冶金法多晶硅技術現狀

⑴ 冶金法生產多晶硅的工藝流程

1、改良西門子法——閉環式三氯氫硅氫還原法
改良西門子法是用氯和氫合成氯化氫，氯化氫和工業硅粉在一定的溫度下合成三氯氫硅，然後對三氯氫硅進行分離精餾提純，提純後的三氯氫硅在氫還原爐內進行CVD反應生產高純多晶硅。
國內外現有的多晶硅廠絕大部分採用此法生產電子級與太陽能級多晶硅。
2、硅烷法——硅烷熱分解法
硅烷是以四氯化硅氫化法、硅合金分解法、氫化物還原法、硅的直接氫化法等方法製取。然後將製得的硅烷氣提純後在熱分解爐生產純度較高的棒狀多晶硅。以前只有日本小松掌握此技術，由於發生過嚴重的爆炸事故後，沒有繼續擴大生產。但美國Asimi和SGS公司仍採用硅烷氣熱分解生產純度較高的電子級多晶硅產品。
3、流化床法
以四氯化硅、氫氣、氯化氫和工業硅為原料在流化床內高溫高壓下生成三氯氫硅，將三氯氫硅再進一步歧化加氫反應生成二氯二氫硅，繼而生成硅烷氣。
製得的硅烷氣通入加有小顆粒硅粉的流化床反應爐內進行連續熱分解反應，生成粒狀多晶硅產品。因為在流化床反應爐內參與反應的硅表面積大，生產效率高，電耗低與成本低，適用於大規模生產太陽能級多晶硅。唯一的缺點是安全性差，危險性大。其次是產品純度不高，但基本能滿足太陽能電池生產的使用。此法是美國聯合碳化合物公司早年研究的工藝技術。目前世界上只有美國MEMC公司採用此法生產粒狀多晶硅。此法比較適合生產價廉的太陽能級多晶硅。

⑵ 多晶硅的技術特徵

⑴多種生產工藝路線並存，產業化技術封鎖、壟斷局面不會改變。由於各多晶硅生產工廠所用主輔原料不盡相同，因此生產工藝技術不同；進而對應的多晶硅產品技術經濟指標、產品質量指標、用途、產品檢測方法、過程安全等方面也存在差異，各有技術特點和技術秘密，總的來說，國際上多晶硅生產主要的傳統工藝有：改良西門子法、硅烷法和流化床法。其中改良西門子工藝生產的多晶硅的產能約佔世界總產能的80%，短期內產業化技術壟斷封鎖的局面不會改變。
⑵新一代低成本多晶硅工藝技術研究空前活躍。除了傳統工藝（電子級和太陽能級兼容）及技術升級外，還涌現出了幾種專門生產太陽能級多晶硅的新工藝技術，主要有：改良西門子法的低價格工藝；冶金法從金屬硅中提取高純度硅；高純度SiO2直接製取；熔融析出法（VLD：Vaper to liquid deposition）；還原或熱分解工藝；無氯工藝技術，Al－Si溶體低溫制備太陽能級硅；熔鹽電解法等。
與單晶硅的比較
單晶硅和多晶硅的區別是，當熔融的單質硅凝固時,硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長成晶面取向相同的晶粒，則形成單晶硅。如果這些晶核長成晶面取向不同的晶粒，則形成多晶硅。多晶硅與單晶硅的差異主要表現在物理性質方面。例如在力學性質、電學性質等方面，多晶硅均不如單晶硅。多晶硅可作為拉制單晶硅的原料。單晶硅可算得上是世界上最純凈的物質了，一般的半導體器件要求硅的純度6N以上。大規模集成電路的要求更高，硅的純度必須達到9N，人們已經能製造出純度為12N的單晶硅。單晶硅是電子計算機、自動控制系統等現代科學技術中不可缺少的基本材料。
高純度硅在石英中提取，以單晶硅為例，提煉要經過以下過程：石英砂一冶金級硅一提純和精煉一沉積多晶硅錠一單晶硅一矽片切割。
冶金級硅的提煉並不難。它的制備主要是在電弧爐中用碳還原石英砂而成。這樣被還原出來的硅的純度約98-99%，但半導體工業用硅還必須進行高度提純(電子級多晶硅純度要求11N，太陽能電池級只要求6N)。而在提純過程中，有一項「三氯氫硅還原法(西門子法)」的關鍵技術我國還沒有掌握，由於沒有這項技術，我國在提煉過程中70%以上的多晶硅都通過氯氣排放了，不僅提煉成本高，而且環境污染非常嚴重。我國每年都從石英石中提取大量的工業硅，以1美元/公斤的價格出口到德國、美國和日本等國，而這些國家把工業硅加工成高純度的晶體硅材料，以46-80美元/公斤的價格賣給我國的太陽能企業。
得到高純度的多晶硅後，還要在單晶爐中熔煉成單晶硅，以後切片後供集成電路製造等用。可以用於二極體級、整流器件級、電路級以及太陽能電池級單晶產品的生產和深加工製造，其後續產品集成電路和半導體分離器件已廣泛應用於各個領域，在軍事電子設備中也佔有重要地位。
在光伏技術和微小型半導體逆變器技術飛速發展的今天，利用硅單晶所生產的太陽能電池可以直接把太陽能轉化為光能，實現了邁向綠色能源革命的開始。北京2008年奧運會將把「綠色奧運」做為重要展示面向全世界展現，單晶硅的利用在其中將是非常重要的一環。國外的太陽能光伏電站已經到了理論成熟階段，正在向實際應用階段過渡，太陽能硅單晶的利用將是普及到全世界范圍，市場需求量不言而喻。

⑶ 多晶硅的分析

多晶硅
多晶硅是單質硅的一種形態。熔融的單質硅在過冷條件下凝固時，硅原子以金剛石晶格形態排列成許多晶核，如這些晶核長成晶面取向不同的晶粒，則這些晶粒結合起來，就結晶成多晶硅。多晶硅可作拉制單晶硅的原料，多晶硅與單晶硅的差異主要表現在物理性質方面。例如，在力學性質、光學性質和熱學性質的各向異性方面，遠不如單晶硅明顯；在電學性質方面，多晶硅晶體的導電性也遠不如單晶硅顯著，甚至於幾乎沒有導電性。在化學活性方面，兩者的差異極小。多晶硅和單晶硅可從外觀上加以區別，但真正的鑒別須通過分析測定晶體的晶面方向、導電類型和電阻率等。

一、國際多晶硅產業概況

當前，晶體硅材料（包括多晶硅和單晶硅）是最主要的光伏材料，其市場佔有率在90％以上,而且在今後相當長的一段時期也依然是太陽能電池的主流材料。多晶硅材料的生產技術長期以來掌握在美、日、德等3個國家7個公司的10家工廠手中，形成技術封鎖、市場壟斷的狀況。

多晶硅的需求主要來自於半導體和太陽能電池、按純度要求不同，分為電子級和太陽能級。其中，用於電子級多晶硅佔55％左右，太陽能級多晶硅佔45％，隨著光伏產業的迅猛發展，太陽能電池對多晶硅需求量的增長速度高於半導體多晶硅的發展，預計到2008年太陽能多晶硅的需求量將超過電子級多晶硅。

1994年全世界太陽能電池的總產量只有69MW，而2004年就接近1200MW，在短短的10年裡就增長了17倍。專家預測太陽能光伏產業在二十一世紀前半期將超過核電成為最重要的基礎能源之一，世界各國太陽能電池產量和構成比例見表1。

據悉，美國能源部計劃到2010年累計安裝容量4600MW，日本計劃2010年達到5000MW，歐盟計劃達到6900MW，預計2010年世界累計安裝量至少18000MW。

從上述的推測分析，至2010年太陽能電池用多晶硅至少在30000噸以上，表2給出了世界太陽能多晶硅工序的預測。據國外資料分析報道，世界多晶硅的產量2005年為28750噸，其中半導體級為20250噸，太陽能級為8500噸，半導體級需求量約為19000噸，略有過剩；太陽能級的需求量為15000噸，供不應求，從2006年開始太陽能級和半導體級多晶硅需求的均有缺口，其中太陽能級產能缺口更大。

據日本稀有金屬雜質2005年11月24日報道，世界半導體與太陽能多晶硅需求緊張，主要是由於以歐洲為中心的太陽能市場迅速擴大，預計2006年，2007年多晶硅供應不平衡的局面將為愈演愈烈，多晶硅價格方面半導體級與太陽能級原有的差別將逐步減小甚至消除，2005年世界太陽能電池產量約1GW，如果以1MW用多晶硅12噸計算，共需多晶硅是1.2萬噸，2005－2010年世界太陽能電池平均年增長率在25％，到2010年全世界半導體用於太陽能電池用多晶硅的年總的需求量將超過6.3萬噸。

世界多晶硅主要生產企業有日本的Tokuyama、三菱、住友公司、美國的Hemlock、Asimi、SGS、MEMC公司，德國的Wacker公司等，其年產能絕大部分在1000噸以上，其中Tokuyama、Hemlock、Wacker三個公司生產規模最大，年生產能力均在3000－5000噸。

國際多晶硅主要技術特徵有以下兩點：

（1）多種生產工藝路線並存，產業化技術封鎖、壟斷局面不會改變。由於各多晶硅生產工廠所用主輔原料不盡相同，因此生產工藝技術不同；進而對應的多晶硅產品技術經濟指標、產品質量指標、用途、產品檢測方法、過程安全等方面也存在差異，各有技術特點和技術秘密，總的來說，目前國際上多晶硅生產主要的傳統工藝有：改良西門子法、硅烷法和流化床法。其中改良西門子工藝生產的多晶硅的產能約佔世界總產能的80％，短期內產業化技術壟斷封鎖的局面不會改變。

（2）新一代低成本多晶硅工藝技術研究空前活躍。除了傳統工藝（電子級和太陽能級兼容）及技術升級外，還涌現出了幾種專門生產太陽能級多晶硅的新工藝技術，主要有：改良西門子法的低價格工藝；冶金法從金屬硅中提取高純度硅；高純度SiO2直接製取；熔融析出法（VLD：Vaper to liquid deposition）；還原或熱分解工藝；無氯工藝技術，Al－Si溶體低溫制備太陽能級硅；熔鹽電解法等。

二、國內多晶硅產業概況

我國集成電路的增長，矽片生產和太陽能電池產業的發展，大大帶動多晶硅材料的增長。

太陽能電池用多晶硅按每生產1MW多晶硅太陽能電池需要11－12噸多晶硅計算，我國2004年多晶、單晶太陽能電池產量為48.45MW，多晶硅用量為678噸左右，而實際產能已達70MW左右，多晶硅缺口達250噸以上。

到2005年底國內太陽能電池產能達到300MW，實際能形成的產量約為110MW，需要多晶硅1400噸左右，預測到2010年太陽能電池產量達300MW，需要多晶硅保守估計約4200噸，因此太陽能電池的生產將大大帶動多晶硅需求的增加，見表3。

2005年中國太陽能電池用單晶硅企業開工率在20％－30％，半導體用單晶硅企業開工率在80％－90％，都不能滿負荷生產，主要原因是多晶硅供給量不足所造成的。預計多晶硅生產企業擴產後的產量，仍然滿足不了快速增長的需要。

我國多晶硅工業起步於五、六十年代中期，生產廠多達20餘家，生由於生產技術難度大，生產規模小，工藝技術落後，環境污染嚴重，耗能大，成本高，絕大部分企業虧損而相繼停產和轉產，到1996年僅剩下四家，即峨眉半導體材料廠（所），洛陽單晶硅廠、天原化工廠和棱光實業公司，合計當年產量為102.2噸，產能與生產技術都與國外有較大的差距。

1995年後，棱光實業公司和重慶天原化工廠相繼停產。現在國內主要多晶硅生產廠商有洛陽中硅高科技公司、四川峨眉半導體廠和四川新光硅業公司、到2005年底，洛陽中硅高科技公司300噸生產線已正式投產，二期擴建1000噸多晶硅生產線也同時破土動工，河南省計劃將其擴建到3000噸規模，建成國內最大的硅產業基地。四川峨眉半導體材料廠（所）是國內最早擁有多晶硅生產技術的企業，2005年太陽能電池用戶投資，擴產的220噸多晶硅生產線將於2006年上半年投產，四川新光硅業公司實施的1000噸多晶硅生產線正在加快建設，計劃在2006年底投產，此外，雲南、揚州、上海、黑河、錦州、青海、內蒙、宜昌、廣西、重慶、遼寧、邯鄲、保定、浙江等地也有建生產線設想。

三、行業發展的主要問題

同國際先進水平相比，國內多晶硅生產企業在產業化方面的差距主要表現在以下幾個方面：

1、產能低，供需矛盾突出。2005年中國太陽能用單晶硅企業開工率在20％－30％，半導體用單晶硅企業開工率在80％－90％，無法實現滿負荷生產，多晶硅技術和市場仍牢牢掌握在美、日、德國的少數幾個生產廠商中，嚴重製約我國產業發展。

2、生產規模小、現在公認的最小經濟規模為1000噸/年，最佳經濟規模在2500噸/年，而我國現階段多晶硅生產企業離此規模仍有較大的距離。

3、工藝設備落後，同類產品物料和電力消耗過大，三廢問題多，與國際水平相比，國內多晶硅生產物耗能耗高出1倍以上，產品成本缺乏競爭力。

4、千噸級工藝和設備技術的可靠性、先進性、成熟性以及各子系統的相互匹配性都有待生產運行驗證，並需要進一步完善和改進。

5、國內多晶硅生產企業技術創新能力不強，基礎研究資金投入太少，尤其是非標設備的研發製造能力差。

6、地方政府和企業項目投資多晶硅項目，存在低水平重復建設的隱憂。

四、行業發展的對策與建議

1、發展壯大我國多晶硅產業的市場條件已經基本具備、時機已經成熟，國家相關部門加大對多晶硅產業技術研發，科技創新、工藝完善、項目建設的支持力度，抓住有利時機發展壯大我國的多晶硅產業。

2、支持最具條件的改良西門子法共性技術的實施，加快突破千噸級多晶硅產業化關鍵技術，形成從材料生產工藝、裝備、自動控制、回收循環利用的多晶硅產業化生產線，材料性能接近國際同類產品指標；建成節能、低耗、環保、循環、經濟的多晶硅材料生產體系，提高我們多晶硅在國際上的競爭力。

3、依託高校以及研究院所，加強新一代低成本工藝技術基礎性及前瞻性研究，建立低成本太陽能及多晶硅研究開發的知識及技術創新體系，獲得具有自主知識產權的生產工藝和技術。

4、政府主管部門加強宏觀調控與行業管理，避免低水平項目的重復投資建設，保證產業的有序、可持續發展。

⑷ 2014年是否有用物理法或冶金法提純多晶硅的

這方面的技術並沒有新的突破，但是傳統的工藝已經相對比較成熟，還是不錯的。

⑸ 多晶硅是什麼

多晶硅;polycrystalline silicon
性質：灰色金屬光澤。密度2.32~2.34。熔點1410℃。沸點2355℃。溶於氫氟酸和硝酸的混酸中，不溶於水、硝酸和鹽酸。硬度介於鍺和石英之間，室溫下質脆，切割時易碎裂。加熱至800℃以上即有延性，1300℃時顯出明顯變形。常溫下不活潑，高溫下與氧、氮、硫等反應。高溫熔融狀態下，具有較大的化學活潑性，能與幾乎任何材料作用。具有半導體性質，是極為重要的優良半導體材料，但微量的雜質即可大大影響其導電性。電子工業中廣泛用於製造半導體收音機、錄音機、電冰箱、彩電、錄像機、電子計算機等的基礎材料。由乾燥硅粉與乾燥氯化氫氣體在一定條件下氯化，再經冷凝、精餾、還原而得。

多晶硅是單質硅的一種形態。熔融的單質硅在過冷條件下凝固時，硅原子以金剛石晶格形態排列成許多晶核，如這些晶核長成晶面取向不同的晶粒，則這些晶粒結合起來，就結晶成多晶硅。多晶硅可作拉制單晶硅的原料，多晶硅與單晶硅的差異主要表現在物理性質方面。例如，在力學性質、光學性質和熱學性質的各向異性方面，遠不如單晶硅明顯；在電學性質方面，多晶硅晶體的導電性也遠不如單晶硅顯著，甚至於幾乎沒有導電性。在化學活性方面，兩者的差異極小。多晶硅和單晶硅可從外觀上加以區別，但真正的鑒別須通過分析測定晶體的晶面方向、導電類型和電阻率等。
一、國際多晶硅產業概況
當前，晶體硅材料（包括多晶硅和單晶硅）是最主要的光伏材料，其市場佔有率在90％以上,而且在今後相當長的一段時期也依然是太陽能電池的主流材料。多晶硅材料的生產技術長期以來掌握在美、日、德等3個國家7個公司的10家工廠手中，形成技術封鎖、市場壟斷的狀況。
多晶硅的需求主要來自於半導體和太陽能電池。按純度要求不同，分為電子級和太陽能級。其中，用於電子級多晶硅佔55％左右，太陽能級多晶硅佔45％，隨著光伏產業的迅猛發展，太陽能電池對多晶硅需求量的增長速度高於半導體多晶硅的發展，預計到2008年太陽能多晶硅的需求量將超過電子級多晶硅。
1994年全世界太陽能電池的總產量只有69MW，而2004年就接近1200MW，在短短的10年裡就增長了17倍。專家預測太陽能光伏產業在二十一世紀前半期將超過核電成為最重要的基礎能源之一。
據悉，美國能源部計劃到2010年累計安裝容量4600MW，日本計劃2010年達到5000MW，歐盟計劃達到6900MW，預計2010年世界累計安裝量至少18000MW。從上述的推測分析，至2010年太陽能電池用多晶硅至少在30000噸以上，表2給出了世界太陽能多晶硅工序的預測。據國外資料分析報道，世界多晶硅的產量2005年為28750噸，其中半導體級為20250噸，太陽能級為8500噸，半導體級需求量約為19000噸，略有過剩；太陽能級的需求量為15000噸，供不應求，從2006年開始太陽能級和半導體級多晶硅需求的均有缺口，其中太陽能級產能缺口更大。
據日本稀有金屬雜質2005年11月24日報道，世界半導體與太陽能多晶硅需求緊張，主要是由於以歐洲為中心的太陽能市場迅速擴大，預計2006年，2007年多晶硅供應不平衡的局面將為愈演愈烈，多晶硅價格方面半導體級與太陽能級原有的差別將逐步減小甚至消除，2005年世界太陽能電池產量約1GW，如果以1MW用多晶硅12噸計算，共需多晶硅是1.2萬噸，2005－2010年世界太陽能電池平均年增長率在25％，到2010年全世界半導體用於太陽能電池用多晶硅的年總的需求量將超過6.3萬噸。
世界多晶硅主要生產企業有日本的Tokuyama、三菱、住友公司、美國的Hemlock、Asimi、SGS、MEMC公司，德國的Wacker公司等，其年產能絕大部分在1000噸以上，其中Tokuyama、Hemlock、Wacker三個公司生產規模最大，年生產能力均在3000－5000噸。
國際多晶硅主要技術特徵有以下兩點：
（1）多種生產工藝路線並存，產業化技術封鎖、壟斷局面不會改變。由於各多晶硅生產工廠所用主輔原料不盡相同，因此生產工藝技術不同；進而對應的多晶硅產品技術經濟指標、產品質量指標、用途、產品檢測方法、過程安全等方面也存在差異，各有技術特點和技術秘密，總的來說，目前國際上多晶硅生產主要的傳統工藝有：改良西門子法、硅烷法和流化床法。其中改良西門子工藝生產的多晶硅的產能約佔世界總產能的80％，短期內產業化技術壟斷封鎖的局面不會改變。
（2）新一代低成本多晶硅工藝技術研究空前活躍。除了傳統工藝（電子級和太陽能級兼容）及技術升級外，還涌現出了幾種專門生產太陽能級多晶硅的新工藝技術，主要有：改良西門子法的低價格工藝；冶金法從金屬硅中提取高純度硅；高純度SiO2直接製取；熔融析出法（VLD：Vaper to liquid deposition）；還原或熱分解工藝；無氯工藝技術，Al－Si溶體低溫制備太陽能級硅；熔鹽電解法等。
二、國內多晶硅產業概況
我國集成電路的增長，矽片生產和太陽能電池產業的發展，大大帶動多晶硅材料的增長。
太陽能電池用多晶硅按每生產1MW多晶硅太陽能電池需要11－12噸多晶硅計算，我國2004年多晶、單晶太陽能電池產量為48.45MW，多晶硅用量為678噸左右，而實際產能已達70MW左右，多晶硅缺口達250噸以上。到2005年底國內太陽能電池產能達到300MW，實際能形成的產量約為110MW，需要多晶硅1400噸左右，預測到2010年太陽能電池產量達300MW，需要多晶硅保守估計約4200噸，因此太陽能電池的生產將大大帶動多晶硅需求的增加，見表3。
2005年中國太陽能電池用單晶硅企業開工率在20％－30％，半導體用單晶硅企業開工率在80％－90％，都不能滿負荷生產，主要原因是多晶硅供給量不足所造成的。預計多晶硅生產企業擴產後的產量，仍然滿足不了快速增長的需要。
2005年全球太陽能電池用多晶硅供應量約為10448噸，而2005年太陽能用硅材料需求量約為22881噸，如果太陽能電池用多晶硅需求量按占總需求量的65%計，則太陽能電池用多晶硅需求量約為14873噸，這樣全球太陽能電池用多晶硅的市場缺口達4424噸。2005年半導體用多晶硅短缺6000噸，加上太陽能用多晶硅缺口4424噸，合計10424噸，供給嚴重不足，導致全球多晶硅價格上漲。目前多晶硅市場的持續升溫，導致各生產廠商紛紛列出了擴產計劃，根據來自國際光伏組織的統計，至2008年全球多晶硅的產能將達49550噸，至2010年將達58800噸。預計到2010年全球多晶硅需求量將達85000噸，缺口26200噸。從長遠來看，考慮到未來石化能源的短缺和各國對太陽能產業的大力支持，需求將持續增長。根據歐洲光伏工業聯合會的2010年各國光伏產業發展計劃預計，屆時全球光伏產量將達到15GW（1GW=1000MW），設想其中60%使用多晶硅為原材料，如果技術進步每MW消耗10噸多晶硅，保守估計全球至少需要太陽能多晶硅5萬噸以上。
我國多晶硅工業起步於五、六十年代中期，生產廠多達20餘家，生由於生產技術難度大，生產規模小，工藝技術落後，環境污染嚴重，耗能大，成本高，絕大部分企業虧損而相繼停產和轉產，到1996年僅剩下四家，即峨眉半導體材料廠（所），洛陽單晶硅廠、天原化工廠和棱光實業公司，合計當年產量為102.2噸，產能與生產技術都與國外有較大的差距。
1995年後，棱光實業公司和重慶天原化工廠相繼停產。現在國內主要多晶硅生產廠商有洛陽中硅高科技公司、四川峨眉半導體廠和四川新光硅業公司、到2005年底，洛陽中硅高科技公司300噸生產線已正式投產，二期擴建1000噸多晶硅生產線也同時破土動工，河南省計劃將其擴建到3000噸規模，建成國內最大的硅產業基地。四川峨眉半導體材料廠（所）是國內最早擁有多晶硅生產技術的企業，2005年太陽能電池用戶投資，擴產的220噸多晶硅生產線將於2006年上半年投產，四川新光硅業公司實施的1000噸多晶硅生產線正在加快建設，計劃在2006年底投產，此外，雲南、揚州、上海、黑河、錦州、青海、內蒙、宜昌、廣西、重慶、遼寧、邯鄲、保定、浙江等地也有建生產線設想。
三、行業發展的主要問題
同國際先進水平相比，國內多晶硅生產企業在產業化方面的差距主要表現在以下幾個方面：
1、產能低，供需矛盾突出。2005年中國太陽能用單晶硅企業開工率在20％－30％，半導體用單晶硅企業開工率在80％－90％，無法實現滿負荷生產，多晶硅技術和市場仍牢牢掌握在美、日、德國的少數幾個生產廠商中，嚴重製約我國產業發展。
2、生產規模小、現在公認的最小經濟規模為1000噸/年，最佳經濟規模在2500噸/年，而我國現階段多晶硅生產企業離此規模仍有較大的距離。
3、工藝設備落後，同類產品物料和電力消耗過大，三廢問題多，與國際水平相比，國內多晶硅生產物耗能耗高出1倍以上，產品成本缺乏競爭力。
4、千噸級工藝和設備技術的可靠性、先進性、成熟性以及各子系統的相互匹配性都有待生產運行驗證，並需要進一步完善和改進。
5、國內多晶硅生產企業技術創新能力不強，基礎研究資金投入太少，尤其是非標設備的研發製造能力差。
6、地方政府和企業項目投資多晶硅項目，存在低水平重復建設的隱憂。
四、行業發展的對策與建議
1、發展壯大我國多晶硅產業的市場條件已經基本具備、時機已經成熟，國家相關部門加大對多晶硅產業技術研發，科技創新、工藝完善、項目建設的支持力度，抓住有利時機發展壯大我國的多晶硅產業。
2、支持最具條件的改良西門子法共性技術的實施，加快突破千噸級多晶硅產業化關鍵技術，形成從材料生產工藝、裝備、自動控制、回收循環利用的多晶硅產業化生產線，材料性能接近國際同類產品指標；建成節能、低耗、環保、循環、經濟的多晶硅材料生產體系，提高我們多晶硅在國際上的競爭力。
3、依託高校以及研究院所，加強新一代低成本工藝技術基礎性及前瞻性研究，建立低成本太陽能及多晶硅研究開發的知識及技術創新體系，獲得具有自主知識產權的生產工藝和技術。
4、政府主管部門加強宏觀調控與行業管理，避免低水平項目的重復投資建設，保證產業的有序、可持續發展。
我國從事半導體硅材料生產企業概況:
我國從事半導體硅材料生產的企業總共40餘家.截止06年銷售額超過一億元的企業已達17家.
1,河北寧晉單晶硅基地
2,有研半導體材料股份公司
3,洛陽單晶硅有限責任公司/洛陽中硅高科技有限公司
4,無錫華潤華晶微電子有限公司
5,寧波立立電子股份有限公司
6,上海合晶硅材料有限公司
7,上海申和熱磁公司
8,娥眉半導體材料廠
9,杭州海納半導體有限公司
10,萬向硅峰電子股份有限公司
11,錦州新日硅材料(華昌電子材料/華日硅)公司
12,天津環歐半導體技術有限公司
13,常州億晶電子科技有限公司
14,常州天合光能有限公司
15,江蘇順大半導體發展有限公司
16,新疆新能源股份有限公司
17,南京國盛電子有限公司
這些企業中供應半導體硅拋光片的有寧波立立電子股份有限公司、有研半導體材料股份公司、無錫華潤華晶微電子有限公司、上海合晶硅材料有限公司、上海申和熱磁公司等-----changaiyin
單多晶硅國內含稅價格
單晶硅棒2600元/公斤,多晶硅棒2400元/公斤-----changaiyin

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江西賽維LDK太陽能高科技有限公司是目前亞洲規模最大的太陽能多晶矽片生產企業。工廠坐落於江西省新余市經濟開發區，專注於太陽能多晶硅鑄錠及多晶矽片研發、生產、銷售為一體的高新技術光伏企業，擁有國際最先進的生產技術和設備。公司注冊資金11095萬美元，總投資近3億美元。2006年4月份投產， 7月份產能達到100兆瓦，8月份入選「RED HERRING亞洲百強企業」，10月份產能達到200兆瓦，被國際專業人士稱為「LDK速度奇跡」。榮獲「2006年中國新材料產業最具成長性企業」稱號。 目前公司正致力於發展成為一個「世界級光伏企業」。
2007年6月1日，賽維LDK成功在美國紐約證交所上市，成為中國企業歷史上在美國單一發行最大的一次IPO；賽維LDK是江西省企業有史以來第一次在美國上市的企業，是中國新能源領域最大的一次IPO。

該公司1.5萬噸硅料項目近日已在江西省新余市正式啟動，該項目總固定資產投資120億元以上，預計將成為目前全球太陽能領域單個投資額最多、產能設計規模最大的項目之一。

據悉，該項目計劃首期在2008年底前建成投產，形成6000噸太陽能級硅料的年生產能力；2009年項目全部建成投產後，將形成1.5萬噸產能，從而使該公司成為世界主要的太陽能多晶硅原料生產企業。

當地有關人士表示，該項目的實施，不僅可以有效緩解國內光伏行業發展中遭遇的原料短缺等瓶頸制約，而且可以有力提升我國光伏產業的綜合競爭力。

⑹ 多晶硅的三種生產方法，改良西門子、硅烷法、冶金法當前哪種方法比較成熟各自的生產關鍵點是什麼

改良西門子法最成熟。。硅烷法忘記了，貌似就是西門子法吧，缺點是高污染高能內耗，硅烷也很危險，優勢就容是能獲得高純度的硅。冶金法麼優勢就是成本低，但是目前技術難突破。冶金法就是想利用硅中雜質的熔點不同，一一去除。目前的瓶頸就在於無法去除硼，鐵等雜質，而這些雜質對於硅的提純是致命的

⑺ 請您淺談多晶硅的工藝及發展，您是否了解這方面的內容呢

工業發展
從工業化發展來看，重心已由單晶向多晶方向發展，主要原因為；[1]可供應太陽電池的頭尾料愈來愈少；[2] 對太陽電池來講，方形基片更合算，通過澆鑄法和直接凝固法所獲得的多晶硅可直接獲得方形材料；[3]多晶硅的生產工藝不斷取得進展，全自動澆鑄爐每生產周期（50小時）可生產200公斤以上的硅錠，晶粒的尺寸達到厘米級；[4]由於近十年單晶硅工藝的研究與發展很快，其中工藝也被應用於多晶硅電池的生產，例如選擇腐蝕發射結、背表面場、腐蝕絨面、表面和體鈍化、細金屬柵電極，採用絲網印刷技術可使柵電極的寬度降低到50微米，高度達到15微米以上，快速熱退火技術用於多晶硅的生產可大大縮短工藝時間，單片熱工序時間可在一分鍾之內完成，採用該工藝在100平方厘米的多晶矽片上作出的電池轉換效率超過14％。據報道，目前在50～60微米多晶硅襯底上製作的電池效率超過16％。利用機械刻槽、絲網印刷技術在100平方厘米多晶上效率超過17％，無機械刻槽在同樣面積上效率達到16％，採用埋柵結構，機械刻槽在130平方厘米的多晶上電池效率達到15.8％。
編輯本段國際多晶硅產業概況
當前，晶體硅材料（包括多晶硅和單晶硅）是最主要的光伏材料，其市場佔有率在90％以上,而且在今後相當長的一段時期也依然是太陽能電池的主流材料。多晶硅材料的生產技術長期以來掌握在美、日、德等3個國家7個公司的10家工廠手中，形成技術封鎖、市場壟斷的狀況。 多晶硅的需求主要來自於半導體和太陽能電池。按純度要求不同，分為電子級和太陽能級。其中，用於電子級多晶硅佔55％左右，太陽能級多晶硅佔45％，隨著光伏產業的迅猛發展，太陽能電池對多晶硅需求量的增長速度高於半導體多晶硅的發展，預計到2008年太陽能多晶硅的需求量將超過電子級多晶硅。 1994年全世界太陽能電池的總產量只有69MW，而2004年就接近1200MW，在短短的10年裡就增長了17倍。專家預測太陽能光伏產業在二十一世紀前半期將超過核電成為最重要的基礎能源之一。 據悉，美國能源部計劃到2010年累計安裝容量4600MW，日本計劃2010年達到5000MW，歐盟計劃達到6900MW，預計2010年世界累計安裝量至少18000MW。從上述的推測分析，至2010年太陽能電池用多晶硅至少在30000噸以上，表2給出了世界太陽能多晶硅工序的預測。據國外資料分析報道，世界多晶硅的產量2005年為28750噸，其中半導體級為20250噸，太陽能級為8500噸，半導體級需求量約為19000噸，略有過剩；太陽能級的需求量為15000噸，供不應求，從2006年開始太陽能級和半導體級多晶硅需求的均有缺口，其中太陽能級產能缺口更大。 據日本稀有金屬雜志2005年11月24日報道，世界半導體與太陽能多晶硅需求緊張，主要是由於以歐洲為中心的太陽能市場迅速擴大，預計2006年，2007年多晶硅供應不平衡的局面將為愈演愈烈，多晶硅價格方面半導體級與太陽能級原有的差別將逐步減小甚至消除，2005年世界太陽能電池產量約1GW，如果以1MW用多晶硅12噸計算，共需多晶硅是1.2萬噸，2005－2010年世界太陽能電池平均年增長率在25％，到2010年全世界半導體用於太陽能電池用多晶硅的年總的需求量將超過6.3萬噸。 世界多晶硅主要生產企業有日本的Tokuyama、三菱、住友公司、美國的Hemlock、Asimi、SGS、MEMC公司，德國的Wacker公司等，其年產能絕大部分在1000噸以上，其中Tokuyama、Hemlock、Wacker三個公司生產規模最大，年生產能力均在3000－5000噸。
編輯本段國際多晶硅主要技術特徵
（1）多種生產工藝路線並存，產業化技術封鎖、壟斷局面不會改變。由於各多晶硅生產工廠所用主輔原料不盡相同，因此生產工藝技術不同；進而對應的多晶硅產品技術經濟指標、產品質量指標、用途、產品檢測方法、過程安全等方面也存在差異，各有技術特點和技術秘密，總的來說，目前國際上多晶硅生產主要的傳統工藝有：改良西門子法、硅烷法和流化床法。其中改良西門子工藝生產的多晶硅的產能約佔世界總產能的80％，短期內產業化技術壟斷封鎖的局面不會改變。 （2）新一代低成本多晶硅工藝技術研究空前活躍。除了傳統工藝（電子級和太陽能級兼容）及技術升級外，還涌現出了幾種專門生產太陽能級多晶硅的新工藝技術，主要有：改良西門子法的低價格工藝；冶金法從金屬硅中提取高純度硅；高純度SiO2直接製取；熔融析出法（VLD：Vaper to liquid deposition）；還原或熱分解工藝；無氯工藝技術，Al－Si溶體低溫制備太陽能級硅；熔鹽電解法等。
編輯本段國內多晶硅產業概況
近年來，在中央政府大力推廣新能源政策的支持下，各地方省份也是積極跟進，培養優勢產業。江西省抓住機遇，憑借粉石英（硅材料主要原料）儲量全國第一的資源優勢，出台多方面措施保障光伏產業發展。短短3、4年間，使得一大批光伏產業上下游項目迅速在江西集聚，成為我國重要的光伏產業基地。以新余為主產地、以賽維LDK和盛豐能源為核心企業的產業帶具有較強的生產能力，初步建立了從硅料、矽片到太陽能電池組件及配套產品的完整產業鏈，擁有了對外合作的有效途徑和一批關鍵人才，在國內已具有較明顯的規模優勢和市場競爭力。 2008年江西省光伏產業發展迅速，實現銷售收入128.9億元。另外該省生產的多晶矽片已佔全球總產量的四分之一，龍頭企業賽維2008年的產能超過1400MW。 2009年初，經省政府同意，由江西省發改委牽頭編制的《江西省光伏產業發展規劃》正式下發，為江西光伏產業發展確定了大的方向。規劃中提到，力爭到2012年將江西打造成為全球重要的光伏產業生產基地。按照規劃，未來數年，新余、豐城、南昌產業帶將建成全省光伏產業主要集聚區。 江西豐城工業園集中了國內幾家主要的多晶硅生產企業，目前綜合產能達10000噸以上，其中江西盛豐新能源科技有限公司產能最大，2009年達到1500噸，2010年可達3000噸，預計2012年項目計劃工程完成後，產能將穩定在4000噸以上。 江西盛豐新能源科技有限公司於2008年9月28日注冊成立。公司位於贛江之濱的豐城市豐源工業園，距省會南昌市僅60公里，距昌北機場1小時路程，周邊緊靠105國道、昌樟高速公路，交通便利。 盛豐能源是一家專業從事太陽能級多晶硅研發和生產的企業，擁有一批長期從事電力及硅材料提純生產的協作團隊，其具有自主知識產權的新物理法太陽能級高純硅生產技術，將為國內太陽能電池製造提供高效高純硅料並大幅降低太陽能電池製造成本，成為有別於西門子法高純硅生產技術依靠者，以大力提升光伏發電的競爭力。 江西賽維LDK太陽能高科技有限公司是世界規模最大的太陽能多晶矽片生產企業。工廠坐落於江西省新余市經濟開發區，專注於太陽能多晶硅鑄錠及多晶矽片研發、生產、銷售為一體的高新技術光伏企業，擁有國際最先進的生產技術和設備。公司注冊資金11095萬美元，總投資近3億美元。2006年4月份投產， 7月份產能達到100兆瓦，8月份入選「RED HERRING亞洲百強企業」，10月份產能達到200兆瓦，被國際專業人士稱為「LDK速度奇跡」。榮獲「2006年中國新材料產業最具成長性企業」稱號。 目前公司正致力於發展成為一個「世界級光伏企業」。 2007年6月1日，賽維LDK成功在美國紐約證交所上市，成為中國企業歷史上在美國單一發行最大的一次IPO；賽維LDK是江西省企業有史以來第一次在美國上市的企業，是中國新能源領域最大的一次IPO。 該公司1.5萬噸硅料項目近日已在江西省新余市正式啟動，該項目總固定資產投資120億元以上，預計將成為目前全球太陽能領域單個投資額最多、產能設計規模最大的項目之一。 據悉，該項目計劃首期在2008年底前建成投產，形成6000噸太陽能級硅料的年生產能力；2009年項目全部建成投產後，將形成1.5萬噸產能，從而使該公司成為世界主要的太陽能多晶硅原料生產企業。
編輯本段多晶硅產業發展預測
高純多晶硅是電子工業和太陽能光伏產業的基礎原料，在未來的50年裡，還不可能有其他材料能夠替代硅材料而成為電子和光伏產業主要原材料。 隨著信息技術和太陽能產業的飛速發展，全球對多晶硅的需求增長迅猛，市場供不應求。世界多晶硅的產量2005年為28750噸，其中半導體級為20250噸，太陽能級為8500噸。半導體級需求量約為19000噸，略有過剩；太陽能級的需求量為15600噸，供不應求。近年來，全球太陽能電池產量快速增加，直接拉動了多晶硅需求的迅猛增長。全球多晶硅由供過於求轉向供不應求。受此影響，作為太陽能電池主要原料的多晶硅價格快速上漲。 中國多晶硅工業起步於20世紀50年代，60年代中期實現了產業化，到70年代，生產廠家曾經發展到20多家。但由於工藝技術落後，環境污染嚴重，消耗大，成本高等原因，絕大部分企業虧損而相繼停產或轉產。到目前為止，國內有多晶硅生產條件的單位有洛陽中硅高科技有限公司、峨嵋半導體材料廠（所）、四川新光硅業科技有限責任公司3家企業。 中國集成電路和太陽能電池對多晶硅的需求快速增長，2005年集成電路產業需要電子級多晶硅約1000噸，太陽能電池需要多晶硅約1400噸；到2010年，中國電子級多晶硅年需求量將達到約2000噸，光伏級多晶硅年需求量將達到約4200噸。而中國多晶硅的自主供貨存在著嚴重的缺口，95%以上多晶硅材料需要進口，供應長期受制於人，再加上價格的暴漲，已經危及到多晶硅下游眾多企業的發展，成為制約中國信息產業和光伏產業產業發展的瓶頸問題。 由於多晶硅需求量繼續加大，在市場缺口加大、價格不斷上揚的刺激下，國內涌現出一股搭上多晶硅項目的熱潮。多晶硅項目的投資熱潮，可以說是太陽能電池市場迅猛發展的必然結果，但中國硅材料產業一定要慎重發展，不能一哄而上；關鍵是要掌握核心技術，否則將難以擺脫受制於人的局面。 作為高科技產業，利用硅礦開發多晶硅，產業耗能大，電力需求高。目前電價已成為中國大多數硅礦企業亟待突破的瓶頸之一。因此中國大力發展多晶硅產業，亟需在條件成熟的地方制定電價優惠政策，降低成本。 由於需求增加快速，但供給成長有限，預估多晶硅料源的供應2007年將是最嚴重缺乏的一年，預計到2009年，全世界多晶硅的年需求量將達到6.5萬噸。在未來的3至5年間，也就是在中國的「十一五」期間，將是中國多晶硅產業快速發展的黃金時期。
編輯本段多晶硅行業發展的主要問題
產業化差距
同國際先進水平相比，國內多晶硅生產企業在產業化方面的差距主要表現在以下幾個方面：
產能低 供需矛盾突出
2005年中國太陽能用單晶硅企業開工率在20％－30％，半導體用單 晶硅企業開工率在80％－90％，無法實現滿負荷生產，多晶硅技術和市場仍牢牢掌握在美、日、德國的少數幾個生產廠商中，嚴重製約我國產業發展。
生產規模小
現在公認的最小經濟規模為1000噸/年，最佳經濟規模在2500噸/年，而我國現階段多晶硅生產企業離此規模仍有較大的距離。
工藝設備落後
同類產品物料和電力消耗過大，三廢問題多，與國際水平相比，國內多晶硅生產物耗能耗高出1倍以上，產品成本缺乏競爭力。
其他
4、千噸級工藝和設備技術的可靠性、先進性、成熟性以及各子系統的相互匹配性都有待生產運行驗證，並需要進一步完善和改進。 5、國內多晶硅生產企業技術創新能力不強，基礎研究資金投入太少，尤其是非標設備的研發製造能力差。 6、地方政府和企業項目投資多晶硅項目，存在低水平重復建設的隱憂。 7·產生大量污染。
編輯本段行業發展對策與建議
1、發展壯大我國多晶硅產業的市場條件已經基本具備、時機已經成熟，國家相關部門加大對多晶硅產業技術研發，科技創新、工藝完善、項目建設的支持力度，抓住有利時機發展壯大我國的多晶硅產業。 2、支持最具條件的改良西門子法共性技術的實施，加快突破千噸級多晶硅產業化關鍵技術，形成從材料生產工藝、裝備、自動控制、回收循環利用的多晶硅產業化生產線，材料性能接近國際同類產品指標；建成節能、低耗、環保、循環、經濟的多晶硅材料生產體系，提高我們多晶硅在國際上的競爭力。 3、依託高校以及研究院所，加強新一代低成本工藝技術基礎性及前瞻性研究，建立低成本太陽能及多晶硅研究開發的知識及技術創新體系，獲得具有自主知識產權的生產工藝和技術。 4、政府主管部門加強宏觀調控與行業管理，避免低水平項目的重復投資建設，保證產業的有序、可持續發展。
編輯本段多晶硅太陽能充電器
簡介
多晶硅太陽能充電器是將光能轉換成電能的光電轉換設備. 太陽能充電器的原理是:通過光電轉換板將光能轉換成電能並儲藏在內置的容量為2600mAH的鋰電池裡,然後再通過控制電路將內置鋰電池的電能經過輸出介面給手機,數碼相機,MP3,MP4等產品充電. 在長期無陽光照射的環境下,也可以通過市電(AC100V-240V)給內置的鋰電池充電,適用於出差,旅遊,長途乘車船,野外作業等環境的備用電源.
技術參數
太陽能功率: 0.7W(多晶硅) 市電輸入: AC100V--240V 輸出電壓: DC5V或DC6V(可選) 最大輸出電流: DC300-500mA 內置鋰電池: 2600mAH 產品重量: 110克 產品尺寸: 120X73X10mm 產品顏色: 紅藍銀黑金5種可選
使用說明
為內置鋰電充電:採用市電(交流100V--240V)給內置鋰電池充電時,指示燈顯示為綠紅,約6-7個小時左右可以充滿,指示燈熄滅表示電池已充滿.將太陽能充電器放置於陽光下就可以給內部自帶的電池充電了.紅燈亮表示正在充電,在陽光下約幾小時可以充滿.因陽光強弱而異. 為產品充電的使用方法:內置鋰電池充滿後,就可以給手機,數碼相機,MP3,MP4等數碼產品充電了. 用充電連線將太陽能充電器與手機或數碼相機MP3,MP4等數碼產品連接好就可以充電了.充電時,指示燈顯示綠色,表明充電正常. 產品包裝及附件. 中性彩盒包裝.內裝太陽能充電器1個,電源適配器1條,充電輸出線1條,轉換頭5個(摩托羅拉,三星,諾基亞,西門子,索愛).中英文說明書一頁.
注意事項
內部設有保護電路,當出現過載,短路時保護電路動作,輸出就沒有電壓了,解除保護的方法有二: 1,用市電AC100-240V充電數秒;2 在陽光下曬一下.這樣就可以恢復輸出了.
產品特點
1.特別適用於應急場合 當您在野外作業或旅遊,或者遇到停電時,太陽能充電器將會幫您的大忙,使您的手機隨時隨地保持工作狀態,讓您不間斷的與您的朋友和家人保持聯系. 2.使用方便 無論何時何地,您都可以極為方便的給您的手機或其它數碼產品充電 3.高效率充電 給您的手機充電60分鍾,可以獲得100-150分鍾通話時間 4.環保,節約資源 使用綠色能源太陽能,可為環保作出您的貢獻. 5.外形時尚,攜帶方便 造型簡潔華貴,超薄不銹鋼外殼設計,小巧玲瓏,攜帶方便 6.使用安全 帶有充電過充保護,有效延長您的手機電池的使用壽命,使用安全 7.注意事項:第一次用市電充的時候可能要充久電,因為電池要個激過過程,可能要用上10多個小時,綠燈才會滅.要充上幾次過後,充電時間才可以慢慢縮短.

⑻ 鄂爾多斯冶金有限責任公司與多晶硅公司相比，那個前景和待遇更好一點

多晶硅是污染巨大的產業，並且在全國各地重復建設，在多晶硅廠房長期工作，嚴重者會導致喪失生育能力，冶金吧，估計幾百年內不會倒。

⑼ 多晶硅怎麼提練

目前國際上多晶硅生產主要的傳統工藝有：改良西門子法、硅烷法和流化床法。新一代低成本多晶硅工藝技術研究空前活躍。除了傳統工藝及技術升級外，還涌現出了幾種專門生產太陽能級多晶硅的新工藝技術，主要有：改良西門子法的低價格工藝；冶金法從金屬硅中提取高純度硅；高純度SiO2直接製取；熔融析出法；還原或熱分解工藝；無氯工藝技術，Al－Si溶體低溫制備太陽能級硅；熔鹽電解法等。
多晶硅生產工藝：
1 杜邦法
2 貝爾法
3 西門子法
4 U.C.C法 硅烷法
5 其他
西門子法：氯化SI+HCL---SIHCL3+SICL4
還原SIHCL3+H2---SI+HCL
氫化SICL4+H2---SIHCL3+HCL20
國內外多晶硅生產的主要工藝技術
1，改良西門子法——閉環式三氯氫硅氫還原法
改良西門子法是用氯和氫合成氯化氫，氯化氫和工業硅粉在一定的溫度下合成三氯氫硅，然後對三氯氫硅進行分離精餾提純，提純後的三氯氫硅在氫還原爐內進行CVD反應生產高純多晶硅。
國內外現有的多晶硅廠絕大部分採用此法生產電子級與太陽能級多晶硅。
2，硅烷法——硅烷熱分解法
硅烷是以四氯化硅氫化法、硅合金分解法、氫化物還原法、硅的直接氫化法等方法製取。然後將製得的硅烷氣提純後在熱分解爐生產純度較高的棒狀多晶硅。以前只有日本小松掌握此技術，由於發生過嚴重的爆炸事故後，沒有繼續擴大生產。但美國Asimi和SGS公司仍採用硅烷氣熱分解生產純度較高的電子級多晶硅產品。
3，流化床法
以四氯化硅、氫氣、氯化氫和工業硅為原料在流化床內高溫高壓下生成三氯氫硅，將三氯氫硅再進一步歧化加氫反應生成二氯二氫硅，繼而生成硅烷氣。
製得的硅烷氣通入加有小顆粒硅粉的流化床反應爐內進行連續熱分解反應，生成粒狀多晶硅產品。因為在流化床反應爐內參與反應的硅表面積大，生產效率高，電耗低與成本低，適用於大規模生產太陽能級多晶硅。唯一的缺點是安全性差，危險性大。其次是產品純度
不高，但基本能滿足太陽能電池生產的使用。
此法是美國聯合碳化合物公司早年研究的工藝技術。目前世界上只有美國MEMC公司採用此法生產粒狀多晶硅。此法比較適合生產價廉的太陽能級多晶硅。
4，太陽能級多晶硅新工藝技術
除了上述改良西門子法、硅烷熱分解法、流化床反應爐法三種方法生產電子級與太陽能級多晶硅以外，還涌現出幾種專門生產太陽能級多晶硅新工藝技術。
1）冶金法生產太陽能級多晶硅
據資料報導日本川崎制鐵公司採用冶金法製得的多晶硅已在世界上最大的太陽能電池廠應用，現已形成800噸/年的生產能力，全量供給SHARP公司。
主要工藝是：選擇純度較好的工業硅進行水平區熔單向凝固成硅錠，去除硅錠中金屬雜質聚集的部分和外表部分後，進行粗粉碎與清洗，在等離子體融解爐中去除硼雜質，再進行第二次水平區熔單向凝固成硅錠，去除第二次區熔硅錠中金屬雜質聚集的部分和外表部分，經粗粉碎與清洗後，在電子束融解爐中去除磷和碳雜質，直接生成太陽能級多晶硅。
2）氣液沉積法生產粒狀太陽能級多晶硅
據資料報導以日本Tokuyama公司為代表，目前10噸試驗線在運行，200噸半商業化規模生產線在2005-2006年間投入試運行。
主要工藝是：將反應器中的石墨管的溫度升高到1500℃，流體
三氯氫硅和氫氣從石墨管的上部注入，在石墨管內壁1500℃高溫處反應生成液體狀硅，然後滴入底部，溫度回升變成固體粒狀的太陽能級多晶硅。
3）重摻硅廢料提純法生產太陽能級多晶硅
據美國Crystal Systems資料報導，美國通過對重摻單晶硅生產過程中產生的硅廢料提純後，可以用作太陽能電池生產用的多晶硅，最終成本價可望控制在20美元/Kg