化合物半導體與si相比有哪些優缺點

① 硅是重要的半導體材料，構成了現代電子工業的基礎．回答下列問題：（1）基態Si原子中，電子占據的能量最

（1）原子中，離原子核越遠的電子層其能量越高，所以Si原子中M電子層能量最高；該原子中含有3個s軌道、6個p軌道，所以一共有9個軌道，
故答案為：M；9；
（2）硅屬於親氧元素，在自然界中不能以單質存在，主要以二氧化硅和硅酸鹽存在，故答案為：二氧化硅；
（3）硅單質中硅硅之間以共價鍵結合，硅晶胞中每個頂點上有1個Si、面心是有1個Si、在晶胞內部含有4個Si原子，利用均攤法知，面心提供的硅原子個數=6×

1

2

=3，
故答案為：共價鍵；3；
（4）可使濕潤的紅色石蕊試紙變藍的氣體是氨氣，再根據元素守恆知還生成氯化鎂MgCl₂，所以反應方程式為：Mg₂Si+4NH₄Cl=SiH₄↑+4NH₃↑+2MgCl₂，
故答案為：Mg₂Si+4NH₄Cl=SiH₄↑+4NH₃↑+2MgCl₂；
（5）①鍵能越大形成的化學鍵越穩定，C-C鍵和C-H鍵的鍵能大於Si-Si鍵和Si-H鍵的鍵能，所以
C-C鍵和C-H鍵較強，所形成的烷烴穩定，而硅烷中Si-Si鍵和Si-H鍵的鍵能較低，易斷裂，導致長鏈硅烷難以生成，故答案為：C-C鍵和C-H鍵較強，所形成的烷烴穩定，而硅烷中Si-Si鍵和Si-H鍵的鍵能較低，易斷裂，導致長鏈硅烷難以生成；
②鍵能越大形成的化學鍵越穩定，CC-H鍵的鍵能大於Si-H鍵的鍵能，而Si-H鍵的鍵能卻遠小於Si-O鍵，所以Si-H鍵不穩定而傾向於形成穩定性更強的Si-O鍵，
故答案為：C-H鍵的鍵能大於C-O鍵，C-H鍵比C-O鍵穩定，而Si-H鍵的鍵能卻遠小於Si-O鍵，所以Si-H鍵不穩定而傾向於形成穩定性更強的Si-O鍵；
（6）根據圖片知，每個三角錐結構中Si原子是1個，O原子個數=2+2×

1

2

=3，所以硅原子和氧原子個數之比=1：3，3個O原子帶6個單位負電荷，每個硅原子帶4個單位正電荷，所以形成離子為[SiO₃]_n^2n-（或SiO₃^2-），
故答案為：1：3；[SiO₃]_n^2n-（或SiO₃^2-）．

② 砷化鎵半導體摻入Si 是n型半導體還是P型 求詳細解答 謝謝

上面答案說的很對但似乎又什麼都沒說。。
摻入Si一般會形成N型半導體，Si更容易替換Ga

③ 雜質在元素半導體 Si和Ge中的作用

1) 本徵半導體是一種完全純凈的、結構完整的半導體晶體。絕對零度時價帶被價電子填滿，導回帶是空的。
2) 隨著答溫度的升高，本徵載流子濃度迅速地增加，在本徵時器件不能穩定工作。而對於摻雜半導體，室溫附近載流子主要來源於雜質電離，在雜質全部電離的情況下，載流子濃度一定，器件就能穩定工作。所以，製造半導體器件一般都會用含有何當雜志的半導體材料，而且每一種半導體材料製成的器件都有一定的極限工作溫度，超過這一溫度後，器件就會失效。
3) 雜質在元素半導體 Si和Ge中的作用：是半導體Si\Ge的導電性能發生顯著的改變。

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④ Bi"為什麼不是半導體它與『Si』的位子不是一樣的嗎

鉍(Bi)的硒化物和碲化物具有半導體性質。可以作為半導體。但是，Bi的導熱版性太差，熔點太低（權最高271.3℃就融化並會燃燒，而鍺是它的三倍）。並且鉍元素在凝固時候會膨脹，膨脹率3.3%，較脆。
依據上面的特性，鉍元素如果作為半導體晶元時，某些晶元需要工作在高溫情況下，或晶元自身發熱，鉍容易融化。而且在凝固時會變大。
所以根據鉍元素的特性，鉍主要用於製造易熔合金，熔點范圍是47～262℃，最常用的是鉍同鉛、錫、銻 、銦等金屬組成的合金，用於消防裝置、自動噴水器、鍋爐的安全塞，一旦發生火災時，一些水管的活塞會「自動」熔化，噴出水來。 在消防和電氣工業上，用作自動滅火系統和電器保險絲、焊錫。

⑤ si半導體 是什麼意思

就是硅基半導體,Si是化學元素硅,
硅基半導體是以硅材料為基礎發展起來的新型材料。包括絕緣層上的硅材料、鍺硅材料、多孔硅、微晶硅以及以硅為基底異質外延其他化合物半導體材料等。

⑥ 簡述Si半導體的重要性

有晶態和無定形兩種同素異形體。晶態硅又分為單晶硅和多晶硅，它們均具有金剛石晶格，晶體硬而脆，具有金屬光澤，能導電，但導電率不及金屬，且隨溫度升高而增加，具有半導體性質。晶態硅的熔點1410C,沸點2355C,密無定形硅是一種黑灰色的粉末。
硅的化學性質

硅在常溫下不活潑，其主要的化學性質如下：

(1)與非金屬作用
常溫下Si只能與F2反應，在F2中瞬間燃燒，生成SiF4.

Si+F2 === Si+F4

加熱時，能與其它鹵素反應生成鹵化硅，與氧反應生成SiO2:

Si+2F2 SiF4 (X=Cl,Br,I)

Si+O2 SiO2 (SiO2的微觀結構)

在高溫下，硅與碳、氮、硫等非金屬單質化合，分別生成碳化硅SiC、氮化硅Si3N4和硫化硅SiS2等.

Si+C SiC
3Si+2N2 Si3N4
Si+2S SiS2

(2)與酸作用
Si在含氧酸中被鈍化，但與氫氟酸及其混合酸反應，生成SiF4或H2SiF6:

Si+4HF SiF4↑+2H2↑
3Si+4HNO3+18HF === 3H2SiF6+4NO↑+8H2O

(3)與鹼作用
無定形硅能與鹼猛烈反應生成可溶性硅酸鹽，並放出氫氣：

Si+2NaOH+H2O === Na2SiO3+2H2↑

(4)與金屬作用
硅還能與鈣、鎂、銅、鐵、鉑、鉍等化合，生成相應的金屬硅化物。

⑦ 為什麼絕大多數的集成電路都採用了Si半導體

因為Si半導體的技術非常成熟並且原料成本很低，是繼鍺之後最先研究的半導體材回料，非常具有代表性所以答教材中也大都講的是Si工藝。集成電路非常昂貴，每一條生產線都要用好久，並且第三代半導體上做集成電路也是最近才成功。

⑧ 高中所說的半導體是SIO2還是SI

Si

⑨ si和gaas半導體晶體的解理面分別是什麼為什麼

礦物晶體在外力作用下嚴格沿著一定結晶方向破裂，並且能裂出光滑平面的性質稱為解理，這些在解理中出現的平面稱為解理面。

⑩ 在摻雜的元素半導體Si、Ge中，一般情況下的主要散射機構是什麼

答：1) 對摻雜的Si、Ge，主要的散射機構是聲學波散射和電離雜質散射；
2) 對III-V族化版合物半導權體，如GaAS，光學波散射也很重要，即主要散射機構是聲學波散射、電離雜質散射和光學波散射；
3) 電離雜質散射：τi∝Ni^(-1)T^(3/2),
聲學波散射：τs∝T^(-3/2),
光學波散射：τ0∝exp[(hυl/k0T)-1]

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