半导体扩散炉管怎么操作
1. 扩散炉废气如何排掉
扩散炉概述:
扩散炉是太阳能电池片形成P-N结的“心脏”,因此扩散炉的质量影响到电池片的电性能。现在太阳能厂家流行的的扩散方式有开管扩散、闭管扩散、软着陆扩散,开管扩散的产量比较低,偏磷酸的用量比较大;闭管扩散工艺过程完全不受外界环境干扰;软着陆扩散是根据现有6-8英寸集成电路扩散设备,而提出的新概念;软着陆扩散工艺质量完全受控;工艺有毒害尾气定向收集、集中处理排放;更加安环保。
排气腔一端与扩散炉本体内腔连通,另一端与废气管相连通,废气管与排气腔连通的一端与隔热包呈插拔配合,且废气管位于扩散炉内腔的部分上设置有废气孔。隔热包顶端开设的透气孔可收集扩散炉内产生的废气和凝集在隔热包上的废液,并使废气和废液通过排气腔进入废气管后排出扩散炉,废气管上的废气孔能将位于低处的废气和产生于低处的费用通过废气管排出扩散炉,整体提高扩散炉的工作效率。
主要技术指标:
方式、数量:左手操作(或右手操作)
硅片尺寸及管路数:156×156方片、125X125方片、三管系统(或四管)
装片数量: 300-400片/每管
净化台洁净度:100级(10000级厂房)
自动化程度:自动控制温度及工艺过程。
送取片方式:悬臂式推拉舟和软着陆式推拉舟
采用SPIKE/PROFILE热偶自动切换控温
工作温度: 800~1200℃
温区精度及长度(静态闭管测试):
800℃<工作温度<1200℃: 1080mm /≤±1℃
400℃≤工作温度≤800℃: 1080mm /≤±2℃
单点温度稳定性(静态闭管测试): ≤±1℃/12h(880℃时)
送料装置技术参数:
速度 100~500mm/min
定位精度: ≤±2mm
SiC浆承载能力: ≥15Kg
型式: 手工装片,高纯碳化硅浆
加速控制特性: 软启动/停止
外形尺寸范围:(单位mm)(长×宽×高) ~6700×1400×2900
控制系统:
设备采用进口智能控制器,对炉温、阀门进行自动控制,用一台工控机作人机界面管理、储存全部工艺时序。每个炉管有一套独立PLC和触摸屏的控制系统。系统采用双保险设计,PLC加工控机。以PLC为主控单元。保证了工艺的顺利完成。即使工艺过程中工控机突然死机,工艺过程仍可通过PLC的控制安全的执行下去.
全中文操作界面,可编辑参数,操作简便。
采用目前最先进的进口温控单元,使设备控温更精确。
可保存多条工艺曲线,每条曲线可设置多步。
工艺曲线的自动运行控制功能。
自动运行中可暂停/继续运行功能。
工艺中可强制跳到下一工艺步运行功能。
智能升降温斜率控制功能。
PID参数自整定功能。
可存储多组PID参数供系统运行调用功能。
系统故障的检测与报警功能。
系统误差修正(单点或多点动态修正功能)。
智能悬臂推拉舟控制功能。
工艺气体的程序控制功能(气动阀/质量流量控制器)。
停电后断点继续运行功能。
计算机的工艺运行窗口设有密码,只有工艺人员或相关管理人员才能修改或调出工艺参数,可防止工艺泄密及操作员工误运行工艺。
气路系统:
整台气路系统包括进口质量流量控制器,优质浮子流量计、接头、过滤器、压力表,管道部分采用耐蚀不锈钢管件。源瓶超压自动泄压保护功能,杜绝爆瓶现象的发生。气体流量由进口质量流量计控制,流量的设定在计算机上进行,其设定值和检测值均可在显示器上实时显示。设备整个气路系统均采用进口产品,保证设备运行的稳定性。扩散源的温度可采用国产恒温控制器控制,控温精度≤±0.5℃。
安全保护与报警:
为了保证设备的安全运行和快速诊断设备故障,设备应具有多种安全联锁装置和故障报警功能。
超温保护:
当炉温超过设定值时,屏幕会显示超温,此时超温报警、讯响、通知操作人员及时处理。当同一个测温点得2个仪表读数相差2℃以上时也发出报警。
极限超温报警:
当炉温由于故障超过报警设定值继续升高,达到极限炉温时,超温的加热器会自动断电。。
断偶保护:
当控制热偶或报警热偶,断开或接触不良时,此时会有超温报警或极限超温报警状态发生。通知操作人员及时排除故障。
极限保护:
在导轨的前后限位开关处还加有极限保护开关,一旦限位开关失效,极限开关即可停止电机运转。
手动急停:
自动进出舟过程中,万一出现限位开关和极限开关均失效的紧急情况,可立即按下急停按钮,舟的运行即刻停止,可避免损坏石英器件及工艺片。
2. 半导体diffusion部门,这个部门怎么样
半导体“扩散来”部门。自
分为扩散工艺技术和扩散设备检测、维修技术两个方面。
扩散工艺技术主要是对半导体芯片进行高温掺杂的操作、控制等工作,需要具备一定的半导体器件和IC的知识。
扩散设备的检测、维修,主要的工作对象是扩散炉及其自动控制装置,需要具备一定的机电、自动控制和少量的半导体技术知识。
如果能够熟悉这两个方面的工作,当然厂方求之不得。
3. 什么是扩散炉
扩散炉是集成抄电路生袭产线前工序的重要工艺设备之一,它的主要用途是对半导体进行掺杂,即在高温条件下将掺杂材料扩散入硅片,从而改变和控制半导体内杂质的类型、浓度和分布,以便建立起不同的电特性区域。虽然某些工艺可以使用离子注入的方法进行掺杂,但是热扩散仍是最主要、最普遍的掺杂方法。硅的热氧化作用是使硅片表面在高温下与氧化剂发生反应,生长一层二氧化硅膜。氧化方法有干氧氧化和水汽氧化(含氢氧合成)两种,扩散炉是用这两种氧化方法制备氧化层的必备设备。扩散炉是半导体集成电路工艺的基础设备,它与半导体工艺互相依存、互相促进、共同发展。
4. 德国centrotherm有没有半导体应用的垂直扩散炉
有,oxidator150 Activator150 verticoo200等,上海驰舰半导体代理。 南京55所有centrotherm 立式扩散炉。
5. 利用扩散炉制备半导体芯片
有关半导体工艺的书籍中都有详细的介绍。 例如:
S.A.Campbell,微电子制造科学原理与工程技术,曾莹等翻译,电子工业出版社,2003
6. 半导体扩散炉管设备工程师 主要做什么工作
没啥事哈,主要是每日打酱油,处理机况等等!
7. 半导体厂辐射大吗,我是干扩散炉管的,长期干会有什么影响吗
应该不会有什么大的辐射吧,电磁辐射,现在到处都是,电磁炉,微波炉,手机。。。。。
8. 半导体 descum是怎么操作的
通氧气,高压电离,用磁控管控制方向,用氧的等离子体来实现descum。很多除胶或灰化的设备都有这个功能,功率不要太大就行。
专业的应该能看懂我说的是什么意思。
9. 请问半导体行业设备中为何用石英,碳化硅,石墨这三种材料来做parts+急~~~
石英材料可以有很高的纯度,半导体方面应用的石英材料,其杂质总量都在版百万分之三十以下权,不会污染被加工的半导体材料。可以做扩散炉管、硅片的转移工具、清洗槽等等。
碳化硅同样可以有很高的纯度,并且耐高温性能优越,可以做扩散炉管,例如圣戈班的碳化硅炉管性能极好,使用寿命超长。
石墨可以有很高的纯度,是电和热的良导体,在隔绝氧气的条件下可以做成优良的电阻发热元件,可以在高温下使用仍保持很高的强度。
这些材料的具体性能,可以查看词条,或在生产厂家的介绍上看到更多具体的数据和内容,这里就不一一详述了。
10. 利用扩散炉制备半导体芯片时所要用到的设备、原材料、大致的工艺参数
大哥,我以为找到了答案呢?原来是一家的