半導體有多少種

『壹』 半導體設備有哪些種類

一、分立器件

1、 二極體

A、一般整流用

B、高速整流用：

①FRD（Aast Recovery Diode:高速恢復二極體）

②HED（Figh Efficiency Diode:高速高效整流二極體）

③SBD（Schottky Barrier Diode:肖特基勢壘二極體）

C、定壓二極體（齊納二極體）

D、高頻二極體

①變容二極體

②PIN二極體

③穿透二極體

④崩潰二極體/甘恩二極體/驟斷變容二極體

2、 晶體管

①雙極晶體管

②FET（Fidld Effect Transistor:場效應管）

Ⅰ、接合型FET

Ⅱ、MOSFET

③IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor:絕緣柵雙極晶體管)

3、 晶閘管

①SCR(Sillicon Controllde Rectifier:硅控整流器)/三端雙向可控硅

②GTO（Gate Turn off Thyristor:柵極光閉晶閘管）

③LTT（Light Triggered Thyristor:光觸發晶閘管）

二、光電半導體

1、LED（Light Emitting Diode:發光二極體）

2、激光半導體

3、受光器件

①光電二極體（Photo Diode）/太陽能電池（Sola Cell）

②光電晶體管（Photo Transistor）

③CCD圖像感測器（Charge Coupled Device:電荷耦合器）

④CMOS圖像感測器（complementary Metal Oxide Semiconctor:互補型金屬氧化膜半導體）

4、光耦(photo Relay)

①光繼電器（photo Relay)

②光斷路器（photo Interrupter）

5、光通訊用器件

三、邏輯IC

1、通用邏輯IC

2、微處理器（Micro Processor）

①CISC(Complex Instruction Set Computer:復雜命令集計算機)

②RISC(Reced instruction SET Computer:縮小命令集計算機)

3、DSP(Digital Signal processor:數字信號處理器件)

4、AASIC（Application Specific integrated Circuit:特殊用途IC）

①柵陳列（Gate-Array Device）

②SC(Standard Cell:標准器件)

③FPLD(Field programmable Logic Device:現場可編程化邏輯裝置)

5、MPR（Microcomputer peripheral:微型計算機外圍LSI）

6、系統LSI（System LSI）

四、模擬IC（以及模擬數字混成IC）

1、電源用IC

2、運算放大器（OP具Amp）

3、AD、DA轉換器（AD DA Converter）

4、顯示器用驅動器IC(Display Driver IC)

五、存儲器

1、DRAM(Dynamic Random Access Memory:動態隨機存取存儲器)

2、SRAM(Static Random Access Memory:靜態隨機存取儲器)

3、快閃式存儲器(Flash Memory)

4、掩模ROM(mask Memory)

5、FeRAM(Ferroelectric Random Access Memory:強介電質存儲器)

6、MRAM(Magnetic Random Access Memory:磁性體存儲器)

『貳』 常見的半導體材料有幾種他們各自有什麼特點

常見的半導體材料復有硅（si）、制鍺（ge）,化合物半導體，如砷化鎵（gaas）等;摻雜或製成其它化合物半導體材料，如硼（b）、磷（p）、錮（in）和銻（sb）等。其中硅是最常用的一種半導體材料。
有以下共同特點：
1．半導體的導電能力介於導體與絕緣體之間
2．半導體受外界光和熱的刺激時，其導電能力將會有顯著變化。
3．在純凈半導體中，加入微量的雜質，其導電能力會急劇增強。

『叄』 半導體有哪些型號

雜質半導體：通過擴散工藝，在本徵半導體中摻入少量合適的雜質元素，可得到雜質專半導體。屬
N型半導體：在純凈的硅晶體中摻入五價元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半導體。
多數載流子：N型半導體中，自由電子的濃度大於空穴的濃度，稱為多數載流子，簡稱多子。
少數載流子：N型半導體中，空穴為少數載流子，簡稱少子。
施子原子：雜質原子可以提供電子，稱施子原子。
N型半導體的導電特性：它是靠自由電子導電，摻入的雜質越多，多子（自由電子）的濃度就越高，導電性能也就越強。
P型半導體：在純凈的硅晶體中摻入三價元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，形成P型半導體。

『肆』 半導體元件有哪些類型及特點

半導體器件（semiconctor device）通常，這些半導體材料是硅、鍺或砷化鎵，可用作整流器、振盪回器、發光器、放大器、測光答器等器材。
為了與集成電路相區別，有時也稱為分立器件。
絕大部分二端器件（即晶體二極體）的基本結構是一個PN結。利用不同的半導體材料、採用不同的工藝和幾何結構，已研製出種類繁多、功能用途各異的多種晶體二極，可用來產生、控制、接收、變換、放大信號和進行能量轉換。晶體二極體的頻率覆蓋范圍可從低頻、高頻、微波、毫米波、紅外直至光波。
三端器件一 般是有源器件，典型代表是各種晶體管（又稱晶體三極體）。
順便說一下半導體行業的企業，如Macom科技公司。
MACOM是半導體行業的支柱型企業，有著60多年的發展歷程。是一家高性能模擬射頻、微波和光學半導體產品領域的領先供應商，在射頻、微波、光電領域均享有很高知名度。

『伍』 半導體器件有哪些分類

現在被稱作半導體器件的種類如下所示。按照其製造技術可分為分立器件半導體、光電半導體、邏輯IC、模擬IC、存儲器等大類，一般來說這些還會被再分成小類。此外，IC除了在製造技術上的分類以外，還有以應用領域、設計方法等進行分類，最近雖然不常用，但還有按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其規模進行分類的方法。此外，還有按照其所處理的信號，可以分成模擬、數字、模擬數字混成及功能進行分類的方法。
半導體器件的種類：
一、分立器件
1、 二極體
A、一般整流用
B、高速整流用：
①FRD（Aast Recovery Diode:高速恢復二極體）
②HED（Figh Efficiency Diode:高速高效整流二極體）
③SBD（Schottky Barrier Diode:肖特基勢壘二極體）
C、定壓二極體（齊納二極體）
D、高頻二極體
①變容二極體
②PIN二極體
③穿透二極體
④崩潰二極體/甘恩二極體/驟斷變容二極體
2、 晶體管
①雙極晶體管
②FET（Fidld Effect Transistor:場效應管）
Ⅰ、接合型FET
Ⅱ、MOSFET
③IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor:絕緣柵雙極晶體管)
3、 晶閘管
①SCR(Sillicon Controllde Rectifier:硅控整流器)/三端雙向可控硅
②GTO（Gate Turn off Thyristor:柵極光閉晶閘管）
③LTT（Light Triggered Thyristor:光觸發晶閘管）

二、光電半導體
1、LED（Light Emitting Diode:發光二極體）
2、激光半導體
3、受光器件
①光電二極體（Photo Diode）/太陽能電池（Sola Cell）
②光電晶體管（Photo Transistor）
③CCD圖像感測器（Charge Coupled Device:電荷耦合器）
④CMOS圖像感測器（complementary Metal Oxide Semiconctor:互補型金屬氧化膜半導體）
4、光耦(photo Relay)
①光繼電器（photo Relay)
②光斷路器（photo Interrupter）
5、光通訊用器件

三、邏輯IC
1、通用邏輯IC
2、微處理器（Micro Processor）
①CISC(Complex Instruction Set Computer:復雜命令集計算機)
②RISC(Reced instruction SET Computer:縮小命令集計算機)
3、DSP(Digital Signal processor:數字信號處理器件)
4、AASIC（Application Specific integrated Circuit:特殊用途IC）
①柵陳列（Gate-Array Device）
②SC(Standard Cell:標准器件)
③FPLD(Field programmable Logic Device:現場可編程化邏輯裝置)
5、MPR（Microcomputer peripheral:微型計算機外圍LSI）
6、系統LSI（System LSI）

四、模擬IC（以及模擬數字混成IC）
1、電源用IC
2、運算放大器（OP具Amp）
3、AD、DA轉換器（AD DA Converter）
4、顯示器用驅動器IC(Display Driver IC)

五、存儲器
1、DRAM(Dynamic Random Access Memory:動態隨機存取存儲器)
2、SRAM(Static Random Access Memory:靜態隨機存取儲器)
3、快閃式存儲器(Flash Memory)
4、掩模ROM(mask Memory)
5、FeRAM(Ferroelectric Random Access Memory:強介電質存儲器)
6、MRAM(Magnetic Random Access Memory:磁性體存儲器)

『陸』 半導體材料有哪些

常用的半導體材料分為元素半導體和化合物半導體。元素半導體是由單一元素製成的半導體材料。主要有硅、鍺、硒等，以硅、鍺應用最廣。化合物半導體分為二元系、三元系、多元系和有機化合物半導體。二元系化合物半導體有Ⅲ-Ⅴ族（如砷化鎵、磷化鎵、磷化銦等）、Ⅱ-Ⅵ族（如硫化鎘、硒化鎘、碲化鋅、硫化鋅等）、
Ⅳ-Ⅵ族（如硫化鉛、硒化鉛等）
、Ⅳ-Ⅳ族（如碳化硅）化合物。三元系和多元系化合物半導體主要為三元和多元固溶體，如鎵鋁砷固溶體、鎵鍺砷磷固溶體等。有機化合物半導體有萘、蒽、聚丙烯腈等，還處於研究階段。此外，還有非晶態和液態半導體材料，這類半導體與晶態半導體的最大區別是不具有嚴格周期性排列的晶體結構。

『柒』 天然半導體有哪些

在純凈的硅晶復體中摻制入五價元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半導體。在N型半導體中，自由電子為多子，空穴為少子，主要靠自由電子導電。自由電子主要由雜質原子提供，空穴由熱激發形成。摻入的雜質越多，多子（自由電子）的濃度就越高，導電性能就越強。
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『捌』 半導體有哪些常見的應用

半導體一般指復硅晶體制,它的導電性介於導體和絕緣體之間.
半導體是指導電能力介於金屬和絕緣體之間的固體材料.按內部電子結構區分,半導體與絕緣體相似,它們所含的價電子數恰好能填滿價帶,並由禁帶和上面的導帶隔開.半導體與絕緣體的區別是禁帶較窄,在2～3電子伏以下.
典型的半導體是以共價鍵結合為主的,比如晶體硅和鍺.半導體靠導帶中的電子或價帶中的空穴導電.它的導電性一般通過摻入雜質原子取代原來的原子來控制.摻入的原子如果比原來的原子多一個價電子,則產生電子導電；如果摻入的雜質原子比原來的原子少一個價電子,則產生空穴導電.
半導體的應用十分廣泛,主要是製成有特殊功能的元器件,如晶體管、集成電路、整流器、激光器以及各種光電探測器件、微波器件等.