半導體技術是什麼時候發明的

① 集成電路是誰發明的

​集成電路是不是誰發明的，是科技進步的產物。

集成電路（integrated circuit）是一種微型電子器件或部件。採用一定的工藝，把一個電路中所需的晶體管、二極體、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，製作在一小塊或幾小塊半導體晶片或介質基片上，然後封裝在一個管殼內，成為具有所需電路功能的微型結構；其中所有元件在結構上已組成一個整體，使電子元件向著微小型化、低功耗和高可靠性方面邁進了一大步。它在電路中用字母「IC」表示。集成電路發明者為傑克·基爾比（基於硅的集成電路）和羅伯特·諾伊思（基於鍺的集成電路）。當今半導體工業大多數應用的是基於硅的集成電路。

集成電路具有體積小、重量輕、引出線和焊接點少、壽命長、可靠性高、性能好等優點，同時成本低，便於大規模成產。它不僅在工、民用電子設備如電視機計算機等方面得到廣泛的應用，同時在軍事通信等方面也得到廣泛應用。

發展
總體來看，IC設計業與晶元製造業所佔比重呈逐年上升的趨勢，2010年已分別達到25.3%和31%;封裝測試業所佔比重則相應下降，2010年為43.7%，但其所佔比重依然是最大的。

據《中國集成電路封裝行業市場前瞻與投資戰略規劃分析報告前瞻》顯示，在產業規模快速增長的同時，IC 設計、晶元製造和封裝測試三業的格局也正不斷優化。2010年，國內IC設計業同比增速達到34.8%，規模達到363.85億元;晶元製造業增速也達到31.1%，規模達到447.12億元;封裝測試業增速相對稍緩，同比增幅為26.3%，規模為629.18億元。

目前，我國集成電路產業集群已初步形成集聚長三角、環渤海和珠三角三大區域的總體產業空間格局，2010年三大區域集成電路產業銷售收入佔全國整體產業規模的近95%。集成電路產業基本分布在省會城市和沿海的計劃單列市，並呈現「一軸一帶」的分布特徵，即東起上海、西至成都的沿江發展軸以及北起大連、南至深圳的沿海產業帶，形成了北京、上海、深圳、無錫、蘇州和杭州六大重點城市。

去年年初，國務院發布了《國務院關於印發進一步鼓勵軟體產業和集成電路產業發展若干政策的通知》，從財稅、投融資、研發、進出口、人才、知識產權等方面給予集成電路產業諸多優惠，政策覆蓋范圍從設計企業與生產企業延伸至封裝、測試、設備、材料等產業鏈上下游企業，產業發展政策環境進一步好轉。前瞻網《中國集成電路行業市場需求預測與投資戰略規劃分析報告》表示，根據國家規劃，到2015年國內集成電路產業規模將在2010年的基礎上再翻一番，銷售收入超過3000億元，滿足國內30%的市場需求。晶元設計能力大幅提升，開發出一批具有自主知識產權的核心晶元，而封裝測試業進入國際主流領域。「十二五」期間，中國集成電路產業將步入一個新的黃金發展期。

② 集成電路是誰發明的

就像阿塔納索夫曾與莫奇利為誰發明了第一台數字電子計算機而對簿公堂一樣，在究竟是誰最先發明了集成電路這件事上，諾伊斯所在的仙童公司也曾與柯爾比所在的德州儀器公司大打官司。其實，也許可以說諾伊斯和柯爾比都是集成電路之父，因為前者發明了基於硅的集成電路，後者發明的是基於鍺的集成電路。在這場競爭中諾伊斯是笑到最後的人，因為今日的半導體工業已幾乎是硅集成電路的天下了。

半導體對羅伯特·諾伊斯有一種莫名的吸引力，諾伊斯畢業後的第一份工作就是在Philco公司的晶體管部門。60至70年代，隨著半導體工業巨大的商業潛力逐漸顯現，大批風險投資家湧入矽谷，與計算機相關的小公司如雨後春筍般大量成立。1968年，諾伊斯和戈登·摩爾、安德魯·格魯夫以及其他幾名仙童公司雇員成立了英特爾公司，業界的又一段傳奇由此開始。

③ 半導體是誰發明的

半導體是美國貝爾實驗室於1948年發明的。

④ 半導體歷史發展有哪些

半導體的發現實際上可以追溯到很久以前。

1833年，英國科學家電子學之父法拉第最先發現硫化銀的電阻隨著溫度的變化情況不同於一般金屬，一般情況下，金屬的電阻隨溫度升高而增加，但巴拉迪發現硫化銀材料的電阻是隨著溫度的上升而降低。這是半導體現象的首次發現。

不久，1839年法國的貝克萊爾發現半導體和電解質接觸形成的結，在光照下會產生一個電壓，這就是後來人們熟知的光生伏特效應，這是被發現的半導體的第二個特徵。

1873年，英國的史密斯發現硒晶體材料在光照下電導增加的光電導效應，這是半導體又一個特有的性質。

半導體的這四個效應，(jianxia霍爾效應的余績──四個伴生效應的發現)雖在1880年以前就先後被發現了，但半導體這個名詞大概到1911年才被考尼白格和維斯首次使用。而總結出半導體的這四個特性一直到1947年12月才由貝爾實驗室完成。

在1874年，德國的布勞恩觀察到某些硫化物的電導與所加電場的方向有關，即它的導電有方向性，在它兩端加一個正向電壓，它是導通的；如果把電壓極性反過來，它就不導電，這就是半導體的整流效應，也是半導體所特有的第三種特性。同年，舒斯特又發現了銅與氧化銅的整流效應。

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人物貢獻:

1、英國科學家法拉第(MIChael Faraday，1791~1867)

在電磁學方面擁有許多貢獻，但較不為人所知的，則是他在1833年發現的其中一種半導體材料。

硫化銀，因為它的電阻隨著溫度上升而降低，當時只覺得這件事有些奇特，並沒有激起太大的火花；

然而，今天我們已經知道，隨著溫度的提升，晶格震動越厲害，使得電阻增加，但對半導體而言，溫度上升使自由載子的濃度增加，反而有助於導電，這也是半導體一個非常重要的物理性質。

2、德國的布勞恩(Ferdinand Braun，1850~1918)。

注意到硫化物的電導率與所加電壓的方向有關，這就是半導體的整流作用。

但直到1906年，美國電機發明家匹卡(G. W. PICkard，1877~1956)，才發明了第一個固態電子元件：無線電波偵測器(cat』s whisker)，它使用金屬與硅或硫化鉛相接觸所產生的整流功能，來偵測無線電波。

在整流理論方面，德國的蕭特基(Walter Schottky，1886~1976)在1939年，於「德國物理學報」發表了一篇有關整流理論的重要論文，做了許多推論，他認為金屬與半導體間有能障(potential barrier)的存在，其主要貢獻就在於精確計算出這個能障的形狀與寬度。

3、布洛赫(Felix BLOCh，1905~1983)

在這方面做出了重要的貢獻，其定理是將電子波函數加上了周期性的項，首開能帶理論的先河。

另一方面，德國人佩爾斯(Rudolf Peierls， 1907~ ) 於1929年，則指出一個幾乎完全填滿的能帶，其電特性可以用一些帶正電的電荷來解釋，這就是電洞概念的濫觴；

他後來提出的微擾理論，解釋了能隙(Energy gap)存在。

⑤ 半導體的發明

半導體的發現實際上可以追溯到很久

1833年，英國巴拉迪最先發現硫化銀的電阻隨著溫度的變化情況不同於一般金屬，一般情況下，金屬的電阻隨溫度升高而增加，但巴拉迪發現硫化銀材料的電阻是隨著溫度的上升而降低。這是半導體現象的首次發現。

不久， 1839年法國的貝克萊爾發現半導體和電解質接觸形成的結，在光照下會產生一個電壓，這就是後來人們熟知的光生伏特效應，這是被發現的半導體的第二個特徵。
在1874年，德國的布勞恩觀察到某些硫化物的電導與所加電場的方向有關，即它的導電有方向性，在它兩端加一個正向電壓，它是導通的；如果把電壓極性反過來，它就不導電，這就是半導體的整流效應，也是半導體所特有的第三種特性。同年，舒斯特又發現了銅與氧化銅的整流效應。

1873年，英國的史密斯發現硒晶體材料在光照下電導增加的光電導效應，這是半導體又一個特有的性質。 半導體的這四個效應，(jianxia霍爾效應的余績——四個伴生效應的發現)雖在1880年以前就先後被發現了，但半導體這個名詞大概到1911年才被考尼白格和維斯首次使用。而總結出半導體的這四個特性一直到1947年12月才由貝爾實驗室完成

超導。。1911年,荷蘭萊頓大學的卡末林—昂內斯意外地發現,將汞冷卻到-268.98°C時,汞的電阻突然消失;後來他又發現許多金屬和合金都具有與上述汞相類似的低溫下失去電阻的特性

半導體早多了。。

日本那會還天皇呢，搞什麼科技啊

⑥ 中國第一個半導體二極體是哪一年發明的

世界上第一個半導體二極體是在1947年發明的。
中國第一個半導體二極體是在1957年研製出來的 。

⑦ 晶體管是什麼時候發明的，誰發明的

1947年12月，美國貝爾實驗室的肖克利、巴丁和布拉頓組成的研究小組，研製出一種點接觸型的鍺晶體管。晶體管的問世，是20世紀的一項重大發明，是微電子革命的先聲。晶體管出現後，人們就能用一個小巧的、消耗功率低的電子器件，來代替體積大、功率消耗大的電子管了。晶體管的發明又為後來集成電路的降生吹響了號角。 電力晶體管
20世紀最初的10年，通信系統已開始應用半導體材料。20世紀上半葉，在無線電愛好者中廣泛流行的礦石收音機，就採用礦石這種半導體材料進行檢波。半導體的電學特性也在電話系統中得到了應用。 晶體管的發明，最早可以追溯到1929年，當時工程師利蓮費爾德就已經取得一種晶體管的專利。但是，限於當時的技術水平，製造這種器件的材料達不到足夠的純度，而使這種晶體管無法製造出來。 由於電子管處理高頻信號的效果不理想，人們就設法改進礦石收音機中所用的礦石觸須式檢波器。在這種檢波器里，有一根與礦石（半導體）表面相接觸的金屬絲（像頭發一樣細且能形成檢波接點），它既能讓信號電流沿一個方向流動，又能阻止信號電流朝相反方向流動。在第二次世界大戰爆發前夕，貝爾實驗室在尋找比早期使用的方鉛礦晶體性能更好的檢波材料時，發現摻有某種極微量雜質的鍺晶體的性能不僅優於礦石晶體，而且在某些方面比電子管整流器還要好。 在第二次世界大戰期間，不少實驗室在有關硅和鍺材料的製造和理論研究方面，也取得了不少成績，這就為晶體管的發明奠定了基礎。 為了克服電子管的局限性，第二次世界大戰結束後，貝爾實驗室加緊了對固體電子器件的基礎研究。肖克萊等人決定集中研究硅、鍺等半導體材料，探討用半導體材料製作放大器件的可能性。 1945年秋天，貝爾實驗室成立了以肖克萊為首的半導體研究小組，成員有布拉頓、巴丁等人。布拉頓早在1929年就開始在這個實驗室工作，長期從事半導體的研究，積累了豐富的經驗。他們經過一系列的實驗和觀察，逐步認識到半導體中電流放大效應產生的原因。布拉頓發現，在鍺片的底面接上電極，在另一面插上細針並通上電流，然後讓另一根細針盡量靠近它，並通上微弱的電流，這樣就會使原來的電流產生很大的變化。微弱電流少量的變化，會對另外的電流產生很大的影響，這就是「放大」作用。 布拉頓等人，還想出有效的辦法，來實現這種放大效應。他們在發射極和基極之間輸入一個弱信號，在集電極和基極之間的輸出端，就放大為一個強信號了。在現代電子產品中，上述晶體三極體的放大效應得到廣泛的應用。 巴丁和布拉頓最初製成的固體器件的放大倍數為50左右。不久之後，他們利用兩個靠得很近(相距0.05毫米)的觸須接點，來代替金箔接點，製造了「點接觸型晶體管」。1947年12月，這個世界上最早的實用半導體器件終於問世了，在首次試驗時，它能把音頻信號放大100倍，它的外形比火柴棍短，但要粗一些。 在為這種器件命名時，布拉頓想到它的電阻變換特性，即它是靠一種從「低電阻輸入」到「高電阻輸出」的轉移電流來工作的，於是取名為trans-resister(轉換電阻)，後來縮寫為transister，中文譯名就是晶體管。 由於點接觸型晶體管製造工藝復雜，致使許多產品出現故障，它還存在雜訊大、在功率大時難於控制、適用范圍窄等缺點。為了克服這些缺點，肖克萊提出了用一種「整流結」來代替金屬半導體接點的大膽設想。半導體研究小組又提出了這種半導體器件的工作原理。 1950年，第一隻「PN結型晶體管」問世了，它的性能與肖克萊原來設想的完全一致。今天的晶體管，大部分仍是這種PN結型晶體管。(所謂PN結就是P型和N型的結合處。P型多空穴。N型多電子。) 1956年，肖克利、巴丁、布拉頓三人，因發明晶體管同時榮獲諾貝爾物理學獎。

⑧ 半導體是_____發明的

1947年，美國電報電話公司（AT＆T）貝爾實驗室的三位科學家巴丁、布萊頓和肖克利在研究半導體材料--鍺和硅的物理性質時，意外地發現了鍺晶體具有放大作，經過反復研究，他們用半導體材料製成了放大倍數達100量級的放大器，這便是世界上第一個固體放大器--晶體三極體。
晶體管的出現，迅速替代電子管佔領了世界電子領域。隨後，晶體管電路不斷向微型化方向發展。1957年，美國科學家達默提出"將電子設備製作在一個沒有引線的固體半導體板塊中"的大膽技術思想，這就是半導體集成電路的思想。1958年，美國德克薩斯州儀器公司的工程師基爾比在一塊半導體硅晶片上電阻、電容等分立元件放入其中，製成第一批集成電路。1959年，美國仙童公司的諾伊斯用一種平面工藝製成半導體集成電路，"點石成金"，集成電路很快成了比黃金還誘人的產品 1971年 11月，英特爾（Intel）公司的霍夫將計算機的線路加以改進，把中央處理器的全部功能集成在一塊晶元上，另外再加上存儲器，製成世界上第一個微處理器。
隨著矽片上元件集成度的增加，集成電路的發展經歷了小規模集成電路、中規模集成電路、大規模集成電路和超大規模集成電路（VLSI）階段。1978年，研製成的超大規模集成電路，集成度達10萬以上，電子技術進入微電子時代。80年代末，晶元上集成的元件數突破1000萬的大關。

⑨ 電子管和半導體哪個先發明

電子管和半導體相比，半導體先發明
1904年，世界上第一隻電子二級管在英國物理學家弗萊明的手下誕生了，這使愛迪生效應具有了實用價值。弗萊明也為此獲得了這項發明的專利權。
1907年，美國發明家德福雷斯特（De Forest Lee），在二極體的燈絲和板極之間巧妙地加了一個柵板，從而發明了第一隻真空三極體．
1947年，美國物理學家肖克利、巴丁和布拉頓三人合作發明了晶體管——一種三個支點的半導體固體元件．
1833年，英國巴拉迪最先發現硫化銀的電阻隨著溫度的變化情況不同於一般金屬，一般情況下，金屬的電阻隨溫度升高而增加，但巴拉迪發現硫化銀材料的電阻是隨著溫度的上升而降低。這是半導體現象的首次發現。
不久， 1839年法國的貝克萊爾發現半導體和電解質接觸形成的結，在光照下會產生一個電壓，這就是後來人們熟知的光生伏特效應，這是被發現的半導體的第二個特徵。
1873年，英國的史密斯發現硒晶體材料在光照下電導增加的光電導效應，這是半導體又一個特有的性質。半導體的這四個效應，(jianxia霍爾效應的余績──四個伴生效應的發現)雖在1880年以前就先後被發現了，但半導體這個名詞大概到1911年才被考尼白格和維斯首次使用。而總結出半導體的這四個特性一直到1947年12月才由貝爾實驗室完成。