带隙宽度多少为半导体

① 半导体的禁带宽度大小对它的用途有何影响请举例说明

禁带宽度对于半导体器件性能的影响非常大，它直接决定着器件的耐压和专最高工作温度；比属如氮化镓禁带宽度很大，即便高温价带电子也很难吸收大于Eg的热辐射的能量跳变到导带，这样就能继续发挥半导体作用，同理因为跃迁能量较大，所以GaN更难被击穿，因此常用作高压耐高温器件，也有很高的抗辐射性能。

另一方面，通过掺杂调节禁带宽度可以制作高电子迁移率晶体管（HEMT，High Electron Mobility Transistor）。这种器件及其集成电路都能够工作于超高频（毫米波）、超高速领域，原因就在于它采用了异质结及其中的具有很高迁移率的所谓二维电子气来工作的；而高迁移率的原因部分在于禁带宽度不同的半导体组成异质结。
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② 什么是直接带隙宽禁带半导体

倒带极小值，价带极大值对应于相同的波矢，是直接带隙半导体，那宽禁带就是禁带很宽的直接带隙半导体

③ 什么叫零带隙半导体

这说的是石墨烯 半导体有导带，禁带，价带。。。 所谓零带隙就指的是禁带宽度为零

④ 如何由禁带宽度判断是导体还是半导体

一般材料可分为绝缘体与导体，主要是因为物质内部电子分布在不同的能带(energy band)；可让专电子自属由移动的能带称为电导带(conction band)，除非电导带内有电子活动，物质将无法经由电子来传导电流，其它能带的电子必须克服能量障碍跃升至电导带，方可成为导电电子，非导体即因这能量障碍太大，电子无法跳跃至电导带，以至成为绝缘体；至於半导体(semiconctor)，其能量障碍不是很大，介於绝缘体与导体之间，在高温或适量地加入一些可减小能量障碍的元素，如硼或磷，便可减小电阻值，成为导电体。

⑤ 纳米半导体ZnS的带隙（能隙）是多少上下值各是多少

ZnS是一种直接抄带隙的半袭导体材料，具有闪锌矿和纤锌矿两种结构，禁带宽度为3.6～3.8eV，它具有良好的光电性能，广泛应用于各种光学和光电器件中，如薄膜电致发光显示器件、发光二极管、紫外光探测器件、太阳能电池等。传统的化合物薄膜太阳能电池，一般采用化学浴法制备的CdS薄膜作为缓冲层材料，并且已经获得了较高的电池转换效率。后来人们逐渐意识到CdS是一种对环境和人体有害的材料，要研究制备无污染的太阳能电池就该寻找新的材料作为替代。在以后的研究中人们慢慢发现ZnS是替代CdS的良好的材料。首先，ZnS不含任何有毒元素，满足了人们环保的要求；其次，ZnS(3.6～3.8eV)的禁带宽度比CdS(2.4eV)大得多，用它作缓冲层材料可以使更多的短波区的光照射到吸收层上，有利于获得蓝光区的光谱响应，提高太阳能电池的转换效率。Cu(InGa)Se2／ZnS结构电池转换效率已经达到18.6％，而CuInS2／ZnS结构电池转换效率也已达到了10.7％。（CuInS2是I-III-vI）族化合物中最理想的吸收层材料，其理论光电转换效率为27％--32％）希望你能满意！

⑥ si，ge，gaas，gan，sic等半导体材料的禁带宽度和电子迁移率各是多少

^禁带宽度：1.12, 0.66, 1.42, 3.44 6H- SiC:3, 4H- SiC:3.25, 3C-SiC:2.3 (eV)
电子迁移率: 1350, 3800, 8000, 2000，3000左右版 (cm^权2/(V·s))

⑦ 半导体物理中，能带宽度与禁带宽度的区别是什么

1、概念不同：

能带宽度：为价带和导带的宽度，即电子能量分裂的一个个密集能级组成的宽度。禁带宽度：为导带和价带的间距。能带宽度就是通电的能力，禁带宽度就是组电的能力。

2、所含电子不同：

能带：是用量子力学的方法研究固体内部电子运动的理论。始于20世纪初期，在量子力学确立以后发展起来的一种近似理论。

它曾经定性地阐明了晶体中电子运动的普遍特点，并进而说明了导体与绝缘体、半导体的区别所在，解释了晶体中电子的平均自由程问题。

禁带宽度：是指一个能带宽度，固体中电子的能量是不可以连续取值的，而是一些不连续的能带，要导电就要有自由电子存在，自由电子存在的能带称为导带（能导电），被束缚的电子要成为自由电子，就必须获得足够能量从而跃迁到导带，这个能量的最小值就是禁带宽度。

例如：锗的禁带宽度为0.66ev；硅的禁带宽度为1.12ev；砷化镓的禁带宽度为1.46ev。‘

(7)带隙宽度多少为半导体扩展阅读：

结构

固体材料的能带结构由多条能带组成，能带分为传导带（简称导带）、价电带（简称价带）和禁带等，导带和价带间的空隙称为能隙。

能带结构可以解释固体中导体、半导体、绝缘体三大类区别的由来。材料的导电性是由“传导带”中含有的电子数量决定。当电子从“价带”获得能量而跳跃至“传导带”时，电子就可以在带间任意移动而导电。

⑧ 请问二氧化锰的禁带宽度是多少

不同晶型的二氧化锰半导体性能有所不同，以α型活性最差，γ型专活性最好，β型次之。此属外，能影响能级的因素也能影响禁带宽度。比如轨道重叠，原子间距的变化，都能影响禁带的宽度。
文献显示，β型为0.26eV、γ型为0.58~0.7eV。劝楼主多找专业人士或是专业书籍查询这些问题，还有多查外文文献。

⑨ 半导体作沟道,带隙多少合适

1.2eV～3.9eV，是半导体的定义，但是现代发展已经不限于此，比如石墨烯的高速高频低功耗半导体就只有0.3～0.7eV，而蓝光led禁带是4.1，军用的抗干扰半导体是4.7～5eV。

⑩ 半导体能带隙数值 能说明半导体导电能力强弱么

一般来说宽度的大小能够决定本征载流子的浓度，从而决定了电阻率，也就是导电能力强弱wuxm0618(站内联系TA)只能说明本征材料的导电能力很弱，在有杂质或者缺陷的情况下可能还是有好的导电性能。混沌学徒(站内联系TA)带隙越窄越接近金属吧，越宽就越接近绝缘体回归2011(站内联系TA)紫外漫反射边通过F(R)hv2对hv作图，通过紫外可以测试半导体的带隙，这种称之为光学带隙，一般论文里都是这样做的。
而氧化铜确实是一种半导体薄膜。氧化亚铜也是。均可以作为薄膜太阳能电池材料，尽管效率比较低。