什麼是激光半導體
Ⅰ 半導體激光器和半導體泵浦激光器有什麼區別 激光中的泵浦又是什麼意思 求解
半導體激光器是復用半導制體材料做工作物質（即發光物質）的激光器。所謂泵浦，是所有激光器工作的必要條件，不論神馬激光器都需要有一個泵浦，泵浦的作用是讓激光器中的工作物質形成粒子布局數反轉（這是形成激光的條件）。半導體泵浦激光器是把半導體激光器本身作為泵浦來用的激光器。半導體泵浦固體激光器當然就是把半導體激光器當作其他固體激光器的泵浦來用的了。這是我能做的最簡單的解釋了·····
Ⅱ 半導體激光器和固體激光器的區別 請詳細解釋一下 謝謝~
半導體激光器和固體激光器的區別在於工作物質、價格、激勵源不同。
1、工作物質
半導體激光器常用工作物質有砷化鎵（GaAs）、硫化鎘（CdS）、磷化銦(InP)、硫化鋅(ZnS)等。
固體激光器常用的工作物質，由光學透明的晶體或玻璃作為基質材料，摻以激活離子或其他激活物質構成。
2、價格
半導體激光器價格低。
固體激光器由於工作介質的制備較復雜，所以價格較貴。
3、激勵源
半導體激光器的激勵方式主要有三種，即電注入式，光泵式和高能電子束激勵式。電注入式半導體激光器，一般是由砷化鎵（GaAs）、硫化鎘（CdS）、磷化銦(InP)、硫化鋅(ZnS)等材料製成的半導體面結型二極體，沿正向偏壓注入電流進行激勵，在結平面區域產生受激發射。
光泵式半導體激光器，一般用N型或P型半導體單晶（如GaAS,InAs,InSb等）做工作物質，以其他激光器發出的激光作光泵激勵。高能電子束激勵式半導體激光器，一般也是用N型或者P型半導體單晶(如PbS,CdS,ZhO等)做工作物質，通過由外部注入高能電子束進行激勵。
固體激光器以光為激勵源。常用的脈沖激勵源有充氙閃光燈；連續激勵源有氪弧燈、碘鎢燈、鉀銣燈等。在小型長壽命激光器中，可用半導體發光二極體或太陽光作激勵源。一些新的固體激光器也有採用激光激勵的。
Ⅲ 半導體激光晶元，什麼是半導體激光晶元
半導體激光晶元有很多意義，首先半導體材料很多很復雜而以激光來製造的晶元，可以叫半導體激光晶元。
另外半導體晶元帶有激光線路，或以半導體裝配的激光設備製造晶元，全都是這名稱。
Ⅳ 光纖激光器和半導體激光器有什麼區別
光纖激光器，是激游標刻系統的核心，它採用多個小功率風冷激光二極體作為泵浦源，通過多分支耦合進單根激光光纖，以摻稀土元素（Nd，Yb或者Er）光纖作為激光介質，以反射鏡，光纖光柵作為諧振腔（諧振腔本身就是一段光纖），可脈沖和連續運轉。
新型光纖激光器具有單模輸出，散熱特性好，效率高，結構緊湊等特點，特別適合高精度的激游標刻工業。
典型的10-100KHz高重復率工作，10W-20W平均功率輸出的光纖激光器成品的體積僅有22*25*10cm，而且沒有水冷系統，體積大為縮小。
半導體激光器就是固體激光器。
固體激光器就是用固體激光材料作為工作物質的激光器。1960年，T.H.梅曼發明的紅寶石激光器就是固體激光器，也是世界上第一台激光器。固體激光器一般由激光工作物質、激勵源、聚光腔、諧振腔反射鏡和電源等部分構成。
這類激光器所採用的固體工作物質，是把具有能產生受激發射作用的金屬離子摻入晶體而製成的。在固體中能產生受激發射作用的金屬離子主要有三類：(1)過渡金屬離子（如Cr3+）；(2)大多數鑭系金屬離子（如Nd3+、Sm2+、Dy2+等）；(3)錒系金屬離子（如U3+）。
晶體激光器以紅寶石（Al2O3：Cr3+）和摻(can)釹(nv)釔(yi)鋁石榴石（簡寫為YAG：Nd3+）為典型代表。玻璃激光器則是以釹玻璃激光器為典型代表。
另外還有一種激光器叫CO2激光器。
Ⅳ 半導體發光二極體LED和半導體激光器LD的結構、工作原理是什麼它們的特性差別是什麼
它們的結構簡單說就是三明治的夾心結構，中間的夾心是有源區。
二者的結專構上是相似的，但是LED沒有諧振屬腔，LD有諧振腔。
LD工作原理是基於受激輻射、LED是基於自發輻射。
LD發射功率較高、光譜較窄、直接調制帶寬較寬，而LED發射功率較小、光譜較寬、直接調制
帶寬較窄。
激光器的工作存在與普通光源不同之處在於，它同時需要 激光工作物質（這在半導體激光二極體LD中，激光工作物質即為半導體材料）， 泵浦（即外加的能量源），諧振腔。
LD和LED 的工作時，其體系結構中都存在半導體工作物質和泵浦源，唯一不同的是，LD在其外層通過自然解理形成一重諧振腔，該諧振腔有一定的發光門限條件（即閾值條件） 當達到這個條件是，激光器才開始粒子數反轉受激發光。 當LD的驅動還沒達到閾值條件時，它的發光機理其實和LED是沒有明顯區別的。
Ⅵ 什麼是半導體激光器
激光工作物質採用半導體的激光器叫半導體激光器。盡管半導體本身也是一種固體，而且發光機理就本質上講與固體激光器沒有多大差別。
Ⅶ 常用激光打標機半導體 光纖有什麼區別
光纖激光打標機是採用光纖激光器生產激光的打標機，光束質量好，電光轉換效率高專。高的電光轉換率屬，綜合電光效率高達20%以上，大幅度的節約工作時的耗電，節約運行成本，電功率平均消耗600W/h 。
而半導體激光打標機，半導體打標機是使用波長為0.808um半導體激光二極體側 面泵浦Nd：YAG介質，使介質產生大量的反轉粒子在Q開關的作用下形成波長1.064um的巨脈沖激光輸出，電光轉換效率高。其中YAG和半導體打標機多用於金屬、IC等，半導體與YAG相比有較好的穩定性、省電、不用換燈、等優點，價格相對較高。半導體的轉換效率高，模式好，更易聚焦出高能量的更小面積的光點，標記同樣的物體時所需的外部能量更小，電功率平均消耗2KW/h。
光纖激光打標機比半導體激光有以下幾個優勢：
1.耗電量低
2.激光器使用壽命長
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Ⅷ 什麼是半導體激光器
固態物質中，允許大量電子自由自在地在它裡面流動的叫導體；只允許極少數電子通過的叫絕緣體；導電性低於導體又高於絕緣體的叫半導體。激光工作物質採用半導體的激光器叫半導體激光器。盡管半導體本身也是一種固體，而且發光機理就本質上講與固體激光器沒有多大差別。但由於半導體物質結構不同，產生激光的受激輻射躍遷的高能級和低能級分別是「導帶」和「價帶」，輻射是電子與「空穴」復合的結果，具有其特殊性，所以沒有將它列入固體激光器。
半導體激光工作物質有幾十種，較為成熟的是砷化鎵（GaAs）、摻鋁砷化鎵等。激勵方式有光泵浦、電子轟擊、電注入式等。
半導體激光器體積小、重量輕、壽命長、結構簡單，因此，特別適於在飛機、軍艦、車輛和宇宙飛船上使用。有些半導體激光器可以通過外加的電場、磁場、溫度、壓力等改變激光的波長，即所謂的調諧，可以很方便地對輸出光束進行調制；半導體激光器的波長范圍為0.32～34微米，較寬廣。它能將電能直接轉換為激光能，效率已達10％以上。所有這些都使它受到重視，所以發展迅速，目前已廣泛應用於激光通信、測距、雷達、模擬、警戒、引燃引爆和自動控制等方面。
半導體激光器最大的缺點是：激光性能受溫度影響大，比如砷化鎵激光，當溫度從絕對溫度77°K變到室溫時，激光波長從0.84變到0.91微米。另外，效率雖高，但因體積小，總功率並不高，室溫下連續輸出不過幾十毫瓦，脈沖輸出只有幾瓦到幾十瓦。光束的發散角，一般在幾度到20度之間，所以在方向性、單色性和相乾性等方面較差。
Ⅸ 什麼是半導體激光器和普通激光器
親，半導體激光器又稱激光二極體，是用半導體材料作為工作物質的激光器。由於物回質結構上的答差異，不同種類產生激光的具體過程比較特殊。常用工作物質有砷化鎵（GaAs）、硫化鎘（CdS）、磷化銦(InP)、硫化鋅(ZnS)等。激勵方式有電注入、電子束激勵和光泵浦三種形式。 半導體激光器件，可分為同質結、單異質結、雙異質結等幾種。同質結激光器和單異質結激光器在室溫時多為脈沖器件，而雙異質結激光器室溫時可實現連續工作。
普通激光器是能發射激光的裝置