哪些東西是半導體

① 半導體有哪些用途

半導體的用途：
用半導體材料製成的部件、集成電路等是電子工業的重要基礎產品，在電子技術的各個方面已大量使用。半導體材料、器件、集成電路的生產和科研已成為電子工業的重要組成部分。在新產品研製及新技術發展方面，比較重要的領域有：
1、集成電路
它是半導體技術發展中最活躍的一個領域，已發展到大規模集成的階段。在幾平方毫米的矽片上能製作幾萬只晶體管，可在一片矽片上製成一台微信息處理器，或完成其它較復雜的電路功能。集成電路的發展方向是實現更高的集成度和微功耗，並使信息處理速度達到微微秒級。
2、微波器件
半導體微波器件包括接收、控制和發射器件等。毫米波段以下的接收器件已廣泛使用。在厘米波段，發射器件的功率已達到數瓦，人們正在通過研製新器件、發展新技術來獲得更大的輸出功率。
3、光電子器件
半導體發光、攝象器件和激光器件的發展使光電子器件成為一個重要的領域。它們的應用范圍主要是：光通信、數碼顯示、圖象接收、光集成等。
定義：
半導體（ semiconctor），指常溫下導電性能介於導體（conctor）與絕緣體（insulator）之間的材料。
分類：
按化學成分可分為元素半導體和化合物半導體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導體；化合物半導體包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物（ 硫化鎘、硫化鋅等）、氧化物（錳、鉻、鐵、銅的氧化物）,以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物組成的固溶體（鎵鋁砷、鎵砷磷等）。
按照其製造技術可以分為：集成電路器件，分立器件、光電半導體、邏輯IC、模擬IC、儲存器等大類，一般來說這些還會被分成小類。此外還有以應用領域、設計方法等進行分類，雖然不常用，但還是按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其規模進行分類的方法。此外，還有按照其所處理的信號，可以分成模擬、數字、模擬數字混成及功能進行分類的方法。
特點：
半導體五大特性∶摻雜性，熱敏性，光敏性，負電阻率溫度特性，整流特性。

② 有哪些用半導體做成的東西，請舉例。初中物理課本里有的。

太陽能電池板，發光二極體

③ 半導體封裝有哪些設備

半導體封復裝是指將通過測制試的晶圓按照產品型號及功能需求加工得到獨立晶元的過程。封裝過程為：來自晶圓前道工藝的晶圓通過劃片工藝後被切割為小的晶片（Die），然後將切割好的晶片用膠水貼裝到相應的基板（引線框架）架的小島上，再利用超細的金屬（金錫銅鋁）導線或者導電性樹脂將晶片的接合焊盤（Bond Pad）連接到基板的相應引腳（Lead）,並構成所要求的電路；然後再對獨立的晶片用塑料外殼加以封裝保護，塑封之後還要進行一系列操作，封裝完成後進行成品測試，通常經過入檢Incoming、測試Test和包裝Packing等工序，最後入庫出貨。
半導體封裝一般用到點膠機+膠水環氧樹脂，焊機+焊膏。典型的封裝工藝流程為：劃片、裝片、鍵合、塑封、去飛邊、電鍍、列印 、切筋和成型 、外觀檢查、 成品測試 、包裝出貨。

④ 進入半導體行業需要掌握那些東西

電子技術:學習二極體.三極體.集成運算放大器.集成電路.數字及模擬電路的組成原理專分析屬.如果不是設計方面的工作就只要了解二極體.三極體.集成運算放大器.集成電路.數字及模擬電路的組成原理就可以了

(電子技術)是一個很不容易學習的課程.盡可能去學校吧!!!

⑤ 半導體的應用領域有哪些

半導體一般指硅晶體,它的導電性介於導體和絕緣體之間.
半導體是指導版電能力介於金權屬和絕緣體之間的固體材料.按內部電子結構區分,半導體與絕緣體相似,它們所含的價電子數恰好能填滿價帶,並由禁帶和上面的導帶隔開.半導體與絕緣體的區別是禁帶較窄,在2～3電子伏以下.
典型的半導體是以共價鍵結合為主的,比如晶體硅和鍺.半導體靠導帶中的電子或價帶中的空穴導電.它的導電性一般通過摻入雜質原子取代原來的原子來控制.摻入的原子如果比原來的原子多一個價電子,則產生電子導電；如果摻入的雜質原子比原來的原子少一個價電子,則產生空穴導電.
半導體的應用十分廣泛,主要是製成有特殊功能的元器件,如晶體管、集成電路、整流器、激光器以及各種光電探測器件、微波器件等.

⑥ 到半導體公司應聘 需要准備哪些東西

一、備份簡歷，簡潔明了

⑦ 半導體器件包括哪些

所有含PN結的器件都可叫半導體器件，常見的有：二極體、三極體、場效應管、晶閘管、達林頓管、單結晶體管、LED以及含有半導體管的集成塊、晶元等。

⑧ 哪些東西是導體

鋼尺圖釘、小刀硬幣、鉛筆芯、螺絲刀是導體
直接用電池電阻電流表測，有電流的是導體

⑨ 薄膜半導體有哪些分類，求大神講解

透明導電薄膜。雖然目前電阻率等性能仍較低，但由於材料成本低、製造工藝簡單，因此有望替代ITO用作液晶顯示器等的透明導電薄膜。 空心陰極法生長半導體薄膜.
以非晶態半導體材料為主體製成的固態電子器件。非晶態半導體雖然在整體上分子排列無序，但是仍具有單晶體的微觀結構，因此具有許多特殊的性質。1975年，英國W.G.斯皮爾在輝光放電分解硅烷法制備的非晶硅薄膜中摻雜成功，使非晶硅薄膜的電阻率變化10個數量級，促進非晶態半導體器件的開發和應用。同單晶材料相比，非晶態半導體材料制備工藝簡單，對襯底結構無特殊要求，易於大面積生長，摻雜後電阻率變化大，可以製成多種器件。非晶硅太陽能電池吸收系數大，轉換效率高，面積大，已應用到計算器、電子表等商品中。非晶硅薄膜場效應管陣列可用作大面積液晶平面顯示屏的定址開關。利用某些硫系非晶態半導體材料的結構轉變來記錄和存儲光電信息的器件已應用於計算機或控制系統中。利用非晶態薄膜的電荷存儲和光電導特性可製成用於靜態圖像光電轉換的靜電復印機感光體和用於動態圖像光電轉換的電視攝像管的靶面。

具有半導體性質的非晶態材料。非晶態半導體是半導體的一個重要部分。50年代B.T.科洛米耶茨等人開始了對硫系玻璃的研究，當時很少有人注意，直到1968年S.R.奧弗申斯基關於用硫系薄膜製作開關器件的專利發表以後，才引起人們對非晶態半導體的興趣。1975年W.E.斯皮爾等人在硅烷輝光放電分解制備的非晶硅中實現了摻雜效應，使控制電導和製造PN結成為可能，從而為非晶硅材料的應用開辟了廣闊的前景。在理論方面，P.W.安德森和莫脫，N.F.建立了非晶態半導體的電子理論，並因而榮獲1977年的諾貝爾物理學獎。目前無論在理論方面，還是在應用方面，非晶態半導體的研究正在很快地發展著。
分類 目前主要的非晶態半導體有兩大類。
硫系玻璃。含硫族元素的非晶態半導體。例如As-Se、As-S，通常的制備方法是熔體冷卻或汽相沉積。
四面體鍵非晶態半導體。如非晶Si、Ge、GaAs等，此類材料的非晶態不能用熔體冷卻的辦法來獲得，只能用薄膜淀積的辦法(如蒸發、濺射、輝光放電或化學汽相淀積等)，只要襯底溫度足夠低，淀積的薄膜就是非晶態結構。四面體鍵非晶態半導體材料的性質，與制備的工藝方法和工藝條件密切相關。圖1 不同方法制備非晶硅的光吸收系數 給出了不同制備工藝的非晶硅光吸收系數譜，其中a、b制備工藝是硅烷輝光放電分解，襯底溫度分別為500K和300K，c制備工藝是濺射，d制備工藝為蒸發。非晶硅的導電性質和光電導性質也與制備工藝密切相關。其實，硅烷輝光放電法制備的非晶硅中，含有大量H，有時又稱為非晶的硅氫合金；不同工藝條件，氫含量不同，直接影響到材料的性質。與此相反，硫系玻璃的性質與制備方法關系不大。圖2 汽相淀積濺射薄膜和熔體急冷成塊體AsSeTe的光吸收系數譜 給出了一個典型的實例，用熔體冷卻和濺射的辦法制備的AsSeTe樣品，它們的光吸收系數譜具有相同的曲線。
非晶態半導體的電子結構 非晶態與晶態半導體具有類似的基本能帶結構，也有導帶、價帶和禁帶(見固體的能帶)。材料的基本能帶結構主要取決於原子附近的狀況，可以用化學鍵模型作定性的解釋。以四面體鍵的非晶Ge、Si為例，Ge、Si中四個價電子經sp雜化，近鄰原子的價電子之間形成共價鍵，其成鍵態對應於價帶；反鍵態對應於導帶。無論是Ge、Si的晶態還是非晶態，基本結合方式是相同的，只是在非晶態中鍵角和鍵長有一定程度的畸變，因而它們的基本能帶結構是相類似的。然而，非晶態半導體中的電子態與晶態比較也有著本質的區別。晶態半導體的結構是周期有序的，或者說具有平移對稱性，電子波函數是布洛赫函數，波矢是與平移對稱性相聯系的量子數，非晶態半導體不存在有周期性， 不再是好的量子數。晶態半導體中電子的運動是比較自由的，電子運動的平均自由程遠大於原子間距；非晶態半導體中結構缺陷的畸變使得電子的平均自由程大大減小，當平均自由程接近原子間距的數量級時，在晶態半導體中建立起來的電子漂移運動的概念就變得沒有意義了。非晶態半導體能帶邊態密度的變化不像晶態那樣陡，而是拖有不同程度的帶尾(如圖3 非晶態半導體的態密度與能量的關系 所示)。非晶態半導體能帶中的電子態分為兩類：一類稱為擴展態，另一類為局域態。處在擴展態的每個電子，為整個固體所共有，可以在固體整個尺度內找到；它在外場中運動類似於晶體中

⑩ 電子半導體是什麼意思具體指哪些謝謝

半導體，最特別之處在於它的單向導電性能。「半導體」因此得名。就內是說，電流只能向一個容方向流動，而不能返回。半導體所使用的晶體，通常是由鍺或者硅材料製作的。由於硅材料成本較低，所以硅管使用最廣泛。
利用半導體單向導電性能製作的晶體二極體，可以將交流電變為直流電。用於電子電路，可起到檢波、整形、阻尼、穩壓等作用。
若干晶體管和電阻組成功能電路，集成到一個晶元之中，就是所謂的集成電路。例如一隻電腦處理器（CPU）裡面的晶體管就多達上萬只！