半导体中多子的数量与什么有关

❶ N型半导体和P型半导体中的多子和少子分别是什么

在N型半导体中，自由电子多，空穴少，多子是自由电子，少子是空穴版。

在P型半导体中，空权穴多，自由电子少，多子是空穴，少子是自由电子。

不论是N型半导体中的自由电子，还是P型半导体中的空穴，它们都参与导电，统称为“载流子”，“载流子”导电是半导体所特有的。

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载流子所处的能量状态

从晶体能带的角度来看，半导体的能量最高的几个能带分别是导带和价带，导带与价带之间隔着一个禁带。禁带中不具有公有化运动的状态——能级，但可存在杂质、缺陷等束缚能级。

自由电子就处于导带中，一般是在导带底附近（导带底就相当于电子的势能）；自由空穴就处于价带中，一般是在价带顶附近（价带顶就相当于空穴的势能）。价带中有大量的价电子，由于这些价电子是被价键束缚住的，不能自由运动，所以不把它们看成为载流子。

空穴就是由价带中的价电子跃迁到了导带之后所形成的（即留下的价键空位）；这种跃迁就称为本征激发，其特点是电子与空穴成对地产生。

❷ 在掺杂半导体中,多子的浓度主要取决于

D A

❸ N型半导体和P型半导体中的多子和少子分别是什么 分别依靠哪种载流子导电

N型半导体的多子是电子,少子是空穴
P型半导体的多子是空穴,少子是电子

❹ 为什么N型半导体中电子为多子

没有正离子这个说法。。电子脱落出来那个位置叫空穴，，因为，，在n型半导体回中是由电子导电答的，，所以电子是多子。。。
自由电子的形成：在常温下，少数的价电子由于热运动获得足够的能量，挣脱共价键的束缚变成为自由电子。
空穴：价电子挣脱共价键的束缚变成为自由电子而留下一个空位置称空穴。
这是物理，，不是化学反应，是材料本身的一种性质，，

❺ pn结中的多子还有少子分别指的是什么

PN结的耗尽区中电子和空穴浓度梯度下降或上升，不存在严格意义上的多子和少子。一般多子和少子只定义在耗尽区之外的N区或P区中。

❻ 问个半导体多子少子的问题

多子主要是靠半导体本身特性决定，即主要靠参杂浓度决定。温度升高虽然会使多回子挣脱原子束缚，但多子数答量已经很多了，这一点脱离对多子数目影响不大
少子顾名思义，在半导体中不占主导地位，那么参杂浓度对其影响就不大了，而温度的上升却可以使更多的少子脱离原子的束缚，因而少子数量主要由温度决定

❼ 关于pn结中多子少子

多子和抄少子都是指载流子。袭在P型半导体材料中，空穴多，自由电子少，空穴是多子自由电子是少子；在N型半导体中正好相反，自由电子是多子，空穴是少子。

也有说成“多数子、少数子”的，还有叫做“多数载流子、少数载流子”的，含义一样。

❽ 在杂质半导体中，多数截流子的浓度主要取决于

在杂质半导体中，多数截流子的浓度主要取决于掺入的施主浓度或者受主浓度内；在全电离时，多数截流子浓容度≈掺杂浓度，并且基本上与温度无关。
而少数截流子的浓度则与（温度）有很大关系（因为是本征激发的关系）。

详见“http://blog.163.com/xmx028@126/”中的有关说明。

❾ 在杂质半导体中,多数截流子的浓度主要取决于 而少数截流子的浓度则与（ ）有很大关系

在杂质半导体中,多数截流子的浓度主要取决于掺入的施主浓度或者受主浓度；在全内电离时,多数截流子浓度≈容掺杂浓度,并且基本上与温度无关.
而少数截流子的浓度则与（温度）有很大关系（因为是本征激发的关系）.

❿ 简述N型半导体与P型半导体的形成过程并指出多子与少子各是什么

在半来导体材料硅或锗晶体中掺入源三价元素杂质可构成缺壳粒的P型半导体，掺入五价元素杂质可构成多余壳粒的N形半导体。 （ 两种半导体接触在一起的点或面构成PN结，在接触点或面上N型半导体多余壳粒趋向P型半导体，并形成阻挡层或接触电位差。当P型接正极，N型接负极，N型半导体多余壳粒和PN结上壳粒易往正移动，且阻挡层变薄接触电位差变小，即电阻变小，可形成较大电流；反之当P型接负极，N型接正极，因为P半导体缺壳粒，热运动也难分离出壳粒往正极运动，且阻挡层变厚接触电位差变大，电阻变大，形成较小电流，即具有单向通过电流属性。 ）

多子与少子是相对概念。
如：在N型半导体中自由电子是多数载流子，简称为“多子”；空穴为小数载流子，称为“少子”。而在P型中则相反。
----考试的话，答概念就可以了，具体的作用过程你就不用记了。