哪些因素影響摻雜半導體

❶ 摻雜對半導體導電性能的影響有那些

不摻雜的半導體為本徵半導體,導電依靠受熱激發的產生的激發電子和空穴.而摻雜專可以在很大程度上提屬高半導體的導電性.
摻雜可分為N型摻雜和P型摻雜.N型摻雜會增加N(電子)導電.P型摻雜增加空穴導電.
PN結就是半導體一部分P型摻雜,一部分N型摻雜形成的.
希望對你有所幫助.

❷ 影響半導體禁帶寬度的因素有哪些分別是怎麼影響的

我來回答一下，來本人某電微自電子科學與工程專業，有表述不當之處，望批評指正。
影響半導體禁帶寬度的因素主要有兩種：溫度與摻雜濃度。（以si、Ge、GaAs半導體為主）
1、半導體禁帶寬度具有負溫度系數：
從原子到晶體，經過價鍵雜化（即：sp3雜化），一條原子能級一般對應多個能帶。當溫度升高時，晶體的原子間距增大，能帶寬度雖然變窄，但禁帶寬度卻是減小的。（這里解釋一下，雖然原子間距增大了，並且能帶寬度變窄了，但是此時有多條能帶，相對來說，禁帶寬度是變小的）；
2、摻雜濃度升高時，由於雜質能級的出現，可能導致禁帶寬度變窄：
其實這一點從本質來解釋是不太好理解的，我這里舉個例子，再給出我個人的一些理解，希望可以幫助你理解這一點。例：在BJT中，發射區高摻雜會導致禁帶寬度變窄。我個人理解是，有了雜質能級的加入，導電性增強，就像把禁帶寬度一分為二，原先的阻礙減少了一部分，相當於禁帶寬度變窄了。（純屬個人理解）

❸ 半導體的光電導受哪些因素的影響

半導體材料的導電性對某些微量雜質極敏感.純度很高的半導體材料稱為本徵半導體,常溫下其電阻率很高,是電的不良導體.在高純半導體材料中摻入適當雜質後,由於雜質原子提供導電載流子,使材料的電阻率大為降低.這種摻雜半導體常稱為雜質半導體.雜質半導體靠導帶電子導電的稱N型半導體,靠價帶空穴導電的稱P型半導體.不同類型半導體間接觸（構成PN結）或半導體與金屬接觸時,因電子（或空穴）濃度差而產生擴散,在接觸處形成位壘,因而這類接觸具有單向導電性.利用PN結的單向導電性,可以製成具有不同功能的半導體器件,如二極體、三極體、晶閘管等.此外,半導體材料的導電性對外界條件（如熱、光、電、磁等因素）的變化非常敏感,據此可以製造各種敏感元件,用於信息轉換.
半導體材料的特性參數有禁帶寬度、電阻率、載流子遷移率、非平衡載流子壽命和位錯密度.禁帶寬度由半導體的電子態、原子組態決定,反映組成這種材料的原子中價電子從束縛狀態激發到自由狀態所需的能量.電阻率、載流子遷移率反映材料的導電能力.非平衡載流子壽命反映半導體材料在外界作用（如光或電場）下內部載流子由非平衡狀態向平衡狀態過渡的弛豫特性.位錯是晶體中最常見的一類缺陷.位錯密度用來衡量半導體單晶材料晶格完整性的程度,對於非晶態半導體材料,則沒有這一參數.半導體材料的特性參數不僅能反映半導體材料與其他非半導體材料之間的差別 ,更重要的是能反映各種半導體材料之間甚至同一種材料在不同情況下,其特性的量值差別.

❹ 溫度、壓力，還有什麼外界因素對半導體的導電性能有很大影響

那要看其材料，如：聲敏電阻是由聲音控制的。

❺ 影響半導體器件響應特性的因素有哪些

如果是響應特性的話題主可能是想問半導體的響應速度，也就是對高頻信號的響應。
首先在半回導體本身上面分析答，就是看禁帶的形狀，因為這影響到電子在半導體內部的有效質量，禁帶變化得越激烈，有效質量越小，受電場加速越快，響應速度就越快。
同理還跟摻雜有關系，摻雜越多電子運動阻礙變多，弛豫時間變短，響應也會變慢。
在期間層面上金屬半導體結或者pn結之間的勢壘相差太大，電子穿越的時候需要能量就高，響應也會變慢；
還有就是半導體作材料時的厚度，接觸面積都會影響傳播的時間影響響應速度：材料越薄，接觸面積越大，響應越快。
如果沒有回答對方向可以隨時回復~

❻ 影響半導體性能的三個因素

半導體五大特性∶摻雜性，熱敏性，光敏性，負電阻率溫度特性，整流特性。
三個因素——雜質、溫度、光照

❼ 摻雜對半導體導電性能的影響有那些

不摻雜的半導體為本徵半導體，導電依靠受熱激發的產生的激發電子和空穴。而摻雜可以在版很大權程度上提高半導體的導電性。
摻雜可分為N型摻雜和P型摻雜。N型摻雜會增加N(電子)導電。P型摻雜增加空穴導電。
PN結就是半導體一部分P型摻雜，一部分N型摻雜形成的。
希望對你有所幫助。

❽ 摻雜雜質半導體中影響多數和少數載流子數量的最主要原因是什麼急！！！！

主要原因是雜質在禁帶里占的位置和雜質濃度。

❾ 對半導體性能都有很大影響的外界因素有哪些

對半導體性質影響最大的是溫度：禁帶寬度與溫度有關；載流子濃度更是與溫內度有關；載流子容遷移率也與溫度有關；半導體的體積等也與溫度有關（熱膨脹）。
光照影響：可產生非平衡載流子，導致光電導。
壓力影響：壓阻效應。
接觸影響：形成pn結、金屬-半導體接觸等。
電場影響：可產生場致發射等。
磁場影響：半導體的Hall效應遠大於金屬。
氣氛影響：表面狀態與氣氛有很大關系。