半導體pn層什麼意思

Ⅰ 晶體三級管,有幾層半導體,幾個pn組成

晶體三極體，全稱應為半導體三極體，也稱雙極型晶體管，被譽為20世紀最專重要的發明，其屬重要性堪比原子彈，肖克利等三人因此獲得1956年諾貝爾物理學獎。
從後來的發展情況看，晶體三極體已經成為晶元的核心元件，而晶元又是現代信息社會的基石，足見諾貝爾物理學獎沒有頒錯人。
三極體是在一塊半導體基片上製作兩個相距很近的PN結，兩個PN結把正塊半導體分成三部分，中間部分是基區，兩側部分是發射區和集電區，排列方式有PNP和NPN兩種。

Ⅱ PN是什麼材料

PN結（PN junction）
採用不同的摻雜工藝，通過擴散作用，將P型半導體與N型半導體製作在同一塊半導體（通常是硅或鍺）基片上,在它們的交界面就形成空間電荷區稱PN結。PN結具有單向導電性。P是positive的縮寫，N是negative的縮寫，表明正荷子與負荷子起作用的特點。 一塊單晶半導體中 ，一部分摻有受主雜質是P型半導體，另一部分摻有施主雜質是N型半導體時 ，P 型半導體和N型半導體的交界面附近的過渡區稱為PN結。PN結有同質結和異質結兩種。用同一種半導體材料製成的 PN 結叫同質結 ，由禁帶寬度不同的兩種半導體材料製成的PN結叫異質結。製造PN結的方法有合金法、擴散法、離子注入法和外延生長法等。製造異質結通常採用外延生長法。 P型半導體（P指positive，帶正電的）：由單晶硅通過特殊工藝摻入少量的三價元素組成，會在半導體內部形成帶正電的空穴； N型半導體（N指negative，帶負電的）：由單晶硅通過特殊工藝摻入少量的五價元素組成，會在半導體內部形成帶負電的自由電子。 在 P 型半導體中有許多帶正電荷的空穴和帶負電荷的電離雜質。在電場的作用下，空穴是可以移動的，而電離雜質（離子）是固定不動的 。N 型半導體中有許多可動的負電子和固定的正離子。當P型和N型半導體接觸時，在界面附近空穴從P型半導體向N型半導體擴散，電子從N型半導體向P型半導體擴散。空穴和電子相遇而復合，載流子消失。因此在界面附近的結區中有一段距離缺少載流子，卻有分布在空間的帶電的固定離子，稱為空間電荷區 。P 型半導體一邊的空間電荷是負離子 ，N 型半導體一邊的空間電荷是正離子。正負離子在界面附近產生電場，這電場阻止載流子進一步擴散 ，達到平衡。 在PN結上外加一電壓 ，如果P型一邊接正極 ，N型一邊接負極，電流便從P型一邊流向N型一邊，空穴和電子都向界面運動，使空間電荷區變窄，電流可以順利通過。如果N型一邊接外加電壓的正極，P型一邊接負極，則空穴和電子都向遠離界面的方向運動，使空間電荷區變寬，電流不能流過。這就是PN結的單向導電性。 PN結加反向電壓時 ，空間電荷區變寬 ， 區中電場增強。反向電壓增大到一定程度時，反向電流將突然增大。如果外電路不能限制電流，則電流會大到將PN結燒毀。反向電流突然增大時的電壓稱擊穿電壓。基本的擊穿機構有兩種，即隧道擊穿（也叫齊納擊穿）和雪崩擊穿，前者擊穿電壓小於6V，有負的溫度系數，後者擊穿電壓大於6V，有正的溫度系數。 PN結加反向電壓時，空間電荷區中的正負電荷構成一個電容性的器件。它的電容量隨外加電壓改變。 根據PN結的材料、摻雜分布、幾何結構和偏置條件的不同，利用其基本特性可以製造多種功能的晶體二極體。如利用PN結單向導電性可以製作整流二極體、檢波二極體和開關二極體，利用擊穿特性製作穩壓二極體和雪崩二極體；利用高摻雜PN結隧道效應製作隧道二極體；利用結電容隨外電壓變化效應製作變容二極體。使半導體的光電效應與PN結相結合還可以製作多種光電器件。如利用前向偏置異質結的載流子注入與復合可以製造半導體激光二極體與半導體發光二極體；利用光輻射對PN結反向電流的調製作用可以製成光電探測器；利用光生伏特效應可製成太陽電池。此外，利用兩個 PN結之間的相互作用可以產生放大，振盪等多種電子功能 。PN結是構成雙極型晶體管和場效應晶體管的核心，是現代電子技術的基礎。在二級管中廣泛應用。 PN結的平衡態,是指PN結內的溫度均勻、穩定,沒有外加電場、外加磁場、光照和輻射等外界因素的作用,宏觀上達到穩定的平衡狀態.

簡單的說就是電子材料

Ⅲ 電子中PN是什麼意思

PN： 通過特殊的「擴散」製作工藝，將一塊本徵半導體的一半摻入微版量的三價元素、變成權P型半導體，而將其另一半摻入微量的五價元素、變成N型半導體，在P型半導體區和N型半導體區的交界面處就會形成一個具有特殊導電性能的薄層，這就是PN結，它對P型區和N型區中多數載流子的擴散運動產生了阻力。

Ⅳ PN半導體中,P中的電子隨時間延長，豈不是越來越多，N中的空穴越來越多

所謂的空穴，只是在p型材料中表示電子行為的一種人造概念。pn結正偏時，電子由n端流入，在內pn結中是由容n到p的，這個電子流對p型材料，你也可以看成是空穴從p到n，實際上就是那些電子在循環運動，所以不會有「阻塞」

另外，比如一電子由A到B運動，就等效為一空穴由B到A運動，以pn結為參照系，其並不是靜止的

Ⅳ 半導體pn型的測定有幾種方法

通常是用霍爾效應來測量。霍爾效應是指在磁場中，通電導體會回出現橫向電壓的現象，詳答細可以到網路去查。
多子為電子的n型和多子為空穴的p型半導體，由於載流子的正負屬性不同，會使橫向電壓方向不同，從而可以測出類型。

Ⅵ 為什麼PN性半導體加壓時,P區的空穴不會消失不是被負極的電子都填補了嗎

PN結的重要特性就是整流性，這要看你所加電壓的方向，在PN結上外加一電壓 ，如果P型一邊接正極 ，N型一邊接負極，電流便從P型一邊流向N型一邊，空穴和電子都向界面運動，使空間電荷區變窄，電流可以順利通過。如果N型一邊接外加電壓的正極，P型一邊接負極，則空穴和電子都向遠離界面的方向運動，使空間電荷區變寬，電流不能流過。這就是PN結的單向導電性。
PN結加反向電壓時 ，空間電荷區變寬 ， 區中電場增強。反向電壓增大到一定程度時，反向電流將突然增大。如果外電路不能限制電流，則電流會大到將PN結燒毀。反向電流突然增大時的電壓稱擊穿電壓。基本的擊穿機構有兩種，即隧道擊穿（也叫齊納擊穿）和雪崩擊穿，前者擊穿電壓小於0.6V，有負的溫度系數，後者擊穿電壓大於0.6V，有正的溫度系數。 PN結加反向電壓時，空間電荷區中的正負電荷構成一個電容性的器件。它的電容量隨外加電壓改變。
根據PN結的材料、摻雜分布、幾何結構和偏置條件的不同，利用其基本特性可以製造多種功能的晶體二極體。如利用PN結單向導電性可以製作整流二極體、檢波二極體和開關二極體，利用擊穿特性製作穩壓二極體和雪崩二極體；利用高摻雜PN結隧道效應製作隧道二極體；利用結電容隨外電壓變化效應製作變容二極體。使半導體的光電效應與PN結相結合還可以製作多種光電器件。如利用前向偏置異質結的載流子注入與復合可以製造半導體激光二極體與半導體發光二極體；利用光輻射對PN結反向電流的調製作用可以製成光電探測器；利用光生伏特效應可製成太陽電池。
因此，PN結不管是加正向電壓還是反向電壓，其空穴和電子都不會消逝，只是其轉移的過程。

Ⅶ PN什麼意思

1、PN公稱壓力

是壓力的一種表示方法，主要用在管道及管配件、閥門等殼體設備的壓力表示。

2、PN結

通過特殊的「擴散」製作工藝，將一塊本徵半導體的一半摻入微量的三價元素、變成P型半導體，而將其另一半摻入微量的五價元素、變成N型半導體。

在P型半導體區和N型半導體區的交界面處就會形成一個具有特殊導電性能的薄層，這就是PN結，它對P型區和N型區中多數載流子的擴散運動產生了阻力。

3、航空運輸代碼

西部航空公司二字代碼：PN，西部航空公司三字代碼：CHB。西部航空有限責任公司籌建於2004年4月16日，是經中國民用航空總局批准成立的中國西部地區第二家民營航空公司，注冊資本人民幣8000萬元。

由海航集團投資控股，基地設於重慶市江北國際機場，經營范圍包括國內航空客貨運輸、航空公司間代理、航空器維修以及航空器材進出口和航空配餐服務等。2007年6月14日，西部航空有限責任公司正式成立並首航成功。

4、PN是佩恩的簡寫

《火影忍者》自來也的徒弟，自稱為「神」。

個人介紹

姓名：佩恩 (洋名:Pain)(RB名:ペイン) 真名:長門

年齡 - 不明，根據小南只能判斷出年齡在30歲左右

身高：六個身體不一樣,天道身高大約是176CM

本體:長門

體重：57KG

來自漩渦一族

六道：天道 人間道修羅道畜生道 惡鬼道 地獄道

聲優 - 崛內賢雄

戒指 - [零] 代號：零無 右手的第一指

雙人同伴：代號[白]真名小南，她是個女人頭上插了個紙做的白玫瑰，可以把自己變成許多紙蝴蝶。

身份：雨忍 和一些S級的忍者組成一個最強的組織「曉」！

自來也的徒弟之一。

5、PN 是 Pseudo-Noise

對CDMA網路基站的測量主要涉及以下網路識別參數：Band、CH、SID、NID、Base Station P Rev、PN offset、BSID、Slot Sycle Index、Raw Ec/Io、Rx Power、Tx Power、Tx Adj、Rx Lev以及經緯度

PN碼就是Pseudo-Noise Code，是一具有與白雜訊類似的自相關性質的0和1所構成的編碼序列. 最廣為人知的二位元P-N Code是最大長度位移暫存器序列, 簡稱m-序列 , 他具有長 2的N次方 - 1個位元, 由一具線性回授的m級暫存器來產生.

常見PN offset就是指PN碼偏置指數，在IS-95A CDMA 系統中，PN短碼的周期是32768 (就是你看到的2的15次方=32768) chip。

將短碼每隔64 chip進行劃分,於是得到了512 (= 32768 / 64)個不同相位的短碼，將這些短碼按0至511順序編號，將該編號稱為PN 碼偏置指數。

而這512個PN Offset值並不一定能全部被使用，需要根據網路的規模等實際情況確定了步長（Pilot INC）後才能最終確定可以使用的PN Offset值。

Ⅷ 半導體pn型材料的問題

n型材料導帶下的能級是為了給導帶提供電子，p型材料價帶上面的能級是為內了給價帶提供空容穴，說它們是非佔用能級就意味著它們已經給半導體提供了載流子，改變了半導體的導電特性；如果這些能級已經被佔用那就不能提供載流子，例如在極低溫度下n型材料和p型材料都將變成本徵態，不再有n或p型的導電行為。它們屬於局域態能級，載流子不能像在導帶或者價帶上那樣在這些能級上運動；在半導體的原子相互靠近形成晶體結構後，原子能級就擴展成了能帶，這樣的能帶是非局域態的

Ⅸ 半導體的PN相是指什麼

採用不同的摻雜工藝，通過擴散作用，將P型半導體與N型半導體製作在同回一塊半導體（通常答是硅或鍺）基片上,在它們的交界面就形成空間電荷區稱PN結。PN結具有單向導電性。P是positive的縮寫，N是negative的縮寫，表明正荷子與負荷子起作用的特。P型半導體（P指positive，帶正電的）：由單晶硅通過特殊工藝摻入少量的三價元素組成，會在半導體內部形成帶正電的空穴；
N型半導體（N指negtive，帶負電的）：由單晶硅通過特殊工藝摻入少量的五價元素組成，會在半導體內部形成帶負電的自由電子。