在半导体中有哪些与光有关的跃迁

A. 由锗和砷化镓的吸收光谱判断直接和间接跃迁型半导体

直接跃迁跟间接跃迁很明显吸收光谱不同。直接跃迁应该是刚好等于能级差（或者说禁带宽度），而间接跃迁小于能级差。

B. 间接带系半导体材料的光学跃迁概率怎么算

实验测量或者从态密度~k的图上面做积分，对于同一个k，利用直接跃迁来计算。 间接跃迁的时候考虑声子参与，在价带底到导带顶考虑h(k1-k2)的碰撞概率。

C. 半导体中有哪几种光跃迁过程，影响其跃迁速率有哪些因素

且相干，这部分放出的能量就表现为荧光。
波尔用氢原子轨道理论成功结版识了电子跃迁。该理论权假设氢原子电子在某些特定的轨道上运行，每个轨道对应着一个能级，且能级是分离的。在外界光子的激发下，电子可以从低能级跃迁到高能级，也叫做受激辐射，其中入射光子的能量必须要大于或者等于两轨道能级绝对值之差。同时合适的光子入射下，原子电子也可以从高能级跃迁到低能级，同时放出一个光子，该光子能量与入射光子能量相同电子跃迁 电子跃迁就是指原子的外层电子从低能轨道转移到高能轨道，或者从高能轨道转移到低能轨道，在没有外界激励的情况下电子处在平衡状态下，再有外界激励下，电子平衡被打破，如果电子吸收光子能量则会跳跃到离原子核更远的轨道上（光子能量大于或等于两轨道能及之差），但这样的电子不稳定，容易放出能量而返回原来的轨道。除此之外，原子内部电子也可以自发的从高能级跃迁到低能级。转移过程中会吸收或者放出一个光子，该光子能量为两个轨道能量之差的绝对值，或者从低能级跃迁到高能级，不过这种过程处于静态平衡之中。电子跃迁分为自发跃迁和受激跃迁，这是激光产生的基本原理

D. 半导体的辐射跃迁有哪几种各自的定义与特点是什么

半导抄体的辐射跃迁有哪几种各自的定义与特点是什么
1,自发辐射跃迁,此跃迁随机发生,随遇而安,跃迁从高能级向低能级,跃迁到的最终能级不一定,发出光波长,波列长度不一,相干性差,是常见最最普通的跃迁方式.
2,吸收跃迁,此跃迁从低能级到高能级,吸收其他诸如光电力热的能量,使得电子像高能级跃迁,但是跃迁到的最终能级取决于吸收的能量的大小.
3,手机辐射跃迁,此跃迁也是在受到能量激励后,并不吸收能量,电子从高能级向低能级跃迁,跃迁的最终能级,取决于受到激励的能量,放出一个光子,与原光子同频同振幅同相位,相干性特别好,是激光的产生激励!

E. 源于半导体中的直接跃迁和间接跃迁：在k空间中，能量是波矢k的函数，如何理解k空间

晶体电子不是真空中的自由电子，具有波动性，则其状态不能简单地内采用坐标和动量来表征，而容可以采用所谓波矢——晶体动量k来表征。由k的三个分量（kx、ky、kz）所构成的空间就是所谓k空间，该空间与正常空间的量纲是互逆的，故k空间是倒易空间，即正格子空间的倒空间；k空间中的一个代表点就对应电子的一个状态。
晶体电子的状态数目是有限的，其数目就等于k空间中一个原胞中代表点的数目；这个倒易空间的原胞就称为Bullouin区。
由于晶体电子是处于能带的状态。对于一个能带，每一个波矢k就代表该能带中电子的一种状态，对应有相应的一个能量本征值（一条能级）。而晶体有很多高低不同的能带，故一个k就对应于不同能带中的不同能级，即具有多个能量本征值。
所以，对于一个晶体电子所处的状态，需要指明它是属于哪一个能带、哪一个波矢k，这才是一种完整的表述。

F. 什么叫本征激发温度越高，本征激发的载流子越多，为什么

1、本征激发是由于半导体材料内部运动，导致有部分电子脱离共价键的束缚，形成了“自由电子”，使半导体材料内载流子浓度变化的激发过程。

2、本征激发中半导体材料内部运动和温度、光照等外界因素有关，温度（光照等）越高，分子运动越激烈，越有利于电子脱离共价键，因而被激发出来的“自由电子”越多，载流子浓度也越高。

3、一般来说，半导体中的价电子不完全像绝缘体中价电子所受束缚那样强，如果能从外界获得一定的能量(如光照、温升、电磁场激发等)，一些价电子就可能挣脱共价键的束缚而成为近似自由的电子（同时产生出一个空穴）。

4、这是一种热学本征激发，所需要的平均能量就是禁带宽度。本征激发还有其它一些形式。如果是光照使得价电子获得足够的能量、挣脱共价键而成为自由电子，这是光学本征激发（竖直跃迁）。

5、这种本征激发所需要的平均能量要大于热学本征激发的能量——禁带宽度。如果是电场加速作用使得价电子受到高能量电子的碰撞、发生电离而成为自由电子，这是碰撞电离本征激发；这种本征激发所需要的平均能量大约为禁带宽度的1.5倍。

(6)在半导体中有哪些与光有关的跃迁扩展阅读：

分子电子跃迁：

1、分子电子跃迁表示分子中价电子从一个能级因为吸收能量时，跃迁到一个更高的能级；或者释放能量，跃迁到更低的能级的过程。如果起始能级的能量比最终能级的能量高，原子便会释放能量（通常以电磁波的形式发放）。

2、相反，如果起始能级的能量较低，原子便会吸收能量。释放与吸收的能量等于这两个能级的能量之差。在此过程中的能量变化提供了分子结构的信息，并决定了许多分子性质如颜色。有关电子跃迁的能量和辐射频率的关系由普朗克定律决定。

3、一般，我们应用电子跃迁来说明单个原子。当讨论多原子分子时，我们应用分子轨道理论。也可以视单个原子为单原子分子，将各种情况的电子跃迁统一到分子电子跃迁的框架下来。这里的能级是基于分子轨道理论提出的。

G. 半导体的光吸收跃迁

由于半导体吸收了光的能量使得本来处于价带的电子获得足够的能量跃迁到导带。从而使半导体的电阻急剧变小。

H. 在半导体中有哪几种与光相关的跃迁

这个不是很清楚、

I. 半导体中有哪些基本的光吸收过程每一个过程中电子是怎样跃迁的

这个和电子能带之间的能量差异有关
假如某种原子两个电子轨道的能量差刚好是E而这个光谱的能量hV正好和E相等那么这个光谱就能被该原子吸收
电子吸收光谱hV的能量后就脱离原子核的束缚跑到其他的轨道上。

J. 半导体中有哪些基本的光吸收过程每一个过程中电子是怎样跃迁的第一问可以不答，我有的是第二问。

光入射到半导体来后，光子源能和晶格作用，并将其能力转换为焦耳热；也能够和杂质、施主或受主及半导体内部缺陷作用。可是光子最容易的还是和价电子作用。
光子能量E=hν，当光子能量小于半导体禁带宽度的时候，光会穿透物质，此时半导体表现为透明状。当光子能量大于半导体禁带宽度时，光子能和价电子作用，把电子激发到导带。在价带留一个空穴，在导带产生一个电子。光子大于半导体禁带宽度的能量转换为电子或空穴的动能，在半导体中将以焦耳热的形式散失掉。