半導體大矽片是什麼

1. 大規模，超大，特大規模的集成電路cpu是按元器件劃分的，那麼這幾個半導體矽片的體積是一樣的嗎

個人理解，體抄積可能不一樣，但襲與所謂器件規模並不成比例，換言之超大規模集成電路矽片體積並不比大規模大很多，究其原因還是不同規模的集成電路採用的製程工藝不一樣，單位面積容納的器件密度也即集成度有很大不同，比如一般大規模集成電路用140nm工藝就夠了，而復雜的超大規模集成電路可能就需要10nm以下工藝才能滿足性能與功耗等指標要求。

2. 1、太陽能硅晶片和半導體晶圓有什麼關系2、

半導體wafer為什麼一直要面積做的大是因為他要切成小方片chips
越大 chip越小 浪費的越少 成本就越小 。 他的直回接答用途當然就是在si上作不同的參雜 光刻 金屬化 沉澱直至封裝，是為電子製造作原材料的准備

太陽能矽片只是充分利用半導體光轉化電/熱的特性 可以說是簡單的物理特性的應用，甚至，現在你上網的光纖 到你的電腦里能上網，是有個光接受器在你那一端 ，只是因為光纖的光波長可比自然光短很多 所以能量更大 所以就不用硅晶片作光接受器都有可能，而用別的閃鋅礦材料半導體 例如在apd pin-diode上的應用

3. 目前我國半導體（矽片）最大生產到幾英寸這些公司都在那裡

20cm左右。

4. 有關半導體,單晶硅的

中文別名：硅單晶
英文名： Monocrystalline silicon
分子式： Si
分子量：28.086
CAS 號：7440-21-3
硅是地球上儲藏最豐富的材料之一，從19世紀科學家們發現了晶體硅的半導體特性後，它幾乎改變了一切，甚至人類的思維。直到上世紀60年代開始，硅材料就取代了原有鍺材料。硅材料――因其具有耐高溫和抗輻射性能較好，特別適宜製作大功率器件的特性而成為應用最多的一種半導體材料，目前的集成電路半導體器件大多數是用硅材料製造的。
硅的單晶體。具有基本完整的點陣結構的晶體。不同的方向具有不同的性質，是一種良好的半導材料。純度要求達到99.9999％，甚至達到99.9999999％以上。用於製造半導體器件、太陽能電池等。用高純度的多晶硅在單晶爐內拉制而成。
單晶硅熔融的單質硅在凝固時硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長成晶面取向相同的晶粒，則這些晶粒平行結合起來便結晶成單晶硅。單晶硅具有準金屬的物理性質，有較弱的導電性，其電導率隨溫度的升高而增加，有顯著的半導電性。超純的單晶硅是本徵半導體。在超純單晶硅中摻入微量的ⅢA族元素，如硼可提高其導電的程度，而形成p型硅半導體；如摻入微量的ⅤA族元素，如磷或砷也可提高導電程度，形成n型硅半導體。單晶硅的製法通常是先製得多晶硅或無定形硅，然後用直拉法或懸浮區熔法從熔體中生長出棒狀單晶硅。
單晶硅主要用於製作半導體元件。
用途： 是製造半導體硅器件的原料，用於制大功率整流器、大功率晶體管、二極體、開關器件等
現在，我們的生活中處處可見「硅」的身影和作用，晶體硅太陽能電池是近15年來形成產業化最快的。
熔融的單質硅在凝固時硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長成晶面取向相同的晶粒，則這些晶粒平行結合起來便結晶成單晶硅。
單晶硅的製法通常是先製得多晶硅或無定形硅，然後用直拉法或懸浮區熔法從熔體中生長出棒狀單晶硅。
單晶硅棒是生產單晶矽片的原材料，隨著國內和國際市場對單晶矽片需求量的快速增加，單晶硅棒的市場需求也呈快速增長的趨勢。
單晶硅圓片按其直徑分為6英寸、8英寸、12英寸（300毫米）及18英寸（450毫米）等。直徑越大的圓片，所能刻制的集成電路越多，晶元的成本也就越低。但大尺寸晶片對材料和技術的要求也越高。單晶硅按晶體伸長方法的不同，分為直拉法（CZ）、區熔法（FZ）和外延法。直拉法、區熔法伸長單晶硅棒材，外延法伸長單晶硅薄膜。直拉法伸長的單晶硅主要用於半導體集成電路、二極體、外延片襯底、太陽能電池。目前晶體直徑可控制在Φ3~8英寸。區熔法單晶主要用於高壓大功率可控整流器件領域，廣泛用於大功率輸變電、電力機車、整流、變頻、機電一體化、節能燈、電視機等系列產品。目前晶體直徑可控制在Φ3~6英寸。外延片主要用於集成電路領域。
由於成本和性能的原因，直拉法（CZ）單晶硅材料應用最廣。在IC工業中所用的材料主要是CZ拋光片和外延片。存儲器電路通常使用CZ拋光片，因成本較低。邏輯電路一般使用價格較高的外延片，因其在IC製造中有更好的適用性並具有消除Latch－up的能力。
矽片直徑越大，技術要求越高，越有市場前景，價值也就越高。
日本、美國和德國是主要的硅材料生產國。中國硅材料工業與日本同時起步，但總體而言，生產技術水平仍然相對較低，而且大部分為2.5、3、4、5英寸硅錠和小直徑矽片。中國消耗的大部分集成電路及其矽片仍然依賴進口。但我國科技人員正迎頭趕上，於1998年成功地製造出了12英寸單晶硅，標志著我國單晶硅生產進入了新的發展時期。目前，全世界單晶硅的產能為1萬噸/年，年消耗量約為6000噸～7000噸。未來幾年中，世界單晶硅材料發展將呈現以下發展趨勢：
1，單晶硅產品向300mm過渡，大直徑化趨勢明顯：
隨著半導體材料技術的發展，對矽片的規格和質量也提出更高的要求，適合微細加工的大直徑矽片在市場中的需求比例將日益加大。目前，矽片主流產品是200mm，逐漸向300mm過渡，研製水平達到400mm～450mm。據統計，200mm矽片的全球用量佔60%左右，150mm佔20%左右，其餘佔20%左右。Gartner發布的對矽片需求的5年預測表明，全球300mm矽片將從2000年的1.3%增加到2006年的21.1%。日、美、韓等國家都已經在1999年開始逐步擴大300mm矽片產量。據不完全統計，全球目前已建、在建和計劃建的300mm硅器件生產線約有40餘條，主要分布在美國和我國台灣等，僅我國台灣就有20多條生產線，其次是日、韓、新及歐洲。%P
世界半導體設備及材料協會（SEMI）的調查顯示，2004年和2005年，在所有的矽片生產設備中，投資在300mm生產線上的比例將分別為55%和62%，投資額也分別達到130.3億美元和184.1億美元，發展十分迅猛。而在1996年時，這一比重還僅僅是零。
2、硅材料工業發展日趨國際化，集團化，生產高度集中：
研發及建廠成本的日漸增高，加上現有行銷與品牌的優勢，使得硅材料產業形成「大者恆大」的局面，少數集約化的大型集團公司壟斷材料市場。上世紀90年代末，日本、德國和韓國（主要是日、德兩國）資本控制的8大矽片公司的銷量佔世界矽片銷量的90%以上。根據SEMI提供的2002年世界硅材料生產商的市場份額顯示，Shinetsu、SUMCO、Wacker、MEMC、Komatsu等5家公司占市場總額的比重達到89%，壟斷地位已經形成。
3、硅基材料成為硅材料工業發展的重要方向：
隨著光電子和通信產業的發展，硅基材料成為硅材料工業發展的重要方向。硅基材料是在常規硅材料上製作的，是常規硅材料的發展和延續，其器件工藝與硅工藝相容。主要的硅基材料包括SOI（絕緣體上硅）、GeSi和應力硅。目前SOI技術已開始在世界上被廣泛使用，SOI材料約占整個半導體材料市場的30%左右，預計到2010年將佔到50%左右的市場。Soitec公司（世界最大的SOI生產商）的2000年～2010年SOI市場預測以及2005年各尺寸SOI矽片比重預測了產業的發展前景。
4、矽片製造技術進一步升級：半導體,晶元,集成電路,設計,版圖,晶元,製造,工藝目前世界普遍採用先進的切、磨、拋和潔凈封裝工藝，使製片技術取得明顯進展。在日本，Φ200mm矽片已有50%採用線切割機進行切片，不但能提高矽片質量，而且可使切割損失減少10%。日本大型半導體廠家已經向300mm矽片轉型，並向0.13μm以下的微細化發展。另外，最新尖端技術的導入，SOI等高功能晶片的試制開發也進入批量生產階段。對此，矽片生產廠家也增加了對300mm矽片的設備投資，針對設計規則的進一步微細化，還開發了高平坦度矽片和無缺陷矽片等，並對設備進行了改進。
硅是地殼中賦存最高的固態元素，其含量為地殼的四分之一，但在自然界不存在單體硅，多呈氧化物或硅酸鹽狀態。硅的原子價主要為4價，其次為2價；在常溫下它的化學性質穩定，不溶於單一的強酸，易溶於鹼；在高溫下化學性質活潑，能與許多元素化合。
硅材料資源豐富，又是無毒的單質半導體材料，較易製作大直徑無位錯低微缺陷單晶。晶體力學性能優越，易於實現產業化，仍將成為半導體的主體材料。
多晶硅材料是以工業硅為原料經一系列的物理化學反應提純後達到一定純度的電子材料，是硅產品產業鏈中的一個極為重要的中間產品，是製造硅拋光片、太陽能電池及高純硅製品的主要原料，是信息產業和新能源產業最基礎的原材料。
[編輯本段]單晶硅市場發展概況
2007年，中國市場上有各類硅單晶生長設備1500餘台，分布在70餘家生產企業。2007年5月24日，國家「863」計劃超大規模集成電路（IC）配套材料重大專項總體組在北京組織專家對西安理工大學和北京有色金屬研究總院承擔的「TDR-150型單晶爐（12英寸MCZ綜合系統）」完成了驗收。這標志著擁有自主知識產權的大尺寸集成電路與太陽能用硅單晶生長設備，在我國首次研製成功。這項產品使中國能夠開發具有自主知識產權的關鍵製造技術與單晶爐生產設備，填補了國內空白，初步改變了在晶體生長設備領域研發製造受制於人的局面。
硅材料市場前景廣闊，中國硅單晶的產量、銷售收入近幾年遞增較快，以中小尺寸為主的矽片生產已成為國際公認的事實，為世界和中國集成電路、半導體分立器件和光伏太陽能電池產業的發展做出了較大的貢獻。

5. 矽片 做什麼用的。跟半導體和PCB板是什麼關系

矽片就是是製作集成電路的重要材料，可以通過對矽片進行光刻、離子注入等手段，可以製成各種半導體器件。由於硅元素是地殼中儲量最豐富的元素之一，對太陽能電池這樣註定要進入大規模市場（mass market）的產品而言，儲量的優勢也是硅成為光伏主要材料的原因之一。

為了製造半導體元件和集成電路（IC）。必須先製造出純凈的矽片，然後用各種工藝（光刻蝕、摻雜等等）在矽片上做出導電的半導體電路。

在同樣大小的矽片上，就能做出來數量更多的電路，即能實現更高的集成度。同時，由於電路之間距離小了，導線的長度短了，所需的工作電壓更低，能降低功耗，提高運行速度。

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對於以矽片為基底的光伏電池來說，晶體硅(c-Si)原料和切割成本在電池總成本中占據了最大的部分。光伏電池生產商可以通過在切片過程中節約硅原料來降低成本。降低截口損失可以達到這個效果，截口損失主要和切割線直徑有關，是切割過程本身所產生的原料損失。提升機台產量。

讓矽片變得更薄同樣可以減少硅原料消耗。在過去的十多年中，矽片厚度將變成 100μm. 減少矽片厚度帶來的效益是驚人的，從330μm 到 130μm，光伏電池製造商最多可以降低總體硅原料消耗量多達60%。

6. 什麼是半導體

半導體（ semiconctor），指常溫下導電性能介於導體（conctor）與絕緣體（insulator）之間的材料。半導體在收音機、電視機以及測溫上有著廣泛的應用。

如二極體就是採用半導體製作的器件。半導體是指一種導電性可受控制，范圍可從絕緣體至導體之間的材料。無論從科技或是經濟發展的角度來看，半導體的重要性都是非常巨大的。

今日大部分的電子產品，如計算機、行動電話或是數字錄音機當中的核心單元都和半導體有著極為密切的關連。常見的半導體材料有硅、鍺、砷化鎵等，而硅更是各種半導體材料中，在商業應用上最具有影響力的一種。

分類：

半導體材料很多，按化學成分可分為元素半導體和化合物半導體兩大類。

鍺和硅是最常用的元素半導體；化合物半導體包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物（ 硫化鎘、硫化鋅等）、氧化物（錳、鉻、鐵、銅的氧化物）,以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物組成的固溶體（鎵鋁砷、鎵砷磷等）。

除上述晶態半導體外，還有非晶態的玻璃半導體、有機半導體等。

半導體的分類，按照其製造技術可以分為：集成電路器件，分立器件、光電半導體、邏輯IC、模擬IC、儲存器等大類，一般來說這些還會被分成小類。

此外還有以應用領域、設計方法等進行分類，雖然不常用，但還是按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其規模進行分類的方法。此外，還有按照其所處理的信號，可以分成模擬、數字、模擬數字混成及功能進行分類的方法。

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發展歷史：

半導體的發現實際上可以追溯到很久以前。

1833年，英國科學家電子學之父法拉第最先發現硫化銀的電阻隨著溫度的變化情況不同於一般金屬，一般情況下，金屬的電阻隨溫度升高而增加，但巴拉迪發現硫化銀材料的電阻是隨著溫度的上升而降低。這是半導體現象的首次發現。

不久，1839年法國的貝克萊爾發現半導體和電解質接觸形成的結，在光照下會產生一個電壓，這就是後來人們熟知的光生伏特效應，這是被發現的半導體的第二個特徵。

1873年，英國的史密斯發現硒晶體材料在光照下電導增加的光電導效應，這是半導體又一個特有的性質。

半導體的這四個效應，(jianxia霍爾效應的余績──四個伴生效應的發現)雖在1880年以前就先後被發現了，但半導體這個名詞大概到1911年才被考尼白格和維斯首次使用。而總結出半導體的這四個特性一直到1947年12月才由貝爾實驗室完成。

在1874年，德國的布勞恩觀察到某些硫化物的電導與所加電場的方向有關，即它的導電有方向性，在它兩端加一個正向電壓，它是導通的；如果把電壓極性反過來，它就不導電，這就是半導體的整流效應，也是半導體所特有的第三種特性。同年，舒斯特又發現了銅與氧化銅的整流效應。

很多人會疑問，為什麼半導體被認可需要這么多年呢？主要原因是當時的材料不純。沒有好的材料，很多與材料相關的問題就難以說清楚。

參考資料：

網路-半導體

7. 半導體矽片與IC級矽片有什麼區別

IC矽片是集成晶元，就是我們常說的集成塊，而半導體矽片是單一的

8. 矽片的用處是什麼

『產品列表』

多晶硅硅錠(圖) 矽片(圖)
電池片(圖) 鋁合金彩色邊框組件(圖)
環氧樹脂封裝組件 光電幕牆組件(全玻組件)
太陽能草坪燈(圖) 太陽能庭院燈(圖)
太陽能通信電源(圖) 太陽能移動電源(圖)
http://ccn.mofcom.gov.cn/EntInfoShow/HeBei/985505/4143762.htm

受太陽能需求急劇增長的影響，生產矽片的原材料多晶硅價格幾年之間上漲了3倍，而預計今後幾年多晶硅的供應缺口將維持在5000噸左右，多晶硅價格有望繼續上漲。這將有可能引發我國矽片生產行業新一輪洗牌，尋找國際技術合作夥伴將是途徑之一。

光伏業推動多晶硅價格暴漲
光伏產業正成為最熱門的新能源行業，在美國上市的無錫尚德的董事長施正榮由此成為中國最富有的人之一。但蓬勃發展的太陽能電池也帶動了多晶硅原材料價格上漲，並殃及到國內的半導體材料產業。

國內半導體材料領軍企業有研硅股（600206）總經理周旗鋼向記者透露，原來售價為每公斤不到30美元的原材料多晶硅，現在價格上漲到每公斤110美元左右，受此影響，有研硅股2005年生產成本增加了3000萬元。

周旗鋼認為，多晶硅價格上漲的罪魁禍首就是太陽能電池。由於全球原油價格上漲，歐美地區對新能源的需求上升，這些國家都採取了鼓勵太陽能發展的措施，這促使太陽能產業蓬勃發展，從而導致多晶硅需求猛增。

根據中金公司分析師吳豐樹的分析數據，2002年全球太陽能級多晶硅的需求量為6800噸，2003年為8700噸，2005年則上漲到1.56萬噸，四年之間漲了1.3倍。而根據國外機構預測，2005年世界多晶硅的產量為2.88萬噸，其中半導體級多晶硅為2.07萬噸，太陽能級為8100噸。從需求上看，半導體級多晶硅需求量為1.9萬噸，略有過剩；太陽能級的需求量為1萬噸，呈現供不應求之勢。

與此同時，太陽能級多晶硅的市場價格也一路高漲，從2003年的每公斤23美元，上升到2005年底的每公斤90美元，已經高於半導體級多晶硅的平均市場價格。由於半導體級多晶硅同樣可以用來製造太陽能電池，因而造成半導體級多晶硅的短缺和價格上漲。

多晶硅有價無貨
隨著太陽能的迅猛發展，多晶硅原料市場還面臨有價無貨的困境。由於技術壟斷原因，目前全球90％以上的多晶硅原料由7家企業提供，而2005年這7家企業共生產半導體級多晶硅2.12萬噸、太陽能級多晶硅6600噸，開工率為100％，再大幅提升多晶硅供應量的可能性不大。國內企業雖也有生產，但在純度方面大都達不到要求。

吳豐樹認為，2006年到2010年全球多晶硅產能將分別達到31500噸、36250噸、40100噸、44700噸和50150噸。 但是，這無法滿足需求的增長。據測算，到2010年半導體級多晶硅和太陽能級多晶硅的總需求將達到6.3萬噸。面對這樣的產能缺口，預計需要再過3年才能彌補，而2006年、2007年間，全球多晶硅將出現3000噸到5000噸左右的缺口。

這種供應短缺情況同樣也波及到我國國內市場，國內多晶硅市場供應短缺甚至更為嚴重。其原因是我國目前還沒有生產多晶硅的成熟技術，所用多晶硅幾乎全部要靠進口供應，而國際矽片製造商多與多晶硅原料提供商存在產業聯盟關系，更多的是滿足這些企業的需求。

2005年，我國集成電路產業需要的半導體級多晶硅約1000噸，到2010年，預計半導體級多晶硅的需求量將達到2000噸。而據中國工程院的專家調查，我國2004年的多晶硅產量只有60噸，2005年863項目支持的洛陽中硅高科技有限公司年產300噸多晶硅項目投產，全國多晶硅產能可以達到400噸左右，但由於投產後需要一段時間才能達產，2005年的多晶硅產量也只有180噸左右。

周旗鋼無奈地表示，自己公司能夠以每公斤80、90美元的價格拿到多晶硅就很不錯了，國內很多企業即使以每公斤100美元的價格也拿不到貨。

矽片廠面臨成本壓力
原材料價格上漲給矽片企業帶來成本上漲的壓力。以有研硅股為例，據銀河證券分析師王國平介紹，有研硅股2004年全年生產了120多萬片4、5英寸硅單晶拋光片，平均月產10萬片左右。而2005年上半年就生產了70多萬片，預計全年產銷將達到160萬至170萬片，平均月產達到15萬片左右。雖然產量增加了，但是業績並沒有提高，2004年每股收益為0.016元(前三季度為-0.046元)，2005年前三季度為-0.035元，仍舊處於虧損狀態。

有研硅股是目前國內半導體材料的領軍企業，其4、5英寸矽片在國內市場的佔有率為50％，6英寸矽片的市場佔有率為30％。周旗鋼認為，公司近幾年業績不佳的主要原因是多晶硅價格上漲，使得8英寸以下的矽片利潤空間被大幅壓縮。與有研硅股同病相憐的是另一家A股上市公司浙江海納（000925）。

技術難題制約國內企業

除了原材料漲價外，國內矽片生產企業更面臨著技術和規模的突破難題。
目前，晶元製造向更大尺寸和更精細製程技術演進。而國內多數矽片的生產多集中在小尺寸上，基本在8英寸以下，其中以4、5、6英寸為主。資料顯示，在4英寸和更小的矽片方面，國內供應商幾乎滿足了國內市場的全部需求。在5英寸矽片方面，我國本地供應商2004年的銷售額佔到了近90%。但在6英寸矽片方面，2004年海外供應商約占我國市場的60%。

我國主要矽片生產商有有研硅股、寧波立立電子（原名為「寧波海納半導體有限公司」）、浙大海納等7家企業。這些廠商目前專注於生產6英寸和直徑更小的矽片，只有有研硅股和寧波立立電子有生產8英寸矽片的能力。而只有有研硅股有能力生產12英寸的矽片。

周旗鋼認為，從目前來看，8英寸矽片是世界主流產品，但已趨飽和，正逐漸向12英寸矽片過渡。2006年，全世界12英寸矽片需求將達到1200萬片，並且12英寸矽片目前正處在強勁發展的初期，其產量預計到2020年才會到顛峰。

他認為，未來也只有生產12英寸矽片才會有相當的利潤，而只生產其它小尺寸矽片的廠家必然會被淘汰。據業內人士測算，生產12英寸矽片用單晶硅每公斤需要1309元，按每公斤12英寸用單晶硅生產5片12英寸矽片計算，則每片成本為261元，而12英寸矽片的銷售價格為1200元左右。
王國平對有研硅股分析後認為，2006年該公司4、5、6英寸產品形成的每股收益將為－0.030元，而12英寸拋光片產品的收入將達到11.06億元，每股收益達到0.076元。

周旗鋼甚至認為，如果國內企業不能夠從大尺寸方面進行技術突破，國內的矽片行業洗牌就勢在必行，其致命打擊就是原材料價格的繼續上漲。經過洗牌，最後剩下來的企業將屈指可數。據行業人士估計，在太陽能電池需求的拉動下，多晶硅材料2007年全年的期貨已經售罄，這些材料的現貨價格近期達到每公斤140美元。

分析人士認為，即使像有研硅股這樣的企業有能力在技術上進行突破，它還面臨買家的消費習慣和自己規模化生產的瓶頸。半導體行業專家莫大康認為，12英寸晶元生產對材料的性能要求非常高，買家往往會對原料供應商進行長期的可靠性跟蹤試驗，而一旦他們選定了供應商就不會輕易改變。

此外，有研硅股還面臨規模化生產的挑戰。目前根據該公司12英寸矽片生產線的生產計劃，2006年前兩個季度的月產量為3000片左右，預計年底達到月產5000片，但這無法滿足一條12英寸晶元生產線的原料需求。

尋求戰略聯盟是出路
周旗鋼認為，為應對原材料價格漲價，公司會採取提高原材料綜合利用、提高產品售價以及開發附加值高的產品等措施。

但他也承認，要解決原材料問題還需要採取多種渠道解決，如擴大供應商規模，簽訂長期供應協議，以保證供應。據他介紹，有研硅股目前獲得了日本一家公司的原材料，這家公司以每公斤70美元的價格給有研硅股提供30噸多晶硅，這個價格比市場價格低得多，但條件是所生產的太陽能電池用硅單晶全部返銷該公司。而有研硅股從美國公司手中以每公斤90美元的價格獲得60噸多晶硅同樣是依靠戰略合作協議。

目前國內其他幾家矽片生產企業同樣也在尋求國際合作夥伴，從而獲得技術支持。分析人士認為，未來幾年，不排除這些企業與國際多晶硅生產企業建立資本聯系。而引進國際戰略投資者也正是周旗鋼下一步的打算。

2005年世界7大多晶硅廠商產量

廠商多晶硅產量（噸）產能開工率

半導體級太陽能級

Hemlock520022007400100％

Tokuyama380014005200100％

Wacher320018005000100％

MEMC30007003700100％

ASiMi28002003000100％

Mitsubishi25003002800100％

Sumitomo7000700100％

合計21200660027800100％

一個化腐朽為神奇的故事——介紹《矽片的奧秘》

2002-10-29 9:56:46 閱讀200次

每一時代都造就一些占盡風流、驚詫世人的英雄人物。當今社會，是矽片稱
雄的時代。「石頭變財富」、「海水變能源」，將是未來社會的標志。
科學和藝術是人類文明的代表，我們的時代是科學技術和藝術融合的時代，
電腦技術為人們提供了科學和藝術溝通的有力手段，而小小的矽片則是其中的核心和靈魂。正因為如此，在我們這個時代，發展、更新最快的技術產品是電腦，社會投入技術力量最多的研究項目是開發矽片。從1947年第一個晶體管問世以來，矽片的發展已經躍越6代，這是歷史上任何其它技術革命無法相比的。小小的矽片帶來了人類生活方式的巨大變化，給我們的時代創造了一個又一個的奇跡，極大地推動了社會的發展。
《矽片的奧秘》一書及所配光碟通過追溯硅元素平平凡凡的過去，分析矽片
大顯身手的現在，預測矽片令人眩目的未來，並配以豐富的圖片及視頻，向讀者講述了矽片給人類社會及人類自身所帶來的革命性的變化—一個化腐朽為神奇的故事。

http://www.vsvt.com/book626309.html

9. 老師您好，為什麼半導體用的矽片厚度比太陽能矽片厚度厚好幾倍呢

對集成電路來說：一般來說4寸晶圓的厚度為0.520mm,6寸晶圓的厚度為
0.670mm左右。晶圓必須要減薄，否則對劃片刀的損耗很大，而且要劃兩刀。我們做DIP封裝，4寸晶圓要減薄到0.300mm；6寸晶圓要減薄到0.320mm左右，誤差0.020mm。