pn型半导体用什么材料

『壹』 什么是n型半导体什么是p型半导体它们是怎样形成的帮我回答，谢谢。

一、N型半导体

N型半导体也称为电子型半导体，即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。

形成原理

掺杂和缺陷均可造成导带中电子浓度的增高. 对于锗、硅类半导体材料，掺杂Ⅴ族元素，当杂质原子以替位方式取代晶格中的锗、硅原子时，可提供除满足共价键配位以外的一个多余电子，这就形成了半导体中导带电子浓度的增加，该类杂质原子称为施主. Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的施主往往采用Ⅳ或Ⅵ族元素. 某些氧化物半导体，其化学配比往往呈现缺氧，这些氧空位能表现出施主的作用，因而该类氧化物通常呈电子导电性，即是N型半导体，真空加热，能进一步加强缺氧的程度。

二、P型半导体

P型半导体一般指空穴型半导体，是以带正电的空穴导电为主的半导体。

形成

在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P型半导体。在P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电。由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故P型半导体呈电中性。空穴主要由杂质原子提供，自由电子由热激发形成。

(1)pn型半导体用什么材料扩展阅读

特点：

（一）、N型半导体

由于N型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故N型半导体呈电中性。自由电子主要由杂质原子提供，空穴由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能就越强。

（二）、P型半导体

掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能就越强。

『贰』 P型半体带什么电，N型半导体带什么电。

不论是p型还是n型，虽然它们都有一种载流子占多数，但是整个晶体仍然是不带电的。望采纳，谢谢

『叁』 哪些是常见的N型、及P型半导体材料

象锗,硅,砷化镓都是半导体材料,
象硅在注入离子时,所注入的离子将决定了他的N型还是P型
以为所注入的离子决定了他是电子导电还是空穴导电

『肆』 N型.P型半导体中的载流子各是什么

P型半导体：在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了P型半导体。

多数载流子：P型半导体中，空穴的浓度大于自由电子的浓度，称为多数载流子，简称多子。

少数载流子：P型半导体中，自由电子为少数载流子，简称少子。

N型半导体：在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置形成N型半导体。

多子：N型半导体中，多子为自由电子。

少子：N型半导体中，少子为空穴。

(4)pn型半导体用什么材料扩展阅读：

N型半导体的特点：

半导体中有两种载流子，即价带中的空穴和导带中的电子，以电子导电为主的半导体称之为N型半导体，与之相对的，以空穴导电为主的半导体称为P型半导体。

“N”表示负电的意思，取自英文Negative的第一个字母。在这类半导体中，参与导电的 (即导电载体) 主要是带负电的电子，这些电子来自半导体中的施主。凡掺有施主杂质或施主数量多于受主的半导体都是N型半导体。例如，含有适量五价元素砷、磷、锑等的锗或硅等半导体。

由于N型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故N型半导体呈电中性。自由电子主要由杂质原子提供，空穴由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能就越强。

P型半导体的特点：

半导体中有两种载流子：导带中的电子和价带中的空穴。 如果某一类型半导体的导电性主要依靠价带中的空穴，则该类型的半导体就称为P型半导体。

“P”表示正电的意思，取自英文Positive的第一个字母。在这类半导体中，参与导电的 (即电荷载体) 主要是带正电的空穴，这些空穴来自半导体中的受主。因此凡掺有受主杂质或受主数量多于施主的半导体都是p型半导体。例如，含有适量三价元素硼、铟、镓等的锗或硅等半导体就是P型半导体。

由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故P型半导体呈电中性。空穴主要由杂质原子提供，自由电子由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能就越强。

『伍』 为什么霍尔元件多采用N型半导体材料制作

霍尔效应是一种磁敏效应，一般在半导体薄片的长度X方向上施加磁感专应强度为B的磁场，则在属宽度Y方向上会产生电动势UH，这种现象即称为霍尔效应。UH称为霍尔电势，其大小可表示为：
UH=RH/d*IC*B
（1）
式中，RH称为霍尔系数，由导体材料的性质决定；d为导体材料的厚度，IC为电流强度，B为磁感应强度。
设RH/d=K，则式（1）可写为：
UH=K*IC*B
(2)
可见，霍尔电压与控制电流及磁感应强度的乘积成正比，K称霍尔系数。K值越大，灵敏度就越高；元件厚度越小，输出电压也越大。
霍尔系数:K=1/(n*q)式中，n为载流子密度，一般金属中载流子密度很大，所以金属材料的霍尔系数系数很小，霍尔效应不明显；而半导体中的载流子的密度比金属要小得多，所以半导体的霍尔系数系数比金属大得多，能产生较大的霍尔效应，故霍尔元件不用金属材料而是用半导体。而在半导体材料中，N型半导体材料的载流子迁移率比P型半导体材料大，所以霍尔元件多采用N型半导体材料制作。
希望对你有所帮助。

『陆』 P型半导体和N型半导体是怎么得来的

先介绍本真半导体

本真半导体就是纯净的硅或者锗形成的半导体，但是这类半导体没多大用，因为其载流子浓度低，导电能力很差（其导电能力其实是由电子-空穴对表现出来的，电子离开原来的位置后，原来的位置就成为了空穴），于是人们就想出了参杂。

如果往硅里面参杂3价元素硼，那么可以得到P型半导体，这是为什么呢？

记住参杂的是原子，整块材料是电中性的。当参杂磷原子进去时，磷是元素周期表中15号元素，外围5个电子，而硅外围4个电子，但是磷只能和硅形成4个共价键。这就导致了还剩一个磷的电子落单，它很不稳定，动不动就离家出走，留下空穴。每参杂一个磷原子，便会有一个单身磷电子（对，就是这么可怜），所以整块材料中电子成为多数，空穴成为少数（空穴只在电子离家出走的时候形成），电子为多数载流子就叫N（negetive)型半导体.

反之，你可以类比P（positive )型半导体.

『柒』 p型半导体和n型半导体的区别 怎样形成的

如果杂质是周期表中第Ⅲ族中的一种元素，例如硼或铟，它们的专价电子带都只有属三个电子，并且它们传导带的最小能级低于第Ⅳ族元素的传导电子能级。因此电子能够更容易地由锗或硅的价电子带跃迁到硼或铟的传导带。在这个过程中，由于失去了电子而产生了一个正离子，因为这对于其它电子而言是个“空位”，所以通常把它叫做“空穴”，而这种材料被称为“P”型半导体。在这样的材料中传导主要是由带正电的空穴引起的，因而在这种情况下电子是“少数载流子”。
如果掺入的杂质是周期表第V族中的某种元素，例如砷或锑，这些元素的价电子带都有五个电子，然而，杂质元素价电子的最大能级大于锗（或硅）的最大能级，因此电子很容易从这个能级进入第Ⅳ族元素的传导带。这些材料就变成了半导体。因为传导性是由于有多余的负离子引起的，所以称为“N”型半导体。也有些材料的传导性是由于材料中有多余的正离子，但主要还是由于有大量的电子引起的，因而（在N型材料中）电子被称为“多数载流子”。