半导体电子迁移率一般是多少

① 本征半导体与n型半导体的多子迁移率怎么比较

要看不同的材料的，ge的还si的是不同的，而且要看掺杂浓度的。一般来讲本征硅电子迁移率在1350cm^2/v*s 本征锗电子迁移率在3800cm^2/v*s左右。

② 半导体的电子迁移率的作用是什么

决定导电能力的强弱

③ 半导体的迁移率比金属高，为什么金属导电性更好

半导体的迁移率比金属高，但内部会感应出反向电荷，出现电位移，形成逆向场。而金属导体内部场强处处相等，宏观上电流比半导体强，所以金属导电性更好。
迁移率代表电子定向运动的速度，而不是电流强度。

④ 分析本征半导体电阻率与载流子浓度迁移率和温度有什么关系

决定 电阻率温度关系的主要因素是载流子浓度和迁移率随温度的变化版关系。
在低温下：权由于 载流子浓度指数式增大（施主或 受主杂质不断电离），而迁移率也是增大的（电离杂质散射作用减弱之故），所以这时 电阻率随着温度的升高而下降。
在 室温下：由于施主或 受主杂质已经完全电离，则 载流子浓度不变，但迁移率将随着温度的升高而降低（ 晶格振动加剧，导致 声子散射增强所致），所以 电阻率将随着温度的升高而增大。
在 高温下：这时 本征激发开始起作用，载流子浓度将指数式地很快增大，虽然这时迁移率仍然随着温度的升高而降低（ 晶格振动散射散射越来越强），但是这种迁移率降低的作用不如载流子浓度增大的强，所以总的效果是 电阻率随着温度的升高而下降。

⑤ 掺杂的砷化镓半导体中电子的迁移率在杂质浓度很小和很大是如何随温度变化

在掺在浓度较低时，电子迁移率随温度的升高迅速减小，此时晶格散回射其主要作用；当杂质浓答度增加，迁移率下降趋势就不太显著，说明杂质散射机构的影响在增加；当掺杂浓度很高时候，在低温范围，随温度的升高，电子迁移率反而缓慢上升，到一定温度才下降，即温度低时杂质散射其主要作用，温度高时晶格振动散射为主。
参考 半导体物理学 刘恩科编写

⑥ si，ge，gaas，gan，sic等半导体材料的禁带宽度和电子迁移率各是多少

^禁带宽度：1.12, 0.66, 1.42, 3.44 6H- SiC:3, 4H- SiC:3.25, 3C-SiC:2.3 (eV)
电子迁移率: 1350, 3800, 8000, 2000，3000左右版 (cm^权2/(V·s))

⑦ N型半导体 电子迁移率

要看不同的材料的，ge的还si的是不同的，而且要看掺杂浓度的。一般来讲本征硅电子迁移率在1350cm^2/v*s 本征锗电子迁移率在3800cm^2/v*s左右。

⑧ 在半导体物理中电子的迁移率与哪些因素有关

在半导体物理中电子的迁移率与哪些因素有关
迁移率和单位载流子的电荷量、载流子的平均自由时间和载流子有效质量有关.迁移率=电荷量乘自由时间除有效质量.平均自由时间是指载流子受晶格两次散射中间的时间,即外电场下自由加速的时间

⑨ 为什么半导体掺杂后载流子浓度和迁移率随掺杂浓度同时升高或降低

温度.导体在任何温度下,都将遵从
热平衡条件：np=ni2.因此多数载流子与少
数载流子是相互制约着回的.多数载流子主要答
来自于掺杂,而少数载流子都来自于本征激
发（属于本征载流子）.当通过掺杂、增大
多数载流子浓度时,则多数载流子与少数载
流子相互复合的机会增加,将使得少数载流
子浓度减小；当升高温度,少数载流子浓度
将指数式增大,并且它与多数载流子相互复
合的机会也增加,仍然维持着热平衡关系.
在温度不是很高时,增加的本征载流子浓度
将远小于掺杂所提供的多数载流子浓度,因
此对于多数载流子而言,可以认为其浓度基
本上就等于掺杂浓度,与温度的关系不大.
当然,在温度高到使得本征载流子浓度增大
到等于或大于多数载流子浓度时,就变成以
本征载流子导电为主的半导体了,即为本征
半导体,这时掺杂的贡献即可忽略了.

⑩ 半导体的迁移率

为了解决半导体中的导电的问题，必须知道电子的两方面的知识。一个是电子的浓度分布，一个是电子运动的速度。而迁移率就是电子运动速度的标识。具体的就是书上的公式，在推到中定义的。