO、GaN）；
摻雜少了，顏色沒啥變化，摻雜多了有變化。雜質在禁帶中會形成不同的能級（與雜質種類有關，摻多了會形成雜質局域能帶，稱之為中間帶，或與導帶底、價帶頂等銜接），影響光吸收，從而改變顏色；
體材料和薄膜的顏色有時不一樣。薄膜薄的會透光，厚的透光少；
若薄膜厚度與波長相近還會產生干涉相應，也影響薄膜顏色（類似與肥皂泡上的彩色，有時據此簡單推測薄膜厚度）。

4. 如何確定半導體是直接帶隙還是間接帶隙的

確定半導體是直接帶隙還是間接帶隙的可以用光致發光光譜。

光效率很大的話差專不多就是直接帶隙，發光效率低屬的話就是間接帶隙。直接帶隙材料吸收光譜應該能比較明顯地區分出本徵吸收帶和吸收邊，變化相對較緩，而間接帶隙材料比較陡峭。

間接帶隙半導體材料（如Si、Ge）導帶最小值（導帶底）和滿帶最大值在k空間中不同位置。形成半滿能帶不只需要吸收能量，還要改變動量。

電子在k狀態時的動量是（h/2pi）k，k不同，動量就不同，從一個狀態到另一個必須改變動量。與之相對的直接帶隙半導體則是電子在躍遷至導帶時不需要改變動量。

(4)半導體出帶是什麼樣的擴展閱讀：

光致發光過程包括熒光發光和磷光發光。通常用於半導體檢測和表徵的光致發光光譜指的是光致熒光發光。

光致發光特點：

1、光致發光優點

設備簡單，無破壞性，對樣品尺寸無嚴格要求；解析度高，可做薄層和微區分析。

2、光致發光缺點

通常只能做定性分析，而不作定量分析；如果做低溫測試，需要液氦降溫，條件比較苛刻；不能反映出非輻射復合的深能級缺陷中心。

5. n型半導體帶電嗎為什麼4.半導體分哪幾種各有什麼特點

不帶電。n型半導體是指在本徵半導體中加入五價元素，每一個五價元素原子與四個四價半導體元素原子形成四對共用電子對（每一對電子對由半導體元素原子與該五價元素原子各提供一個電子），這樣五價元素原子因四對八個共用電子而達到最外層電子穩定，於是多出來的一個電子（因為形成共用電子對時五價元素原子只貢獻了4個電子）就成為自由電子，這就是n型半導體的多數載流子。但是盡管如此，n型半導體還是不帶電。因為加入五價元素後所有原子的質子數與所有原子的電子數仍然相等，在加入五價元素後，在載流子的形成過程中不存在系統對外電子的失去或得到。因此整個系統還是靜電平衡，因此，不帶電。半導體一般分為本徵半導體和雜質半導體。雜質半導體根據摻入元素價態的不同又分為n型半導體（摻入五價元素）與p型半導體（摻入三價元素）。本徵半導體導電性能很差，其中電子和空穴都參與導電，而電子和空穴都是熱激發形成的。因此本徵半導體的導電性具有溫度敏感性。雜質半導體導電性能要好於本徵半導體。同時雜質半導體主要是多子（多數載流子）導電。這是因為五價或三價元素摻入的過程使多子數量遠多於少子數量。其中n型半導體多子為自由電子，p型半導體多子為空穴。因為雜質半導體多子數量主要和摻入雜質數量有關，因此其多子幾乎不受溫度影響。但其導電性對溫度也比較敏感，這是因為質半導體中的少子還是受熱激發產生的，因此也受溫度影響。

6. 半導體構造pnp. 如圖P＋N＋表示啥為啥帶個加號

p型和n型半導體的導電原理大致是：電子受激發後離開原位，留下空穴，帶-電的是電子，電子游離出來，與另一個缺了電子的空穴結合。可以認為空穴是帶+電的，從整體上看，電子和空穴的流動形成了電流。

7. 介紹下半導體的能帶理論

一般導體2邊度能壘/勢壘相同，對換高低電位時表現出來的電氣性能不變（電阻）內
半導體則不同，2邊度容勢壘不同，對換電位後的電氣性能截然不同（電阻）。

一般導體 看成是光滑平面上滾一個鋼珠。從左到右 或從右到左，動力學參數基本一樣。
半導體 看成是傾斜平面，則從高處往低處需要的初始動能很小，而從低處到高處需要比較大的初始動能。

8. 請解釋一下什麼叫半導體的「導帶邊緣」

導帶邊緣就是指導帶底附近。參見「http://blog.163.com/xmx028@126/」中的有專關說屬明。

9. 介紹下半導體的能帶理論

半導體能帶理論
分析半導體能帶理論，必須從能級，能帶，禁帶，價帶，導帶開始。因此分析如下：
能級（ Level）：在孤立原子中，原子核外的電子按照一定的殼層排列，每一殼層容納一定數量的電子。每個殼層上的電子具有分立的能量值，也就是電子按能級分布。為簡明起見，在表示能量高低的圖上，用一條條高低不同的水平線表示電子的能級，此圖稱為電子能級圖。 能帶（Enegy Band）：晶體中大量的原子集合在一起，而且原子之間距離很近，以硅為例，每立方厘米的體積內有5×1022個原子，原子之間的最短距離為0.235nm。致使離原子核較遠的殼層發生交疊，殼層交疊使電子不再局限於某個原子上，有可能轉移到相鄰原子的相似殼層上去，也可能從相鄰原子運動到更遠的原子殼層上去，這種現象稱為電子的共有化。從而使本來處於同一能量狀態的電子產生微小的能量差異，與此相對應的能級擴展為能帶。 禁帶（Forbidden Band）：允許被電子占據的能帶稱為允許帶，允許帶之間的范圍是不允許電子占據的，此范圍稱為禁帶。原子殼層中的內層允許帶總是被電子先佔滿，然後再占據能量更高的外面一層的允許帶。被電子占滿的允許帶稱為滿帶，每一個能級上都沒有電子的能帶稱為空帶。 價帶（Valence Band）：原子中最外層的電子稱為價電子，與價電帶。 導帶（Conction Band）：價帶以上能量最低的允許帶稱為導帶。 導帶的底能級表示為Ec，價帶的頂能級表示為Ev，Ec與Ev之間的能量間隔稱為禁帶Eg。 半導體的導電作用是通過帶電粒子的運動（形成電流）來實現的，這種電流的載體稱為載流子。半導體中的載流子是帶負電的電子和帶正電的空穴。對於不同的材料，禁帶寬度不同，導帶中電子的數目也不同，從而有不同的導電性。例如，絕緣材料SiO2的Eg約為5.2eV，導帶中電子極少，所以導電性不好，電阻率大於1012Ω·cm。半導體Si的Eg約為1.1eV，導帶中有一定數目的電子，從而有一定的導電性，電阻率為10-3—1012Ω·cm。金屬的導帶與價帶有一定程度的重合，Eg=0，價電子可以在金屬中自由運動，所以導電性好，電阻率為10-6—10-3Ω·cm。