半導體帕爾帖系數一般是多少

A. 半導體的霍爾系數的數量級是多少啊

那要根據你產品的類型來分，一般大學試驗中的半導體霍爾系數大約為10的三次方數量級
。工廠里的葯跟蹤霍爾器件的應用來考慮

B. 半導體製冷片使用的陶瓷片導熱系數是多少

這半導體製冷片 一小時功耗大概是多少？如果我要 安裝在電腦中，請問 我想我以我的觀點回答你的最後一個問題我認為半導體製冷的耐用性和傳統的風冷是

C. 半導體的塞貝克系數和載流子濃度有什麼關系

"塞貝克系數"
為半導體材料的溫差電動熱（稱為塞貝克系數）.I為電流強度.To為冷內端溫度.ATHc為冷、熱端間的容溫差.R為半導體致冷器內電阻 .所以,他們之間並沒有多大關系.但他們倆是半導體最重要的兩個電學參數!
追問：
「I為電流強度.To為冷端溫度.ATHc為冷、熱端間的溫差.R為半導體致冷器內電阻」這句話和塞貝克系數有什麼關系？
追答：
哦，應該這里有個公式，復制時沒復制上。你可以上網路上看看。不好意思，手機黨！

D. 半導體的導熱系數一般是多少，

1-1.5

E. 什麼是半導體材料靈敏系數

對某個物理量變化引起的參數的變化量。比如，溫度，溫度升高一度引起的結電壓或結電阻的變化量，就是靈敏度或靈敏系數

F. 半導體的電阻溫度系數是正的還是負的為什麼

是負的。
半導體抄的電襲阻率主要取決於載流子的濃度和遷移率，兩者均與溫度有關系。
對於純半導體材料，電阻率主要取決於本證載流子濃度ni，ni隨溫度升高會急劇增加，室溫左右時，每8℃，硅的ni會增加大約一倍，而遷移率只是稍有下降，所以可以認為起電阻率相應的降低了一半左右。對於鍺，每增加12℃，ni增加一倍，電阻率下降一半。本徵半導體的電阻率隨溫度增加單調下降。
對於雜質半導體：溫度很低時，本徵激發忽略，主要由雜質電離提供載流子，它隨溫度升高而增加；散射主要由電離雜質決定，遷移率隨溫度升高增大，所以電阻率下降。
溫度繼續升高，雜質全部電離，本徵激發還不顯著時，載流子基本不變，晶格振動是主要影響因素，遷移率隨溫度升高而降低，所以電阻率隨溫度升高而增大。
繼續升高到本徵激發很快增加時，本徵激發稱為主要影響因素，表現出同本證半導體相同的特徵。
而電阻率下降，電阻減小。

G. 實驗室中霍爾系數一般為多少

一般為4.62KGS/A，表示的為B/Is的大小。

霍爾元件應用的基本原理為霍爾效應。霍爾效應為一種磁敏效應，一般在半導體薄片的長度X方向上施加磁感應強度為B的磁場，則在寬度Y方向上會產生電動勢UH，這種現象即稱為霍爾效應。UH稱為霍爾電勢，其大小可表示為UH=RH/d*IC*B。

霍爾電壓與控制電流及磁感應強度的乘積成正比，K稱為乘積靈敏度。K值越大，靈敏度就越高；元件厚度越小，輸出電壓也越大。

霍爾額定激勵電流：當霍爾元件自身溫升10℃時所流過的激勵電流稱為額定激勵電流。

霍爾最大允許激勵電流：以霍爾元件允許最大溫升為限制所對應的激勵電流稱為最大允許激勵電流。

霍爾輸入電阻：霍爾激勵電極間的電阻值稱為輸入電阻。

(7)半導體帕爾帖系數一般是多少擴展閱讀：

霍爾效應（Hall effect）為指當固體導體放置在一個磁場內，且有電流通過時，導體內的電荷載子受到洛倫茲力而偏向一邊，繼而產生電壓（霍爾電壓）的現象。電壓所引致的電場力會平衡洛倫茲力。通過霍爾電壓的極性，可證實導體內部的電流是由帶有負電荷的粒子（自由電子）之運動所造成。

霍爾元件的電阻溫度系數：在不施加磁場的條件下，環境溫度每變化1℃時，電阻的相對變化率，用α表示，單位為%/℃。

H. 半導體應變片以壓阻效應為主，它的靈敏度系數為金屬應變片的多少倍

半導體應變片是將單晶硅錠切片、研磨、腐蝕壓焊引線，最後粘貼在鋅酚醛樹脂或聚醯亞胺的襯底上製成的。是一種利用半導體單晶硅的壓阻效應製成的一種敏感元件。
利用半導體單晶硅的壓阻效應製成的一種敏感元件，又稱半導體應變片。壓阻效應是半導體晶體材料在某一方向受力產生變形時材料的電阻率發生變化的現象（見壓阻式感測器）。半導體應變片需要粘貼在試件上測量試件應變或粘貼在彈性敏感元件上間接地感受被測外力。利用不同構形的彈性敏感元件可測量各種物體的應力、應變、壓力、扭矩、加速度等機械量。半導體應變片與電阻應變片(見電阻應變片相比，具有靈敏系數高（約高 50～100倍）、機械滯後小、體積小、耗電少等優點。P型和N型硅的靈敏系數符號相反，適於接成電橋的相鄰兩臂測量同一應力。早期的半導體應變片採用機械加工、化學腐蝕等方法製成，稱為體型半導體應變片。它的缺點是電阻和靈敏系數的溫度系數大、非線性大和分散性大等。這曾限制了它的應用和發展。自70年代以來，隨著半導體集成電路工藝的迅速發展，相繼出現擴散型、外延型和薄膜型半導體應變片，上述缺點得到一定克服。半導體應變片主要應用於飛機、導彈、車輛、船舶、機床、橋梁等各種設備的機械量測量。

I. 實驗室用的霍爾效應儀器的霍爾系數是多少

一般為4.62KGS/A，表示的為B/Is的大小。

霍爾效應（Hall effect）是指當固體導體放置在一個磁場內，且有電流通過時，導體內的電荷載子受到洛倫茲力而偏向一邊，繼而產生電壓（霍爾電壓）的現象。

電壓所引致的電場力會平衡洛倫茲力。通過霍爾電壓的極性，可證實導體內部的電流是由帶有負電荷的粒子（自由電子）之運動所造成。霍爾效應中霍爾元件的靈敏度與霍爾元件的厚度和載流子的濃度兩個因素有關

(9)半導體帕爾帖系數一般是多少擴展閱讀

由於通電導線周圍存在磁場，其大小和導線中的電流成正比，故可以利用霍爾元件測量出磁場，就可確定導線電流的大小。利用這一原理可以設計製成霍爾電流感測器。其優點是不和被測電路發生電接觸，不影響被測電路，不消耗被測電源的功率，特別適合於大電流感測。

若把霍爾元件置於電場強度為E、磁場強度為H的電磁場中，則在該元件中將產生電流I，元件上同時產生的霍爾電位差和電場強度E成正比，如果再測出該電磁場的磁場強度，則電磁場的功率密度瞬時值P可由P=EH確定。