什麼是直接帶隙半導體

『壹』 直接帶隙和間接帶隙的區別

直接帶隙半導體材料就是導帶最小值（導帶底）和滿帶最大值在k空間中同一位置。電子專要躍遷到導帶上屬產生導電的電子和空穴（形成半滿能帶）只需要吸收能量。 間接帶隙半導體材料導帶最小值（導帶底）和滿帶最大值在k空間中不同位置。形成半滿能帶不只需要吸收能量，還要改變動量。 間接帶隙半導體材料導帶最小值（導帶底）和滿帶最大值在k空間中不同位置。電子在k狀態時的動量是（h/2pi）k，k不同，動量就不同，從一個狀態到另一個必須改變動量。

『貳』 如何確定半導體是直接帶隙還是間接帶隙的

確定半導體是直接帶隙還是間接帶隙的可以用光致發光光譜。

光效率很大的話差專不多就是直接帶隙，發光效率低屬的話就是間接帶隙。直接帶隙材料吸收光譜應該能比較明顯地區分出本徵吸收帶和吸收邊，變化相對較緩，而間接帶隙材料比較陡峭。

間接帶隙半導體材料（如Si、Ge）導帶最小值（導帶底）和滿帶最大值在k空間中不同位置。形成半滿能帶不只需要吸收能量，還要改變動量。

電子在k狀態時的動量是（h/2pi）k，k不同，動量就不同，從一個狀態到另一個必須改變動量。與之相對的直接帶隙半導體則是電子在躍遷至導帶時不需要改變動量。

(2)什麼是直接帶隙半導體擴展閱讀：

光致發光過程包括熒光發光和磷光發光。通常用於半導體檢測和表徵的光致發光光譜指的是光致熒光發光。

光致發光特點：

1、光致發光優點

設備簡單，無破壞性，對樣品尺寸無嚴格要求；解析度高，可做薄層和微區分析。

2、光致發光缺點

通常只能做定性分析，而不作定量分析；如果做低溫測試，需要液氦降溫，條件比較苛刻；不能反映出非輻射復合的深能級缺陷中心。

『叄』 什麼是直接禁帶半導體

直接禁帶半導體材料就是導帶最小值（導帶底）和價帶最大值在k空間中同一位置。電內子要躍遷到導帶容上產生導電的電子和空穴（形成半滿能帶）只需要吸收能量，動量保持不變。
直接帶隙半導體（Direct gap semiconctor）的例子：GaAs、InP半導體。相反，Si、Ge是間接帶隙半導體。
直接帶隙半導體的重要性質：當價帶電子往導帶躍遷時，電子波矢不變，在能帶圖上即是豎直地躍遷，這就意味著電子在躍遷過程中，動量可保持不變——滿足動量守恆定律。相反，如果導帶電子下落到價帶（即電子與空穴復合）時，也可以保持動量不變——直接復合，即電子與空穴只要一相遇就會發生復合（不需要聲子來接受或提供動量）。因此，直接帶隙半導體中載流子的壽命必將很短；同時，這種直接復合可以把能量幾乎全部以光的形式放出（因為沒有聲子參與，故也沒有把能量交給晶體原子）——發光效率高（這也就是為什麼發光器件多半採用直接帶隙半導體來製作的根本原因）。

『肆』 關於半導體中的直接帶隙與間接帶隙

簡單的說直接帶隙半導體就是導帶最低點和價帶最高點在k空間處於同一點的半導體，間接帶隙半導體就是它們不處於同一點的半導體。你可以看一下下面的參考資料

『伍』 直接帶隙半導體的介紹

直接帶隙半導體（Direct gap semiconctor）的例子：GaAs、InP半導體。相反，Si、Ge是間接帶隙半導體。

『陸』 直接帶隙半導體

直接帶隙半導體抄材料就是導帶最小值（導帶底）和滿帶最大值在k空間中同一位置.電子要躍遷到導帶上產生導電的電子和空穴（形成半滿能帶）只需要吸收能量.
間接帶隙半導體材料導帶最小值（導帶底）和滿帶最大值在k空間中不同位置.形成半滿能帶不只需要吸收能量,還要改變動量.
間接帶隙半導體材料導帶最小值（導帶底）和滿帶最大值在k空間中不同位置.電子在k狀態時的動量是（h/2pi）k,k不同,動量就不同,從一個狀態到另一個必須改變動量.

『柒』 什麼是直接禁帶半導體間接禁帶半導體

直接帶隙半導體就是導帶最小值和滿帶最大值在k空間中同一位置,
而間接帶隙半導體的導帶最小值和滿帶最大值在k空間中位於不同位置.

『捌』 什麼是直接帶隙寬禁帶半導體

倒帶極小值，價帶極大值對應於相同的波矢，是直接帶隙半導體，那寬禁帶就是禁帶很寬的直接帶隙半導體

『玖』 直接帶隙和間接帶隙有什麼區別

直接帶隙半導體材料就是導帶最小值（導帶底）和滿帶最大值在k空間中同專一位置。電子屬要躍遷到導帶上產生導電的電子和空穴（形成半滿能帶）只需要吸收能量。
間接帶隙半導體材料導帶最小值（導帶底）和滿帶最大值在k空間中不同位置。形成半滿能帶不只需要吸收能量，還要改變動量。