MOS半導體存儲器叫什麼
1. 常用半導體存儲器有哪幾類各有什麼特點
ROM、EPROM、SRAM、DRAM...
分類、特點,微機原理的書上,寫的很清楚。
樓主找本書看看,即可。
2. 半導體存儲器中,RAM指的是什麼
RAM 是隨機存取存儲器,它的特點是易揮發性,即掉電失憶。ROM 通常指固化存儲器(一次寫入,反復讀取),它的特點與RAM 相反。ROM又分一次性固化、光擦除和電擦除重寫兩種類型。
3. 半導體存儲器分為哪兩種
按其功能可分為:隨機存取存儲器(簡稱RAM)和只讀存儲器(只讀ROM)
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4. 什麼是半導體存儲器有什麼特點
半導體存儲器(semi-conctor memory)是一種以半導體電路作為存儲媒體的存儲器。 按其製造工藝可分為:回雙極晶體管存儲器和答MOS晶體管存儲器。 按其存儲原理可分為:靜態和動態兩種。 其優點是:體積小、存儲速度快、存儲密度高、與邏輯電路介面容易。 主要用作高速緩沖存儲器、主存儲器、只讀存儲器、堆棧存儲器等。 半導體存儲器的兩個技術指標是:存儲容量和存取時間。
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5. 半導體存儲器是從第幾代計算機開始出現的
半導體存儲器從第二代計算機後期,第三代計算機開始就已經是出現了。
6. 高速緩存是MOS半導體存儲器還是雙極型半導體存儲器
肯定是CMOS型,以三極體為核心的雙極型器件根本達不到那麼高的速度。
7. MOS型半導體存儲器晶元可以分為DRAM和SRAM兩種,他們之中什麼晶元的電路簡單,集成度高成本較低但速度慢
先說你的答案:
DRAM即動態隨機存取存儲器最為常見的系統內存。DRAM 只能將數據保持很專短的屬時間。為了保持數據,DRAM使用電容存儲,所以 必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的信息就會丟失。 (關機就會丟失數據)。
SRAM是英文Static RAM的縮寫,它是一種具有靜止存取功能的內存,不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。SRAM具有較高的性能,但是SRAM也有它的缺點,即它的集成度較低,相同容量的DRAM內存可以設計為較小的體積,但是SRAM卻需要很大的體積,且功耗較大。
SRAM主要用於二級高速緩存(Level2 Cache)。它利用晶體管來存儲數據。與DRAM相比,SRAM的速度快,但在相同面積中SRAM的容量要比其他類型的內存小。
8. 半導體存儲器的結構主要包含三個部分,分別是什麼
不知道啊
9. 屬於半導體存儲器的有什麼
半導體存儲器的分類
按功能可以分為只讀和隨機存取存儲器兩大類。所謂只讀,從字面上理解就是只可以從裡面讀,不能寫進去,它類似於我們的書本,發到我們手回之後,我們只能讀裡面的內容,不可以隨意更改書本上的內容。只讀存儲器的英文縮寫為ROM(READ ONLY MEMORY)--如計算機里的南北橋晶元
所謂隨機存取存儲器,即隨時可以改寫,也可以讀出裡面的數據,它類似於我們的黑板,我可以隨時寫東西上去,也可以用黑板擦擦掉重寫。隨機存儲器的英文縮寫為RAM(READ RANDOM MEMORY)這兩種存儲器的英文縮寫一定要記牢。--如計算機里的內存條,顯卡的顯存
注意:所謂的只讀和隨機存取都是指在正常工作情況下而言,也就是在使用這塊存儲器的時候,而不是指製造這塊晶元的時候。否則,只讀存儲器中的數據是怎麼來的呢?其實這個道理也很好理解,書本拿到我們手裡是不能改了,可以當它還是原材料——白紙的時候,當然可以由印刷廠印上去了。
順便解釋一下其它幾個常見的概念。
PROM,稱之為可編程存儲器。這就象我們的練習本,買來的時候是空白的,可以寫東西上去,可一旦寫上去,就擦不掉了,所以它只能用寫一次,要是寫錯了,就報銷了。
EPROM,稱之為紫外線擦除的可編程只讀存儲器。它裡面的內容寫上去之後,如果覺得不滿意,可以用一種特殊的方法去掉後重寫,這就是用紫外線照射,紫外線就象「消字靈」,可以把字去掉,然後再重寫。當然消的次數多了,也就不靈光了,所以這種晶元可以擦除的次數也是有限的——幾百次吧。
FLASH,稱之為閃速存儲器,它和EPROM類似,寫上去的東西也可以擦掉重寫,但它要方便一些,不需要光照了,只要用電學方法就可以擦除,所以就方便許多,而且壽面也很長(幾萬到幾十萬次不等)。
再次強調,這里的所有的寫都不是指在正常工作條件下。不管是PROM、EPROM還是FLASH ROM,它們的寫都要有特殊的條件,一般我們用一種稱之為「編程器」的設備來做這項工作,一旦把它裝到它的工作位置,就不能隨便改寫了。
10. 半導體存儲器的結構主要包括哪三個部分
7.1 概述
半導體存儲器以其容量大、體積小、功耗低、存取速度快、使用壽命長等特點,已廣泛應用於數字系統。
根據用途分為兩大類:
1 、只讀存儲器 ROM 。 用於存放永久性的、不變的數據。
2 、隨機存取存儲器 RAM 。 用於存放一些臨時性的數據或中間結果,需要經常改變存儲內容。
7.2 只讀存儲器
各種存儲器中結構最簡單的一種。在正常工作時它存儲的數據是固定不變的,只能讀出,不能隨時
寫入,故稱只讀存儲器。
分類:
使用的器件類型 : 二極體 ROM 雙極型三極體 ROM MOS 管 ROM
數據的寫入方式 :
固定 ROM :無法更改,出廠時已定
可編程 ROM ( PROM ):用戶只可寫入一次
可擦可編程 ROM ( EPROM ):可寫可擦,但費時長,操作復雜電抹可編程 ROM ( E2PROM )
7.2.1 固定 ROM 的結構和工作原理
一、電路組成
圖 7.2.1 4*4 二極體ROM的結構圖
(a)二極體的結構 (b)存儲矩陣示意圖
它由一個二線 ― 四線地址解碼器和一個 4×4 的二極體存儲矩陣組成。存儲矩陣由二極體或門組成,
其輸出為 D 0 ~ D 3。為輸入的地址碼,可產生 W0 ~ W 3 4 個不同的地址,W 0 ~ W 3 稱
為字線,用以選擇存儲的內容,D 0 ~ D 3 稱作位線。
在 W 0 ~ W 3 中,任一輸出為高電平時,在 D 0 ~ D 3 4 根線上輸出一組 4 位二進制代碼,每組代
碼稱作一個字。
二、讀數
舉例分析 ROM 的存儲原理。
7.2.2 可編程只讀存儲器( PROM )
可編程只讀存儲器是一種用戶可直接向晶元寫入信息的存儲器,這樣的 ROM 稱為可編程 ROM ,簡稱
PROM 。向晶元寫入信息的過程稱為對存儲器晶元編程。
7.2.3 可擦除可編程只讀存儲器( EPROM )
它允許對晶元進行反復改寫。
根據對晶元內容擦除方式的不同可分為:
一、 EPROM ,紫外線擦除方式,數據可保持 10 年左右。
二、 EEPROM (也寫作 PROM ),電擦除可編程方式,速度快,數據可保持 10 年以上時間。
7.3 隨機存取存儲器
7.3.1 RAM 的基本結構和工作原理
優點:讀寫方便,使用靈活。
缺點:掉電丟失信息。
一、 RAM 的結構和讀寫原理
7.3.2 RAM 的存儲單元
一、靜態隨機存取存儲器( SRAM )的存儲單元電路
圖7.3.16管CMOS靜態存儲單元原理圖
1 .存儲單元
存儲單元由 V 1 ~ V 6 組成。兩個穩定狀態,分別存儲數據 1 和 0 。
2 .列選擇線 Y 和讀/寫控制電路
圖中 V 5 、 V 6 為受列選擇線 Y 控制的門控管, G 4 、 G 5 和三態門 G 1 ~ G 3 構成讀/寫
控制電路。
當列選擇線為低電子 0 時, V 7 、 V 8 均截止,封鎖了存儲單元位線與輸入 / 輸出端的通路,使存
儲單元的數據不能讀出,也不能被外信號改寫。當列選線為高電平 1 時, V 7 、 V 8 導通,對存儲單
元可進行讀 / 寫操作,由讀 / 寫控制電路和 的狀態控制集成靜態存儲器 2114A
圖7.3.22114A 電路結構框圖和外引線圖
(a)電路結構框圖(b)外引線圖
Intel 2114A 是單片 1 K×4 位(即有 1 K 個字,每個字 4 位)的靜態存儲器( SRAM ),它是雙列
直插 18 腳封裝器件,採用 5V 供電,與 TTL 電平完全兼容。
二、動態隨機存取存儲器 (DRAM) 的存儲單元電路
動態存儲單元是由 MOS 管的柵極電容 C 和門控管組成的。數據以電荷的形式存儲在柵極電容上,電容
上的電壓高表示存儲數據 1 ;電容沒有儲存電荷,電壓為 0 ,表明存儲數據 0 。因存在漏電,使電容
存儲的信息不能長久保持,為防止信息丟失,就必須定時地給電容補充電荷,這種操作稱為 「 刷新 」
由於要不斷地刷新,所以稱為動態存儲。包括 4 管 MOS 動態存儲單元電路和單管 MOS 動態存儲單元等
7.4 RAM 的擴展
當單片 RAM 不能滿足存儲容量的要求時,這時可把多個單片 RAM 進行組合,擴展成大容量存儲器。
一、 RAM 的位擴展
圖7.4.1 RAM的位擴展
二、 RAM 的字擴展
字擴展就是把幾片相同 RAM 的數據線並接在一起作為共用輸入輸出端(即位不變),讀 / 寫控制線也
接在一起,把地址線加以擴展,用擴展的地址線去控制各片 RAM 的片選 線 。
圖7.4.2RAM 的字擴展
三、 RAM 的字、位擴展
當 RAM 的位線和字線都需要擴展時,一般是先進行位擴展,然後再進行字擴展。
圖7.4.3RAM 的字、位擴展
7.5ROM的應用
本章小結:
一、只讀存儲器 ROM(Read Only Memory)
1 .讀存儲器具有供電電源切斷時, ROM 中存儲的信息不會丟失的特性。
2.ROM 的基本結構是由一個固定連接的與門陣列和一個可編程連接的或門陣列所組成。
3. 是一種在正常工作情況下只能讀取而不能寫入數據的存儲器,在計算機中主要用於存放執行程序、
數據表格和字元等。
二、隨機存取存儲器( RAM )
1 .按存儲單元的特性分為:
SRAM :靜態隨機存儲器
DRAM :動態隨機存儲器
2 .在使用時可以隨時從任一指定地址取出(讀出)數據,也可以隨時將數據存入(寫入)任何
指定地址的存儲單元中去。
3 .特點:優點是讀寫方便,使用靈活。缺點是存在易失性,一旦斷電所存儲的數據便會丟失,
不利於數據長期保存。