半導體線寬是指什麼
Ⅰ 半導體工藝中技術節點尺寸是指什麼
目前囯際上半導體晶圓閘極工藝的技術節點指線寬，解決線寬尺寸才是道理，你這是個理論間距問題比較次要。
Ⅱ 光刻工藝中表面線寬是指什麼
線條圖形的最小寬度
Ⅲ 半導體物理中，能帶寬度與禁帶寬度的區別是什麼
1、概念不同：
能帶寬度：為價帶和導帶的寬度，即電子能量分裂的一個個密集能級組成的寬度。禁帶寬度：為導帶和價帶的間距。能帶寬度就是通電的能力，禁帶寬度就是組電的能力。
2、所含電子不同：
能帶：是用量子力學的方法研究固體內部電子運動的理論。始於20世紀初期，在量子力學確立以後發展起來的一種近似理論。
它曾經定性地闡明了晶體中電子運動的普遍特點，並進而說明了導體與絕緣體、半導體的區別所在，解釋了晶體中電子的平均自由程問題。
禁帶寬度：是指一個能帶寬度，固體中電子的能量是不可以連續取值的，而是一些不連續的能帶，要導電就要有自由電子存在，自由電子存在的能帶稱為導帶（能導電），被束縛的電子要成為自由電子，就必須獲得足夠能量從而躍遷到導帶，這個能量的最小值就是禁帶寬度。
例如：鍺的禁帶寬度為0.66ev；硅的禁帶寬度為1.12ev；砷化鎵的禁帶寬度為1.46ev。『
(3)半導體線寬是指什麼擴展閱讀：
結構
固體材料的能帶結構由多條能帶組成，能帶分為傳導帶（簡稱導帶）、價電帶（簡稱價帶）和禁帶等，導帶和價帶間的空隙稱為能隙。
能帶結構可以解釋固體中導體、半導體、絕緣體三大類區別的由來。材料的導電性是由「傳導帶」中含有的電子數量決定。當電子從「價帶」獲得能量而跳躍至「傳導帶」時，電子就可以在帶間任意移動而導電。
Ⅳ 「線寬」指的是集成電路內部電路導線的寬度，是衡量集成電路技術先進程度的標志之一，線寬越小，集成電路
∵1μm=103nm，∴0.13μm=0.13×103nm=130nm．
故答案為：130．
Ⅳ 半導體工藝 的最小線寬是指金屬連線的還是柵的寬度
從器件來講，主要是指柵極長度（一般，柵極長度小於柵極寬度）。
從加工精度來講，主要是指套刻精度（最小間距）；最小線寬是引線孔尺寸。
因為並無統一的看法，僅供參考。
Ⅵ 半導體工藝里的特徵圖形尺寸指的是什麼的尺寸是一個最小cell的尺寸嗎還是互聯線的寬度
光刻之後腐蝕後的線寬。 單線的最小寬度。 也就是表示你的工藝線設備能做到什專么程度
附：
特徵屬尺寸即CPU表面電路的特徵線寬，我們常說的130nm製程、90nm製程指的就是CPU的特徵尺寸。特徵尺寸越小，單位面積內的晶體管集成度就越高。
在微電子學中，特徵尺寸通常指集成電路中半導體器件的最小尺寸，如MOS管的柵長，特徵尺寸是衡量集成電路設計和製造水平的重要尺度，特徵尺寸越小，晶元的集成度越高，速度越快，性能越好
Ⅶ 矽片上的線寬是起什麼作用
矽片上的線寬就是指集成電路（IC晶元）線寬，指由特定工藝決定的所能回光刻的最小尺寸答，一般等於溝道的最小寬度。集成度與線寬有對應關系，線寬越小即集成度越高，而集成度是指單塊晶元上所容納的元件數目。集成度越高，所容納的元件數目越多，如64M集成電路，集成度為64M，粗略地講，這種單塊晶元上集成有6000萬個元件，由於技術飛速進步，華為公司用於手機的鯤鵬920處理器晶元，指甲蓋大小的面積上集成了超過10億只晶體管！而以前的晶體管收音機不過也就是四到八個晶體管。
Ⅷ 半導體工業中的最小線寬指的是FET中源極到漏極的距離么也就指的是柵極的寬度
MOS工藝中最小線寬又叫特徵尺寸，在設計時，常指的是MOSFET的柵極的長度L，理論上版來說，柵極的長度就是它權所控制的溝道長度（即漏極與源極之間的距離），但實際上，由於在源極與漏極進行摻雜時存在橫向擴散，所以L其實是導電溝道的長度，在標准MOS工藝中，往往柵極會把溝道整個蓋住，所以柵長是比溝道長度稍大一些的。
Ⅸ 集成電路的集成度和線寬是指什麼
是一種製造工藝尺寸，5微米表示工藝線寬是5微米。如米，毫米，微米。
詳情參考中國電子DIY之家有關資料
Ⅹ 現在主流的集成電路晶元的線寬是多少
現在主流的集成電路晶元的線寬是65nm以下，甚至45nm，32nm都已經比較常見了。集成電路晶元是包括一硅基版板、至少一電路、權一固定封環、一接地環及至少一防護環的電子元件。
路形成於硅基板上，電路具有至少一輸出/輸入墊。固定封環形成於硅基板上，並圍繞電路及輸出/輸入墊。接地環形成於硅基板及輸出/輸入墊之間，並與固定封環電連接。防護環設置於硅基板之上，並圍繞輸出/輸入墊，用以與固定封環電連接。
集成電路是一種微型電子器件或部件。採用一定的工藝，把一個電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，製作在一小塊或幾小塊半導體晶片或介質基片上，然後封裝在一個管殼內，成為具有所需電路功能的微型結構；其中所有元件在結構上已組成一個整體，使電子元件向著微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面邁進了一大步。