半導體電阻為什麼會變

『壹』 半導體材料的電阻的情變化情況

①：由於待測電阻的抄阻值較小遠小於電壓表內阻，所以電流表應用外接法；從數據表可知，電流從零調，所以變阻器應採用分壓式接法，故電路圖應是B；
②：從表中數據可知，溫度越高（電流越大）時，求出的電阻越小，可判斷元件是半導體材料；
③：在不斷開電路情況下，檢查電路故障時不能使用電流擋和歐姆擋，從表中數據可知最高電壓是1.5V，所以應該使用直流電壓2.5V擋；
由於黑表筆接在電壓表的正極，所以將多用表的紅、黑表筆與電流表「+」、「-」接線柱接觸時，多用電表指針發生較大偏轉，說明電路故障是電流表斷路；
故答案為：①B；②半導體；③直流電壓2.5V，電流表斷路

『貳』 1,半導體隨著溫度升高,其電阻率的變化如何為什麼

半導體隨著溫度升高,其電阻率是變小的。
因為半導體材料的分子一般排列的比較有序，才導致可以用半導體材料做成二極體，具有單向導電性。
隨著溫度的升高，分子排列的無序性變大，導電性能變好。電阻率將會減小。

『叄』 半導體應變片的電阻變化是由什麼因素產生的

應變片是一個電阻,當收外力作用時長度和截面積發生變化,其阻值也就發生變化,以此來測量外力導致的形變.

『肆』 半導體隨溫度電阻率逐漸變小，為什麼

以硅為例，在一定的溫度范圍內，半導體的電阻率隨溫度的升高，而變小。因版為半導體價帶權上的電子，隨著溫度的升高，不斷地被激發到導帶，使載流子的數量增加，其導電性得到不斷加強，電阻率變小；
當溫度上升到一定高度，價帶電子的激發到了極限，同時晶格的熱振動加劇，對載流子的散射作用也增強。這時，隨著溫度的進一步升高，半導體的電阻率則反而會增大。

『伍』 半導體的電阻為什麼隨溫度升高而降低

溫度上升後，半導體內部的電子或者空穴擺脫原子核對其控制的能力就會增大，成為自由電子或空穴，從而以這些為基礎的載流子濃度就會增大，導電能力也就增大。換言之，其最阻變大。

『陸』 導體、半導體和絕緣體的電阻隨溫度的變化如何變化

多數導體抄的電阻隨溫襲度的升高電阻增大，絕緣體的電阻極高，對溫度的變化不明顯。半導體的電阻對溫度變化很敏感，因此常用於熱敏電阻的製造，熱敏電阻根據材料不同可以是正溫度系數，也可以是負溫度系數。

用一定的直流電壓對被測材料加壓時，被測材料上的電流不是瞬時達到穩定值的，而是有一衰減過程。

在加壓的同時，流過較大的充電電流，接著是比較長時間緩慢減小的吸收電流，最後達到比較平穩的電導電流。被測電阻值越高，達到平衡的時間則越長。

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測量時為了正確讀取被測電阻值，應在穩定後讀取數值。在通信電纜絕緣電阻測試方法中規定，在充電1分鍾後讀數，即為電纜的絕緣實測值。

但是在實際上，此方法有些不妥，因為直流電壓對被測材料加壓時，被測材料上的電流是電容電流，既然是電容電流，就與電纜的電容大小有關。

電容大需要充電的時間就長，特別是油膏填充電纜，就需要的時間要長一些。所以同一類型的電纜，由於長度不一樣，及電容大小不一樣，充電時間為一分鍾時讀數顯然是不科學，還需進一步研究和探討。

『柒』 為什麼隨溫度升高，半導體電阻變小，導體電阻變大

特性 電阻率介於金屬和絕緣體[1]之間並有負的電阻溫度系數的物質。 半導體室溫回時電阻率約在10E-5～10E7歐姆·米之間，答溫度升高時電阻率指數則減小。 半導體材料很多，按化學成分可分為元素半導體和化合物半導體兩大類。 鍺和硅是最常用的元素半導體；化合物半導體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物組成的固溶體（鎵鋁砷、鎵砷磷等）。除上述晶態半導體外，還有非晶態的玻璃半導體、有機半導體等。 半導體：意指半導體收音機，因收音機中的晶體管由半導體材料製成而得名。

『捌』 半導體在什麼雜質等外界因素作用下他的電阻會發生很大的變化

半導體在磷或硼雜質等外界因素作用下，他的電阻會發生很大的變化 。

『玖』 半導體隨溫度電阻率逐漸變小，為什麼

半導體導電是通過載流子進行的，載流子數量越多，導電性能越好，也就是電阻率越低。
溫度上專升屬時，半導體電子熱運動活動劇烈，能量增加，由價帶頂躍遷到導帶底所需要的外界能量降低（半導體載流子是由價帶頂的空穴和導帶底的電子確定的），所以半導體帶隙降低，Eg降低。由於ni^2=Nc*Nvexp(-Eg/2K0T)，所以Eg越低導致ni^2 越高，由於np = ni^2所以載流子隨之升高。最後導致同樣電壓下，電流變大，反映出的是電阻率變低。

https://..com/question/1987779684801752987
我在這里也有較為詳細的解釋，敬請參考。

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