n型摻雜半導體是什麼

❶ 用n型半導體摻雜後形成的p型半導體 與 用本徵半導體摻雜形成的p型半導體 有區別嗎

用n型半導體摻雜後形成的p型半導體 與 用本徵半導體摻雜形成的p型半導體 有區別嗎版
不是所有權的摻雜都是有效的,因為硅與磷硼的摻雜會有些失敗的部分,磷硼沒有締結成四價鍵,而是三價,這時候還是不會導電,也不會有pn節。

❷ P型半導體的P是什麼意思N型半導體的N是什麼意思

P型半導體即空穴濃度遠大於自由電子濃度的雜質半導體；N型半導體即自由電子濃度遠大於空穴濃度的雜質半導體。

P型和N型半導體都屬於雜質半導體，摻雜過程涉及向本徵半導體添加摻雜物原子，從而在達到熱平衡的過程中改變電子和空穴這兩種載流子的分布。

根據雜質半導體中主要影響力的載流子，可以將半導體分為P型半導體和N型半導體。引入雜質後的半導體是很多電子器件的基礎。

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半導體的分類：

半導體材料很多，按化學成分可分為元素半導體和化合物半導體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導體。

化合物半導體包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物（ 硫化鎘、硫化鋅等）、氧化物（錳、鉻、鐵、銅的氧化物）,以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物組成的固溶體（鎵鋁砷、鎵砷磷等）。除上述晶態半導體外，還有非晶態的玻璃半導體、有機半導體等。

半導體的分類，按照其製造技術可以分為：集成電路器件，分立器件、光電半導體、邏輯IC、模擬IC、儲存器等大類，一般來說這些還會被分成小類。

此外還有以應用領域、設計方法等進行分類；雖然不常用，但還是按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其規模進行分類的方法。此外，還有按照其所處理的信號，可以分成模擬、數字、模擬數字混成及功能進行分類的方法。

❸ 「p型硅」和「n型硅」分別摻雜什麼元素

「p型硅」 硼元素

「n型硅」 磷元素

❹ 半導體的類型-N型、P型是怎樣定義和區別的

下面，我們將採用對比分析的方法來認識P型半導體和N型半導體。

P型半導體也稱為空穴型半導體。P型半導體即空穴濃度遠大於自由電子濃度的雜質半導體。在純凈的硅晶體中摻入三價元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位子，就形成P型半導體。在P型半導體中，空穴為多子，自由電子為少子，主要靠空穴導電。空穴主要由雜質原子提供，自由電子由熱激發形成。摻入的雜質越多，多子（空穴）的濃度就越高，導電性能就越強。

N型半導體也稱為電子型半導體。N型半導體即自由電子濃度遠大於空穴濃度的雜質半導體。在純凈的硅晶體中摻入五價元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半導體。在N型半導體中，自由電子為多子，空穴為少子，主要靠自由電子導電。自由電子主要由雜質原子提供，空穴由熱激發形成。摻入的雜質越多，多子（自由電子）的濃度就越高，導電性能就越強。

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半導體（ semiconctor），指常溫下導電性能介於導體（conctor）與絕緣體（insulator）之間的材料。半導體在收音機、電視機以及測溫上有著廣泛的應用。如二極體就是採用半導體製作的器件。半導體是指一種導電性可受控制，范圍可從絕緣體至導體之間的材料。無論從科技或是經濟發展的角度來看，半導體的重要性都是非常巨大的。今日大部分的電子產品，如計算機、行動電話或是數字錄音機當中的核心單元都和半導體有著極為密切的關連。常見的半導體材料有硅、鍺、砷化鎵等，而硅更是各種半導體材料中，在商業應用上最具有影響力的一種。

以GaN（氮化鎵）為代表的第三代半導體材料及器件的開發是新興半導體產業的核心和基礎，其研究開發呈現出日新月異的發展勢態。GaN基光電器件中，藍色發光二極體LED率先實現商品化生產 成功開發藍光LED和LD之後，科研方向轉移到GaN紫外光探測器上 GaN材料在微波功率方面也有相當大的應用市場。氮化鎵半導體開關被譽為半導體晶元設計上一個新的里程碑。美國佛羅里達大學的科學家已經開發出一種可用於製造新型電子開關的重要器件，這種電子開關可以提供平穩、無間斷電源。

參考資料

半導體-網路

❺ 什麼是n型半導體什麼是p型半導體它們是怎樣形成的幫我回答，謝謝。

一、N型半導體

N型半導體也稱為電子型半導體，即自由電子濃度遠大於空穴濃度的雜質半導體。

形成原理

摻雜和缺陷均可造成導帶中電子濃度的增高. 對於鍺、硅類半導體材料，摻雜Ⅴ族元素，當雜質原子以替位方式取代晶格中的鍺、硅原子時，可提供除滿足共價鍵配位以外的一個多餘電子，這就形成了半導體中導帶電子濃度的增加，該類雜質原子稱為施主. Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體的施主往往採用Ⅳ或Ⅵ族元素. 某些氧化物半導體，其化學配比往往呈現缺氧，這些氧空位能表現出施主的作用，因而該類氧化物通常呈電子導電性，即是N型半導體，真空加熱，能進一步加強缺氧的程度。

二、P型半導體

P型半導體一般指空穴型半導體，是以帶正電的空穴導電為主的半導體。

形成

在純凈的硅晶體中摻入三價元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P型半導體。在P型半導體中，空穴為多子，自由電子為少子，主要靠空穴導電。由於P型半導體中正電荷量與負電荷量相等，故P型半導體呈電中性。空穴主要由雜質原子提供，自由電子由熱激發形成。

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特點：

（一）、N型半導體

由於N型半導體中正電荷量與負電荷量相等，故N型半導體呈電中性。自由電子主要由雜質原子提供，空穴由熱激發形成。摻入的雜質越多，多子（自由電子）的濃度就越高，導電性能就越強。

（二）、P型半導體

摻入的雜質越多，多子（空穴）的濃度就越高，導電性能就越強。

❻ p型半導體摻雜與n型半導體摻雜一樣嗎，譬如在半導體氧化物中摻鋁，p型和n型一樣摻雜嗎

NP型是硅中摻不同的雜質得到的 N型是多電子，一般摻P（磷） N（氮）
而P型是多空穴 一般摻B （硼） Al(鋁)

❼ 什麼是N型半導體

在半導體硅、鍺中摻入銻、磷、砷等元素，會增加大量自由電子，使半導體主要靠電子導電，幫稱為電子型半導體，或稱為N型半導體、N型材料。答案來自於《電子技術基礎》，請採納，謝謝加分

❽ 在本徵半導體中摻入"什麼"價元素得N型半導體

p型半導體中摻入的三價元素是硼、銦、鎵等。
要產生較多的空穴濃度就需依賴摻回雜或缺陷。在純凈答的硅晶體中摻入三價元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P型半導體。對於Ⅳ族元素，半導體(鍺、硅等)需進行Ⅲ族元素的摻雜;對於Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體(如砷化鎵)，常用摻雜Ⅱ族元素來提供所需的空穴濃度;在離子晶體型氧化物半導體中，化學配比的微量偏移可造成大量電載荷流子，氧量偏多時形成的缺陷可提供空穴，Cu2O、NiO、VO2等均是該類型的P型半導體，且當它們在氧壓中加熱後，空穴濃度將隨之增加.上述能給半導體提供空穴的摻雜原子或缺陷，均稱受主。
由於P型半導體中正電荷量與負電荷量相等，故P型半導體呈電中性。空穴主要由雜質原子提供，自由電子由熱激發形成。摻入的雜質越多，多子（空穴）的濃度就越高，導電性能就越強。

❾ n型半導體是在本徵半導體中摻入什麼形成的

1、N型半導體是復在本徵半導體中制加入以下物質後形成的（ D ）
A 電子 B 空穴 C 三價硼元素 D 五價磷元素
N：negative（負）的簡稱.N型半導體是加入了5價元素,使得半導體中的多子為電子,帶負電,所以N型半導體由此而來
2、晶體三極體用於放大時,應使發射結、集電結處於（ A ）
A 發射結正偏、集電結反偏
B 發射結正偏、集電結正偏
C 發射結反偏、集電結正偏
D 發射結反偏、集電結反偏
3、某放大電路中,測得三極體的三個極靜態電位分別為5V,1.3V, 1V, 則這只三極體是（ B ）
A.NPN型的硅管 B.NPN型的鍺管 C.PNP型的硅管 D.PNP型的鍺管
假定該管子為NPN型,由於是放大電路,那麼就是Ue