半导体电阻随着什么改变而改变
㈠ 1,半导体随着温度升高,其电阻率的变化如何为什么
半导体随着温度升高,其电阻率是变小的。
因为半导体材料的分子一般排列的比较有序,才导致可以用半导体材料做成二极管,具有单向导电性。
随着温度的升高,分子排列的无序性变大,导电性能变好。电阻率将会减小。
㈡ 有一种半导体材料的电阻阻值随着温度的变化而明显改变,用这种材料制作的电阻称为热敏电阻.图(a)中是
(1)由R-t图象可知:当温度t=100℃时,热敏电阻的阻值为:R热=100Ω;
由于此时电压表的示数达到最大值,故U0=3V;
因为R热与R0串联,
所以电路中的电流I=I0=
U0 |
R0 |
3V |
100Ω |
热敏电阻的功率:
P热=I2R热=(0.03A)2×100Ω=0.09W,
电源电压为:
U=I(R0+R热)=0.03A×(100Ω+100Ω)=6V;
(2)当温度t′=0℃时,R热′=500Ω,
电路中的电流:
I′=
U |
R0+R热′ |
6V |
100Ω+500Ω |
电压表的示数:
U0′=I′R0=0.01A×100Ω=1V,
即改画的水温度表刻度盘上的0℃应对应在电压表刻度表上1V的位置;
(3)由图可知,电阻随温度的变化越来越慢,即电阻不与温度成正比,则变化相同温度时,电阻的变化值不同,那么干路电流的变化值也不同;故定值电阻两端电压的变化值不是定值,因此所改表盘的刻度不均匀.
答:(1)温度为100℃时热敏电阻的功率为0.09W,水温表电路的电源电压为6V;
(2)水温表刻度盘上的0℃应该与电压表刻度盘的1V位置对应;
(3)不均匀.由图可知,电阻随温度的变化越来越慢,即电阻不与温度成正比,则变化相同温度时,电阻的变化值不同,那么干路电流的变化值也不同;故定值电阻两端电压的变化值不是定值,因此所改表盘的刻度不均匀.
㈢ 有一种半导体,其电阻的大小随温度的变化而明显改变,利用这种半导体材料制成的电阻叫热敏电阻
可行的办法有降低电压或者曾加滑动变阻器的最大阻值 所以a和c正确
㈣ 半导体的电阻随温度的改变而怎样变
半导体的电阻 你是说热敏电阻吗? 材料不同,温度系数也不同的,还有正温度系数和负温度系数的区分,你要是想具体了解某个半导体的电阻的温度变化,最好找厂家要份规格书,他们会做的很详细的
㈤ 有一种半导体材料的电阻值随着温度的变化而明显改变,用这种材料制作的电阻称为热敏电阻.如图甲所示是某
(1)由图甲所示来图象可知,自随温度升高,热敏电阻阻值减小;
(2)由图甲所示图象可知,当温度为16℃时,热敏电阻阻值300Ω,
由题意可知,此时电压表示数为1.5V,此时电路中的电流:I=
U0 |
R0 |
1.5V |
100Ω |
电源的电压:U=I(R+R0)=0.015A×(300Ω+100Ω)=6V;
(3)由图甲所示图象可知,该热敏电阻在0℃时的电阻值为400Ω,
电路中电流为I总=
U |
R+R0 |
6V |
400Ω+100Ω |
电压表示数为:U0=I0R0=0.12A×100Ω=1.2V;
(4)由题意可知,水温达到最高时,U0=3V,
电路电流:I=
U0 |
R0 |
热敏电阻两端电压:UR=U总-U0=3V,
热敏电阻阻值:R=
UR |
I |
3V |
0.003A |
由图象可知,水温表能够测量的最高温度是100℃;
答:(1)该热敏电阻的阻值随温度的变化关系是:热敏电阻阻值随温度升高而减小;
(2)电源电压为;
(3)改装的水温表刻度盘上的0℃应该在电压表刻度盘的1.2V数值位置;
(4)小江同学设计的水温表能够测量的最高温度是100℃.
㈥ 半导体的电阻为什么随温度升高而降低
因为在一定温度下,半导体的电子空穴对的产生和复合同时存在并达到版动态平衡,此时半导权体具有一定的载流子密度,从而具有一定的电阻率。温度升高时,将产生更多的电子空穴对,载流子密度增加,电阻率减小。
半导体的五大特性∶掺杂性,热敏性,光敏性,负电阻率温度特性,整流特性。在形成晶体结构的半导体中,人为地掺入特定的杂质元素,导电性能具有可控性。在光照和热辐射条件下,其导电性有明显的变化。
(6)半导体电阻随着什么改变而改变扩展阅读
掺杂对半导体结构的影响:
1、掺杂之后的半导体能带会有所改变。依照掺杂物的不同,本质半导体的能隙之间会出现不同的能阶。施主原子会在靠近传导带的地方产生一个新的能阶,而受主原子则是在靠近价带的地方产生新的能阶。
2、掺杂物依照其带给被掺杂材料的电荷正负被区分为施主与受主。施主原子带来的价电子大多会与被掺杂的材料原子产生共价键,进而被束缚。
3、掺杂物对于能带结构的另一个重大影响是改变了费米能阶的位置。在热平衡的状态下费米能阶依然会保持定值,这个特性会引出很多其他有用的电特性。
㈦ 有一种半导体材料的电阻值随着光照射强度的变化而明显改变,用这种材料制作的电阻称为光敏电阻.物理学上
(1)分析复表中的6组数据,发现每一组制的光强与电阻的乘积是一定的,都是36,所以电阻R与光强E的关系式为:R=
36 |
E |
第四次,光强是4.0cd,那么光敏电阻的阻值是9.0Ω.
(2)光敏电阻两端电压:UR=U-U0=6V-3.6V=2.4V,
光敏电阻的阻值:R=
UR |
I |
2.4V |
0.4A |
查表知,光强为E=6.0cd.
(3)根据表中数据可知,光敏电阻的阻值随光照强度的增大而减小,因此保持滑动变阻器位置不变,逐渐增大光敏电阻的光照强度,电路中的总电阻减小,由I=
U |
R |
电压表测量滑动变阻器两端电压,而滑动变阻器接入电路的阻值不变,由U=IR可知,滑动变阻器两端电压变大,即电压表示数变大;
故选①.
(4)晚上当光强减弱时,光敏电阻的阻值会变大,此时低压控制电路的电流会减小,电磁铁磁性减弱,
不再吸引衔铁,为了能使工作电路接通,所以M、N触点应安装在衔铁的上方.
故答案为:(1)
36 |
E |
(2)光敏电阻所在处的光强为6.0cd;
(3)①;
(4)上方.
㈧ 有一种半导体材料的电阻值随着温度的变化而明显改变,用这种材料制作的电阻称为热敏电阻,图甲是某热敏电
(1)有图象数据变化即可得出:温度升高时,电阻的阻值减小;
(2)由R-t图象回可知:当温度t=100℃时,热敏答电阻的阻值为:R热=100Ω;
(3)由于此时电压表的示数达到最大值,故U0=3V;
因为R热与R0串联,
所以电路中的电流I=I0=
U0 |
R0 |
3V |
100Ω |
电源电压为U=I(R0+R热)=0.0.3A×(100Ω+100Ω)=6V.
故答案为:(1)这种电阻的温度升高时,电阻的阻值是减小;
(2)热敏电阻在100℃时的电阻值为100Ω;
(3);电源电压应是6V.
㈨ 有一种半导体材料的电阻值随着温度的变化而明显改变
由前一条件,当水温达到100℃时,要求电压表的示数达到最大值。即当热敏电阻为100欧姆时,定内值电阻上的电容压为3v,此时电路中的电流 I=3V/100Ω=0.03A,
这里的被除数100是定值电阻的阻值。由此可以知道电路的电源电压 U=I(R+R0)=0.03*(100+100)=6V
当水温表刻度盘上显示为0℃时,即表示水温温度为0℃,由热敏电阻的特性曲线(图30)知,此时热敏电阻对应的阻值为500欧姆。即电路是由一个电源,一个开关,一个阻值为100的定值电阻和一个阻值为500的电阻串联组成。此时电路电流I=U/(R+R0)=6/(100+500)=0.01A.分在R0上的电压值为U1=IR0=0.01*100=1V
㈩ 有一种半导体材料的电阻值随着温度的变化而明显改变,用这种材料制成的电阻称为热敏电阻,
解答:
三个空分别是100、2、3。
详解:根据图可以看到,100℃时,此时电阻值(竖轴数值)为版100Ω。【见图中红色箭权头所指。】
热敏电阻两端电压是6÷(100+200)×100=2(V)。
【电压除以总电阻,得到电流,然后乘热敏电阻的阻值,得到其两端电压。】
当热敏电阻在35°C时,根据图中蓝色线所指的点,电阻为200欧姆(实际上是约210欧姆),
串联电阻总值是200+200=400(欧姆),电流是6÷400,R0两端电压是6÷400×200=3(V),电压表的示数为3V.