半导体平带电位怎么算价带

㈠ 化合物半导体怎么知道它的导带价带位置及是n型还是p型

看产平是什么元素,n型还是p型它们的元素不同,你可以查阅电子线路,电子技术方面的书籍,一般在书前面讲半导体的地方会讲,可惜我忘记了,否则就直接告诉你了
望采纳!

㈡ 请问半导体材料里面导带和价带的数值在什么范围内才是有物理意义的

(1)什么叫半导体？导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，叫做半导体．例如：锗、硅、砷化回镓等．半导体在科答学技术，工农业生产和生活中有着广泛的应用．（例如：电视、半导体收音机、电子计算机等）这是什么原因呢？下面介绍它所具有的特殊的电学性能．(2)半导体的一些电学特性①压敏性：有的半导体在受到压力后电阻发生较大的变化．用途：制成压敏元件，接入电路，测出电流变化，以确定压力的变化．②热敏性：有的半导体在受热后电阻随温度升高而迅速减小．用途：制成热敏电阻，用来测量很小范围内的温度变化．

㈢ 怎么看电子态密度的上价带和下价带

怎么看电子来态密度的上自价带和下价带
导带：由自由电子形成的能量空间.
在绝对零度温度下,半导体的价带(valence band)是满带(见能带理论),受到光电注入或热激发后,价带中的部分电子会越过禁带(forbidden band/band gap)进入能量较高的空带,空带中存在电子后成为导带
价带：半导体或绝缘体中,在0K时能被电子占满的最高能带.对半导体而言,此能带中的能级基本上是连续的.全充满的能带中的电子不能在固体中自由运动.但若该电子受到光照,它可吸收足够能量而跳入下一个容许的最高能区,从而使价带变成部分充填,此时价带中留下的电子可在固体中自由运动.价带中电子的自由运动对于与晶体管有关的现象是很重要的.
被价电子占据的允带（低温下通常被价电子占满）.

㈣ 如何测量半导体纳米材料的价带与导带

测量禁带宽度
方法 1：利用紫外可见漫反射测量中的吸光度与波长数据作图，利用截线法做出吸收波长阈值 λg(nm)，利用公式 Eg=1240/λg (eV) 计算禁带宽度。
方法 2：利用 (Ahν)2 对 hν 做图，利用直线部分外推至横坐标交点，即为禁带宽度值。也可利用(Ahν)0.5对 hν 做图，利用直线部分外推至横坐标交点，即为禁带宽度值。前者为间接半导体禁带宽度值，后者为直接半导体禁带宽度值。 A (Absorbance) 即为紫外可见漫反射中的吸光度。
方法 3：利用 (αhν)2 对 hν 做图，利用直线部分外推至横坐标交点，即为禁带宽度值。也可利用(αhν)0.5对 hν 做图，利用直线部分外推至横坐标交点，即为禁带宽度值。前者为间接半导体禁带宽度值，后者为直接半导体禁带宽度值。 α (Absorption Coefficient ) 即为紫外可见漫反射中的吸收系数。α 与 A 成正比。

一般有两种方法：
1、紫外-可见光谱测量材料的吸收边和带隙；
网络资料有很多。
2、电化学方法（循环伏安法）测定带隙、HOMO/LUMO能级；
Ref：Adv. Mater. 2011, 23, 2367–2371

http://www.big-bit.com/news/

㈤ 半导体中的价电子占有的能带是价带还是导带

又是你啊．
应该是价带吧,由于原子在紧密结合的时候,分裂的能级由专于轨道重叠,形成能带.而价属电子是半导体原子与周围原子形成公价键时出现的.一般说,半导体导带是空的,不象金属是半满的.费米能级在禁带中,导带中电子出现的概率极低.
应该这样吧.
你是学电子的吗?

㈥ 导带的导带与价带的关系

对于未掺杂的本征半导体，导带中的电子是由它下面的一个能带（即价带）中的电子（价内电子）跃迁上来容而形成的，这种产生电子（同时也产生空穴——半导体的另外一种载流子）的过程，称为本征激发。在本征激发过程中，电子和空穴是成对产生的，则总是有“电子浓度=空穴浓度”。这实际上就是本征半导体的特征，因此可以说，凡是两种载流子浓度相等的半导体，就是本征半导体。这就意味着，不仅未掺杂的半导体是本征半导体，就是掺杂的半导体，在一定条件下（例如高温下）也可以转变为本征半导体。
价带的能量低于导带，它也是由许多准连续的能级组成的。但是价带中的许多电子（价电子）并不能导电，而少量的价电子空位——空穴才能导电，故称空穴是载流子。空穴的最低能量——势能，也就是价带顶，通常空穴就处于价带顶附近。
价带顶与导带底之间的能量差，就是所谓半导体的禁带宽度。这就是产生本征激发所需要的最小平均能量。这是半导体最重要的一个特征参量。
对于掺杂半导体，电子和空穴大多数是由杂质来提供的。能够提供电子的杂质称为施主；能够提供空穴的杂质称为受主。施主的能级处在靠近导带底的禁带中；受主的能级处在靠近价带顶的禁带中。

㈦ 急求一些化合物半导体的导带和价带能级，比如ZnSe，CdSe，ZnS之类的

有一半书名好像是“新型半导体材料数据手册”，翻译的书籍，可以去找一找看。

㈧ 平带电压的平带电压的测定

对于体相的半导体材料而言，我们可以通过Mott-Schottly公式推算，进行简化戳通过作图大体上计算出其版平带权电位，但是对于纳米级别的半导体材料则主要是通过仪器的直接测定。
电化学方法：在三电极体系下，使用入射光激发半导体电极，并改变电极上的电势。当施加的电位比平带电位偏负的时候，光生电子不能够进入外电路，也就是说不会产生光电流。相反，当施加的电位比平带电位偏正的时候，光生电子则能偶进入外电路，进而产生光电流。所以开始产生光电流的电势即为该纳米半导体的平带电位。
光谱电化学方法：该方法同样是在三电极体系下，对半导体纳米晶施加不同的电位，测量其在固定波长下吸光度的变化。基本的原理与电化学方法大体相同。当电极电位比平带电位正时，吸光度不发生变化；偏负时则急剧上升。因为，吸光度开始急剧上升的电位即为纳米半导体的平带电位。

㈨ 如何计算禁带宽度，价带和导带

1.这个图正确的应该是（ahv）^2~hv的曲线图，其中a为吸收系数，a=-1/d*lnT,d为厚度（一般测禁带宽度时，内使用的是容薄膜样品，所以d即为膜厚）；2.图中的直线并不是直接通过测试的数据得到的，而是先画出（ahv）^2~hv的曲线图后，采用外推法，在曲线的拐点处做切线，外推至x轴，即f（（ahv）^2）=0时，该直线与x轴交点处的值，即为该样品的禁带宽度。这就是你图中所对应的3点几eV;3.hv是光子能量，不是禁带宽度，在这个图中，只表示的是曲线部分的横坐标，与直线无关O(∩_∩)O~。4.大概就这些

㈩ 求一些化合物半导体的能带参数：CuS,CdS的价带导带具体多少电子伏特，可以发能带图。

这种半导体都是一种空间结果，化学式是最简单的缩写，不能反应该物质的本质的，所以谈不上化学价！