半導體熱是怎麼回事

Ⅰ 半導體單晶熱處理的溫度要求和目的

①熱處理溫度要求：650±5℃；
②熱處理目的：還原直拉單晶矽片真實電阻率；

1、熱處理後電阻率會有什麼變化
由於氧是在大約1400℃引入硅單晶的，所以在一般器件製造過程的溫度范圍（≤1200℃），以間隙態存在的氧是處於過飽和狀態的，這些氧雜質在器件工藝的熱循環過程中由於固溶度的降低會產生氧沉澱。一般而言，氧濃度越高，氧沉澱越易成核生長，形成的氧沉澱也就越多。反之，氧沉澱就越少。尤其是當氧濃度小於一定值時（＜5×1017個/厘米3），幾乎就觀察不到氧沉澱的形成。
2、熱處理的幾個溫度區間概念：
熱施主：350-550℃，代表溫度450℃.
450℃熱處理後（或同等效果，如單晶在爐子里的冷卻），可觀察到N型樣品的電阻率下降而P型樣品的電阻率增高，有如引入一定數量的施主現象一樣。這是由於在此溫度下，溶解的氧原子迅速形成絡合物（SiO4）所引起的熱生施主，其電阻率與硅中氧含量的四次方成反比。
新施主：550-800℃，代表溫度650℃.
650℃熱處理，在迅速冷卻的條件下（即迅速跨過450℃），可消除熱生施主。即我們可觀察到N型樣品電阻率恢復高；P型樣品電阻率恢復低。
沉澱：800-1200℃，代表溫度1050℃
1050℃熱處理，會帶來氧沉澱，且因沉澱誘生層錯等缺陷。
還原：＞1200℃
＞1200℃熱處理，氧恢復到間隙態。

Ⅱ 什麼是半導體的熱平衡狀態

沒有受到外界作用（即無電壓、光照等）的半導體,就說它處於熱平衡狀回態.
這時半導體中答的載流子稱為平衡載流子,在溫度不變時,載流子濃度是一定的.載流子在各個能級上的分布遵從平衡統計分布函數——Fermi分布函數或者Boltzmann分布函數.Fermi能級概念適用.

Ⅲ 半導體冷熱切換COLD代表什麼

以半導體線路控制的任何設備，尤其冷熱切換上COLD 代表是」冷」HOT 代表熱。

Ⅳ 功率半導體晶元製造中用的熱、 氣 ，分別指的是什麼

半導體晶元製造過程抄都要很嚴謹的設備，包括功率作用的半導體也一樣。
一般來說半導體製程中的
「熱」包括：晶圓的拉晶用高溫蒸鍍電熱管，切晶圓和功率晶粒，功能晶片的高溫鑽石刀，封裝的高溫製程有各種熱導管和熱熔爐，測試用的高溫高壓蒸餾爐箱。
「氣」包括有各種氧氣，氮氣，酸性，鹼性，活化氣，鈍化氣，阻隔氣體和促進氣體。

Ⅳ 半導體熱效應

是不是半導體的導通的時候就會發熱，截至的時候就相當於開路.

Ⅵ 半導體通電後為什麼會發熱

"發熱"肯定有「東西」做功

「半導體」是相對「導體」的概念

當加電壓後「半導體」在內電場的作用下容，半導體內就形成「定向」的電子移動 這種電子「多」了就形成了「電流」如果這樣的電流沒有「阻力」的作用是不會做功的
就像一個沒受外力作用的物體將做勻速直線運動。
但如果有了「外力」的作用，即阻礙電流運動的「外力」---電阻， 那就會因為電阻而做功。

Ⅶ 半導體加熱和電磁加熱哪個好

一般來說目前功率比較大的比較常用的還是電磁加熱，日常的電磁爐就是用這個原理製成的，而半導體加熱的話並不太多見呢。

Ⅷ 什麼是半導體的熱平衡狀態

熱平衡指的是半導體的電子系統有統一的費米能級，電子和空穴的激發與復合達到了動態平衡，其濃度是恆定的，載流子的數量與能量都是平衡的。

Ⅸ 半導體加熱和製冷

半導體致來冷器，基於帕源爾帖效應，珀爾帖效應的論述很簡單——當電流通過熱電偶時，其中一個結點散發熱而另一個結點吸收熱，這個現象由法國物理學家Jean Peltier在1834年發現。電流正向流過時，上部製冷，下部發熱。當電流反向流過時，上部發熱，下部製冷。

Ⅹ 半導體加熱器的工作原理是什麼呢可以詳細說明一下嗎

是否是指半導體製冷器（TEC Thermo Electri Cooler） ？它是以帕爾帖效應為基礎的一種製冷技術內。它的簡 單工作容原理是:當把N型和P型半導體元件聯結成電偶對並在兩塊半導體上通上直流電時，電偶對的一端就會吸熱逐漸變冷，這一半導體端叫做冷端;另一端會放熱變熱，稱為熱端。
是致冷還是加熱，以及致冷、加熱的速率，由通過它的電流方向和大小來決定。
機理主要是電荷載體在不同的材料中處於不同的能量級，在外電場的作用下，電荷載體從高能級的材料向低能級的材料運動時，便會釋放出多餘的能量。反之，電荷載體從低能級的材料向高能級的材料運動時，需從外界吸收能量。