半导体k等于多少钱
⑴ 半导体物理里面有效质量里面波数k＝0位于能带底还是能带顶能随便设吗
E(0)是指波矢k=0状态的能量。若E(0)是导带底，则其它任何k态的能量E(k)，都必将大于E(0)，即有E(k)>E(0)；若E(0)是价版带顶的能量，权则其它任何k态的能量E(k)，都必将小于E(0)，即有E(k)
⑵ k3569 是什么
是开关电源场效应管。
场效应管的工作原理：
在二极管加上正向电压（P端接正极，N端接负极）时，二极管导通，其PN结有电流通过。这是因为在P型半导体端为正电压时，N型半导体内的负电子被吸引而涌向加有正电压的P型半导体端。
而P型半导体端内的正电子则朝N型半导体端运动，从而形成导通电流。同理，当二极管加上反向电压（P端接负极，N端接正极）时。
这时在P型半导体端为负电压，正电子被聚集在P型半导体端，负电子则聚集在N型半导体端，电子不移动，其PN结没有电流通过，二极管截止。
场效应管栅极上时，由于电场的作用，此时N型半导体的源极和漏极的负电子被吸引出来而涌向栅极，但由于氧化膜的阻挡，使得电子聚集在两个N沟道之间的P型半导体中。
从而形成电流，使源极和漏极之间导通。也可以想像为两个N型半导体之间为一条沟，栅极电压的建立相当于为它们之间搭了一座桥梁，该桥的大小由栅压的大小决定。
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场效应管组成的应用电路的工作过程：
电路将一个增强型P沟道MOS场效应管和一个增强型N沟道MOS场效应管组合在一起使用。当输入端为低电平时，P沟道MOS场效应管导通，输出端与电源正极接通。
当输入端为高电平时，N沟道MOS场效应管导通，输出端与电源地接通。在该电路中，P沟道MOS场效应管和N沟道MOS场效应管总是在相反的状态下工作，其相位输入端和输出端相反。
通过这种工作方式我们可以获得较大的电流输出。同时由于漏电流的影响，使得栅压在还没有到0V。
通常在栅极电压小于1到2V时，MOS场效应管既被关断。不同场效应管其关断电压略有不同。也正因为如此，使得该电路不会因为两管同时导通而造成电源短路。
⑶ 题图4-14所示半导体放大简化电路。求AB左侧的诺顿等效电路，并计算电压增益K=Uo/Ui。
4-14这个电路有问题，电压源被短路了，没有电压源，哪里的电流I
⑷ 三极管K2370是什么意思
三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。
三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
中文名
三极管
外文名
Bipolar Junction Transistor
别名
晶体三极管
发明时间
1947年
材料
半导体
快速
导航
发展历史
工作原理
产品分类
产品参数
判断类型
结构类型
产品作用
工作状态
产品判别
放大电路
产品符号
产品命名
选型替换
测判口诀
基本释义
三极管[1] （也称晶体管）在中文含义里面只是对三个引脚的放大器件的统称，我们常说的三极管，可能是 如图所示的几种器件。
可以看到，虽然都叫三极管，其实在英文里面的说法是千差万别的，三极管这个词汇其实也是中文特有的一个象形意义上的的词汇。
“Triode”（电子三极管）这个是英汉词典里面 “三极管” 的唯一英文翻译，与电子三极管初次出现有关，是真正意义上的三极管这个词最初所指的物品。其余的在中文里称作三极管的器件，实际翻译时不可以翻译成Triode。
电子三极管 Triode （俗称电子管的一种）
双极型晶体管 BJT （Bipolar Junction Transistor）
J型场效应管 Junction gate FET（Field Effect Transistor）
金属氧化物半导体场效应晶体管 MOS FET ( Metal Oxide Semi-Conctor Field Effect Transistor)英文全称
V型槽场效应管 VMOS （Vertical Metal Oxide Semiconctor ）
注：这三者看上去都是场效应管，其实金属氧化物半导体场效应晶体管 、V型槽沟道场效应管 是 单极（Unipolar）结构的，是和 双极（Bipolar）是对应的，所以也可以统称为单极晶体管（Unipolar Junction Transistor）。
其中J型场效应管是非绝缘型场效应管，MOS FET 和VMOS都是绝缘型的场效应管。
VMOS是在 MOS的基础上改进的一种大电流，高放大倍数（跨道）新型功率晶体管，区别就是使用了V型槽，使MOS管的放大系数和工作电流大幅提升，但是同时也大幅增加了MOS的输入电容，是MOS管的一种大功率改进型产品，但是结构上已经与传统的MOS发生了巨大的差异。VMOS只有增强型的而没有MOS所特有的耗尽型的MOS管。
发展历史
1947年12月23日，美国新泽西州墨累山的贝尔实验室里，3位科学家——巴丁博士、布莱顿博士和肖克莱博士在紧张而又有条不紊地做着实验。他们在导体电路中正在进行用半导体晶体把声音信号放大的实验。3位科学家惊奇地发现，在他们发明的器件中通过的一部分微量电流，竟然可以控制另一部分流过的大得多的电流，因而产生了放大效应。这个器件，就是在科技史上具有划时代意义的成果——晶体管。因它是在圣诞节前夕发明的，而且对人们未来的生活发生如此巨大的影响，所以被称为“献给世界的圣诞节礼物”。这3位科学家因此共同荣获了1956年诺贝尔物理学奖。
[2] 新研究发现，在晶体管电子流出端的衬底外，沉积一层对应材料，能形成一个半导体致冷P-N结构，因为N材料的电子能级低，P材料的电子能级高，当电子流过时，需要从衬底吸入热量，这就为晶体管核心散热提供一个很好的途径。因为带走的热量会与电流的大小成正比例，业内也称形象地把这个称为“电子血液”散热技术。
⑸ 急求答案 ，用256K*8位的FLASH存储芯片组成1M*16位的半导体只读存储器,
用256K＊8位的FLASH存储芯片组成1M＊16位的半导体只读存储器，需要8片FLASH存储芯回片。
1M＊16位的答半导体只读存储器＝1024K＊8位的半导体只读存储器。因此1024K＊8位／（256K＊8位）＝8片。
计算机存储单位用字节(Byte)、千字节(KB)、兆字节(MB)、吉字节(GB)、太字节(TB)、拍字节(PB)、艾字节(EB)、泽它字节(ZB)、尧它字节(YB)表示。换算关系是：1KB=1024B，1MB=1024KB，1GB=1024MB，1TB=1024GB，1PB=1024TB，1EB=1024PB，1ZB=1024EB，1YB=1024ZB。
(5)半导体k等于多少钱扩展阅读：
半导体只读存储器所存数据,一般是在装入整机前事先写好的。整机工作过程中只能从只读存储器中读出事先存储的数据，而不象随机存储器那样能快速地、方便地加以改写。写入速度比较慢，每位写入速度约需几十至几百毫秒，写完整片存储器需要几十到几百秒。
由于 ROM所存数据比较稳定、不易改变、即使在断电后所存数据也不会改变；其次，它的结构也比较简单，读出又比较方便，因而常用于存储各种固定程序和数据。
⑹ 1MΩ等于多少KΩ
1MΩ=1000kΩ
KΩ表示的是：千欧，MΩ表示的是兆欧，他们之间的进率为1000，,换算关系是：1TΩ=1000GΩ；Ω=1000MΩ；1MΩ=1000KΩ；1KΩ=1000Ω
Ω是电阻的单位，叫做欧姆，简称欧，欧姆的定义是一段电路的两端电压为1V，通过的电流为1A时，这段电路的电阻为1Ω。1Ω=1V/A。比较大的单位有千欧（kΩ）、兆欧（MΩ）（兆=百万，即100万）。
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电阻是描述导体导电性能的物理量，用R表示。电阻由导体两端的电压U与通过导体的电流I的比值来定义，即R=U/I。所以，当导体两端的电压一定时，电阻愈大，通过的电流就愈小; 反之，电阻愈小，通过的电流就愈大。
因此，电阻的大小可以用来衡量导体对电流阻碍作用的强弱，即导电性能的好坏。电阻的量值与导体的材料、形状、体积以及周围环境等因素有关。
欧姆是电阻的国际单位，它以等于109CGSM电阻的欧姆作为基础，用恒定电流在融冰温度时通过质量为14.4521克、长度为106.3厘米、横截面恒定的水银柱受到的电阻。
欧姆定律的简述是：在同一电路中，通过某段导体的电流跟这段导体两端的电压成正比，跟这段导体的电阻成反比。
该定律是由德国物理学家乔治·西蒙·欧姆1826年4月发表的《金属导电定律的测定》论文提出的。
网络-电阻
网络-欧姆
网络-欧姆定律
⑺ 下列元素都能做半导体材料的是A,si k B,c Al C,si Ge D,As S e 要思路
半导体材料主要就是指4族元素
也就是C碳
Si硅
Ge锗
Sn锡
Pb铅
然后你自己对照每个选项
就发内现只有c是符合的
根据这容个题你要记下半导体材料也就是4族材料的所有元素符号
可以的话把汉字也背下来
不要看二楼的答案
是应用领域
等将来学到大学了才会接触到
希望对你有点帮助还
⑻ 1MΩ等于多少KΩ
1MΩ=1000kΩ
KΩ表复示的制是：千欧，MΩ表示的是兆欧，他们之间的进率为1000，,换算关系是：1TΩ=1000GΩ；1GΩ=1000MΩ；1MΩ=1000KΩ；1KΩ=1000Ω
Ω是电阻的单位，叫做欧姆，简称欧，欧姆的定义是一段电路的两端电压为1V，通过的电流为1A时，这段电路的电阻为1Ω。1Ω=1V/A。比较大的单位有千欧（kΩ）、兆欧（MΩ）（兆=百万，即100万）。
(8)半导体k等于多少钱扩展阅读
电阻与欧姆的关系
1、容易导电的物体叫导体，如铅笔芯、金属、人体、大地等；不容易导电的物体叫绝缘体，如橡胶、塑料、陶瓷等。导电能力介于两者之间的叫半导体，如硅金属等。
2、导体对电流的阻碍作用叫电阻，用R表示，国际制单位的主单位是欧姆，简称欧，符号是Ω。常用单位有千欧（KΩ）和兆欧（MΩ），1MΩ=103KΩ=106Ω。
3、影响电阻大小的因素有：材料；长度；横截面积；温度。电阻是导体本身的一种特性，它不会随着电压、电流的变化而变化。
⑼ N,F,Na,Mg,Al,siCl,Ar,K,Br可作半导体材料的元素是
是Si，硅。
半导体的导抄电性能比导体差而比绝缘体强。实际上，半导体与导体、绝缘体的区别在不仅在于导电能力的不同，更重要的是半导体具有独特的性能（特性）。
在纯净的半导体中适当地掺入一定种类的极微量的杂质，半导体的导电性能就会成百万倍的增加—-这是半导体最显著、最突出的特性。
硅原子的核外电子第一层有2个电子，第二层有8个电子，达到稳定态。最外层有4个电子即为价电子，它对硅原子的导电性等方面起着主导作用。硅晶体中没有明显的自由电子，能导电，但导电率不及金属，且随温度升高而增加，具有半导体性质。
纯硅的电阻率为214×1000欧姆/厘米，几乎是不导电的。但若掺入百万分之一的硼元素，电阻率就会减小到0.4欧姆/厘米。因此，人们可以给半导体掺入微量的某种特定的杂质元素，精确控制它的导电能力，用以制作各种各样的半导体器件。
以上元素中，除了硅外都不具有这种性质，所以都不能作为半导体的材料。
⑽ 半导体物理77K 处于低温弱点离区吗
头都看大了，半导体进行不同的掺杂会有不同特性，光电效应，磁电效应，压电效应等等，硅，硒，锗以及一些金属氧化物都是半导体材料